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Dianci bileiqi高速铁路采用分相供电技术，接触网谐波含量高、暂态过电压大，对车顶避雷器提出严峻挑战。对动车组的运行工况进行了实测，发现谐波主要为25次、27次和29次，总波形畸变率（THD）最高可以达到79.8%。ZnO压敏电阻片的老化测试是在对电压波形进行准确模拟后进行的。老化后，电流密度-电场曲线正负方向不对称，电阻片在负方向劣化更严重，其中非线性系数从43.4减小到30.8，漏电流密度从0.85 μA/cm2增加到2.51 μA/cm2。在老化期间，两种动态过程占主导地位，即空界面态捕获电子和吸附氧（Oad ...
赵霞 +5 more
doaj +2 more sources
Bi2O3厚度对ZnO/Bi2O3双层复合试样电气特性的影响
Dianci bileiqi, 1991 研究工作是在用径流喷射法形成的ZnO/Bi2O3双层复合试样上进行的,该试样被看作是ZnO压敏电阻中单个晶粒边界的模型。研究的目的是为了弄清楚劣化和非线性导电特性的机理,并由此了解薄片压敏电阻的性能。作者测试了试样的I—V特性曲线和热激发电流（TSC）。在反向偏压作用下,双层复合试样呈现出比实际的压敏电阻更高的非线性系数。 ZnO/Bi2O3双层复合试样的击穿电压随Bi2O3的厚度增加而增大,因此,可以由此来控制试样的击穿电压。该现象解释如下:由于Bi2O3体内和ZnO/Bi2O3交界面上电荷的积聚 ...
熊泰昌
doaj
Dianci bileiqi氧化锌（ZnO）压敏陶瓷是金属氧化物避雷器的核心元件。ZnO电阻片的残压比、电位梯度、漏电流等性能参数与避雷器的保护性、可靠性、轻便性有着直接关联。通过调控ZnO电阻片在烧结降温过程中900 ℃ — 400 ℃温度区间内的降温速率，实现了残压比、电位梯度和漏电流的协同优化。通过宽带介电温谱，发现本征点缺陷浓度随降温速率增加而增大，锌填隙缺陷浓度的增加相较于氧空位缺陷浓度的增加更为显著。通过解耦残压比和电位梯度的影响因素，发现ZnO电阻片残压比的变化主要受降温速率影响 ...
厍海波 +9 more
doaj
Dianci bileiqi, 2006 为了进一步提高ZnO压敏电阻片的电位梯度和能量耐受能力,研究了添加剂复合粉体的颗粒度、烧结温度和保温时间对电阻片电位梯度和能量耐受能力的影响。采用细度为（0.4～0.6）μm的添加剂,在1 120℃保温5h,φ56mm的电阻片电位梯度可达（3.2～3.5）kV/cm;在传统添加剂细度的基础上,烧结温度为1 200℃,保温5h可获得梯度为（1.7～1.8）kV/cm,方波为800A的大容量电阻片。从传统电位梯度和高梯度电阻片显微结构分析中得出,晶粒细小化是提高电位梯度的重要途径。尖晶石是晶粒生长的钉扎中心,
王玉平
doaj
Dianci bileiqi, 2009 从样品制备,烧结过程,纳米级Bi2O3添加量及电性能测试等方面介绍了掺杂纳米级Bi2O3对生产高热容量、大通流能量ZnO压敏电阻片性能的影响。试验结果表明:采用纳米级Bi2O3（x（Bi2O3）≥0.61%）代替普通Bi2O3,提高了老化及工频耐受性能,使烧成温度降低到1075℃,同时还降低了生产成本;并使电阻片的其它电气性能有所提高或保持原有的水平。
韩伟 +4 more
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高能ZnO压敏电阻15kJ能量测试开裂现象和岩矿相组织关系的研究
Dianci bileiqi, 1996 根据高能ＺｎＯ压敏电阻在１５ｋＪ能量容量测试时出现的开过失效模式，研究了在实际生产条件下，氧化锌阀片的岩矿相组织和开展现象的对应关系。结果表明，阀片中晶粒粒径的分布，晶粒边界受熔融相浸润的程度，晶粒的形态轮廓和阀片的能量吸收能力有着较明显的关系．
陈小川
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Dianci bileiqi, 2005 对采用籽晶分步包膜技术制备氧化锌压敏电阻片粉体所获得的添加剂复合粉体前驱体聚沉物的干燥分解过程进行了研究。提出了采用“半干”干燥技术处理聚沉物的思路,试验证明聚沉物经清洗净化“半干”处理,即半干状态（水分约20%30%）直接煅烧分解,可以获得无团聚或弱团聚的添加剂氧化物复合粉体颗粒;煅烧分解温度与其颗粒细度密切相关,得出（600650）℃下煅烧分解效果最佳。由此得到的添加剂氧化物复合粉体与ZnO混合烧成所得压敏电阻片的电位梯度约（2郾1～2郾6）kV/cm和能量耐受能力提高近1倍的优异性能 ...
王玉平, 李盛涛
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Dianci bileiqi探究了Y（NO3）3掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构及综合电气性能的具体影响。采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、电流-电压测试仪对其进行了微观结构的表征和电学性能的测试。实验结果显示，随着Y（NO3）3掺杂量的逐步增加，ZnO基压敏电阻的电位梯度不断升高，非线性系数逐渐升高，漏电流则越来越小，压比呈现出先降低后升高趋势。当Y（NO3）3的掺杂量0.0015mol%时，晶粒尺寸为7.88μm，电位梯度为253V/mm，残压比为1.617，非线性系数为40 ...
卢士功 +8 more
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Dianci bileiqi, 1999 实验研究了厚度ｄ 对ＺｎＯ压敏电阻片残压比Ｋｒ 的影响规律， 表明残压比同样存在几何效应；实验还表明残压比Ｋｒ 随电位梯度Ｅ１ｍ Ａ成反比例下降，随平均晶粒尺寸μ的增大而增大； 找到了一个综合微观结构参数 平均晶粒尺寸μ和晶粒尺寸方差σ２ 的乘积（σ２μ）， 能较好地反映电性能与微观结构参数的关系。提出了计算机模拟微观结构模型，并用计算机模拟了残压比Ｋｒ 和厚度ｄ、Ｋｒ 和平均晶粒尺寸μ以及Ｋｒ 和乘积σ２μ的关系 ...
李盛涛 +5 more
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Dianci bileiqi, 1993 2 工艺技术研究高压ZnO压敏电阻器是按照典型的电子陶瓷元件工艺制作而成的。在这个专业领域里,公认这样一句话:“配方是关键,工艺是基础”,从而可见工艺技术研究的重要性。随着原料特性、生产设备及配方的变化,虽然大的工艺路线基本一样、工艺参数却千差万别。限于篇幅,本章仅研究了几个关键的工序环节。 2.1 添加剂预合成技术添加剂预合成技术作为一种有前途的新技术陶瓷工艺已被人们日益重视,其最大特点就是能够提高添加剂在瓷片内的分布均匀性。另外,对于加B的料方来说 ...
郭亚平 +4 more
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