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Dianci bileiqi, 1996 发现并研究了电极半径ｒ与瓷体半径Ｒ之比ｒ／Ｒ对ＺｎＯ压敏电阻片耐受２ｍｓ方波电流冲击能力的作用规律．利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络，实验模拟了ｒ／Ｒ对电极边缘电流密度分布的作用规律，研究结果表明增大ｒ／Ｒ能使电流密度均匀化，因而能增强ＺｎＯ压敏电阻片的通流能力。
李盛涛, 刘辅宜, 李博
doaj
[Application of non-stationary phase separation hyphenated with inductively coupled plasma mass spectrometry in the analysis of trace metal-containing nanoparticles in the environment]. [PDF]
Se Pu, 2021 Jiang H +8 more
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多级气体放电管与氧化锌压敏电阻并联配合的辉光弧光放电性能分析
Dianci bileiqi, 2017 针对多级气体放电管（GDT）与ZnO压敏电阻的并联配合使用的问题,根据多级GDT及ZnO压敏电阻的工作原理,把ZnO压敏电阻依次并联多电级GDT不同级数进行测试时,并联级数越多,越能有效拉低点火电压,并具有击穿后能分流的特性。利用气体放电理论进行工频电压下的组合器件辉光、弧光放电试验,在分析了辉光、弧光放电电压、时延、电流与工频电压之间的关系后,得出并联不同级数时,组合器件的静态参数与辉光、弧光各参数的匹配效果对泄流影响:静态参数中压敏电压与并联的GDT管点火电压相差越大 ...
李宝莉
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[Recent advance of new sample preparation materials in the analysis and detection of environmental pollutants]. [PDF]
Se Pu, 2021 Feng J +8 more
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Dianci bileiqi, 2021 研究了不同NiO含量对ZnO基压敏电阻微观结构、相组成电学性能的影响。结果表明,掺杂合适含量的NiO能够有效的改善ZnO基压敏电阻的电气性能,这可被归因为NiO的掺杂能够调整ZnO的晶粒取向,从而使ZnO压敏陶瓷形成了更加均一的显微结构。CE5样品（NiO摩尔分数为1.55%）具有优秀的综合电气性能,其电位梯度为184.00 V/mm,非线性系数α为72.7,漏电流为0.45μA,在20 kA和30 kA下的压比分别为2.20和2.38。此外,在20组20 kA及2组30 kA脉冲浪涌电流冲击后 ...
王曼玉 +9 more
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Dianci bileiqi, 2010 研究添加不同的减缓老化作用的元素及化合物,以改善ZnO压敏电阻片长期带电的老化特性。经过添加GF-06银玻璃、氧化硼、PM-10硼玻璃等不同形态的材料,在同样的ZnO压敏电阻的制作工艺下进行混合、造粒、成形、烧成形成直径为53 mm的电阻片,测试了小电流特性、大电流特性及115℃下1 000 h的加速老化试验。试验结果表明,微量的Ag2O玻璃和B2O3玻璃有利于提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻片的老化寿命;同时B2O3还有助于改善ZnO电阻片的大电流下的非线性。
王玉平, 彭敏, 徐素萍, 王李瑛
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Dianci bileiqi, 2020 ZnO压敏电阻的老化主要由施加电压及温度因素造成,为研究其在工作电压下的热电特性,利用建立的压敏电阻交、直流老化试验平台,开展了热电应力下压敏电阻温度特性、荷电率特性及直流老化特性的试验研究。结果表明:1)直流电压荷电率（电压与压敏电压的比值）在85%～92%区间,泄漏电流和功耗随荷电率增大有下降趋势,而交流电压下两参数随荷电率的增加而增加; 2)直流老化试验中,在97%荷电率和145℃温度下,10K250压敏电阻的泄漏电流经历了快速下降、缓慢上升、激增3个阶段。泄漏电流的剧增点（增长到初始值的900%）
孙伟 +4 more
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[Research progress in application of metal-organic framework-derived materials to sample pretreatment]. [PDF]
Se Pu, 2021 Zhang W +5 more
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Dianci bileiqi通过化学沉淀法制备得到ZnO压敏电阻样品并分析研究了样品的显微结构特性、宏观电学参量和介电响应特性，包括阻抗谱和介电损耗谱。采用XRD和SEM观测分析了ZnO压敏电阻的物相组成和微观结构。电学参数测试结果表明，当化学沉淀法的醇水比为2∶1时，ZnO压敏电阻表现出的各项电性能均比较好：电压梯度为584.01 V/mm，非线性系数为73.43，泄漏电流为0.13 μA/cm2。该结果表明化学沉淀法可以作为制造高性能ZnO压敏电阻的有效途径。另外，通过介电谱的测试结果可以看出 ...
董曼玲 +6 more
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低压ZnO压敏电阻大电流冲击老化后晶界电容随时间变化特性的分析
Dianci bileiqi, 2015 针对ZnO压敏电阻承受冲击老化后晶界电容随时间变化的问题,基于Block-Model（砖块模型）对影响ZnO压敏电阻晶界电容的参数进行相应分析。通过对压敏电阻样品进行不同次数的8/20波形大电流冲击试验,发现ZnO压敏电阻的晶界电容在冲击后随着时间的增长呈现出先降低后增长的趋势;当冲击次数较少时晶界电容有所降低,而冲击次数较多时晶界电容有所增加,研究表明:晶界电容的变化是由中电场区域生成的深能级施主复合和界面态俘获电子释放过程导致的。
周宇, 冯民学, 陈璞阳
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