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热处理对稀土氧化物掺杂ZanO-Bi₂O₃系压敏陶瓷电气性能的影响

Dianci bileiqi, 2008
掺杂稀土氧化物的大尺寸ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷具有明显的"软心"特征,即电位梯度随试样尺寸的增大而下降,表层电位梯度高于内部。经高温热处理后,"软心"现象得到明显的改善,平均电位梯度提高到360V/mm。结合XRD、XPS和EDS的分析结果,发现热处理后Bi2O3相和CeO2相明显析出,试样内部的O浓度提高,添加剂沿轴向的分布趋于均匀。
李盛涛, 成鹏飞, 王玉平, 朱斌
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化学沉淀法的醇水比对氧化锌压敏电阻性能的影响研究

Dianci bileiqi
通过化学沉淀法制备得到ZnO压敏电阻样品并分析研究了样品的显微结构特性、宏观电学参量和介电响应特性，包括阻抗谱和介电损耗谱。采用XRD和SEM观测分析了ZnO压敏电阻的物相组成和微观结构。电学参数测试结果表明，当化学沉淀法的醇水比为2∶1时，ZnO压敏电阻表现出的各项电性能均比较好：电压梯度为584.01 V/mm，非线性系数为73.43，泄漏电流为0.13 μA/cm2。该结果表明化学沉淀法可以作为制造高性能ZnO压敏电阻的有效途径。另外，通过介电谱的测试结果可以看出 ...
董曼玲, 王博闻, 郭磊, 程思远, 姚伟, 王伟, 詹振宇   +6 more
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稀土氧化物掺杂ZnO-Bi₂O₃系压敏陶瓷的介电特性

Dianci bileiqi, 2010
在不同温度下测量了稀土氧化物Gd2O3、Ce2O3掺杂ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电频谱,发现稀土氧化物的掺杂引起介电损耗显著增大。通过理论计算发现稀土氧化物掺杂后锌填隙和氧空位浓度显著增大,而耗尽层宽度明显减小。因此认为稀土氧化物引起施主性本征缺陷浓度的增大,导致Schottky势垒变薄,从而引起泄露电流的增大及非线性指数的下降。
成鹏飞, 李盛涛
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稀土氧化物掺杂对ZnO-Bi₂O₃系压敏陶瓷导电过程的影响

Dianci bileiqi, 2010
掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用。发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制。因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响。
成鹏飞, 王玉平
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ZnO-Bi₂O₃系MLCV稳定性的研究

Dianci bileiqi, 2013
研究了不同温度（900～1040℃）下烧结的ZnO-Bi2O3系叠层片式压敏电阻器（ML-CV）的热稳定性和8/20μs电流脉冲冲击稳定性,发现1000℃烧结的MLCV试样的稳定性最好,其压敏电压变化率的温度系数低于1.67×10-4/K,电脉冲冲击后压敏电压和分线性指数的变化率分别仅为0.25%和4.27%。然后分析了烧结气氛对MLCV在1 mA直流负载作用下压敏电压稳定性的影响,发现当垫料中添加剂的质量百分比比试样中添加剂质量百分比高20%时,MLCV试样压敏电压的稳定性最高。
成鹏飞, 李盛涛, 张晓军
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ZnO压敏陶瓷势垒高度的测量及其应用

Dianci bileiqi, 2010
系统分析了势垒高度测量的两种常用方法（I-T特性方法和C-V特性方法）成立的条件,发现直接采用lnj～1/T曲线的基本I-T特性方法适用于流过ZnO压敏陶瓷的电流较小,导电机制为热发射电流的情况,且只能得到等效势垒高度,其最大误差为12%～20%。要使测量误差在10%以内,则外施电压的荷电率不应超过0.4～0.6。改进后的I-T特性方法可测量零偏置电压下的势垒高度准0;C-V特性方法仅适用于偏析层厚度可忽略的情况,否则测量值明显偏大;实际上将两种方法相结合,不但能得到较精确的势垒高度准0 ...
成鹏飞, 王玉平, 于长丰
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ZnO压敏陶瓷晶界势垒高度和宽度的研究

Dianci bileiqi, 2004
通过测量商用ZnO压敏陶瓷材料的泄漏电流I与绝对温度T,并利用场助热激发电流的表达式计算了势垒高度（活化能）,发现它低于平衡状态时的势垒高度。在深入分析在电场作用下晶界区域中电子传导过程的基础上,认为这是在电导过程中通过正偏势垒向晶界界面层中注入了大量电子,这些电子不仅填充了在平衡状态下尚未填充的电子陷阱（即表面态）,而且还会在界面层形成自由电子空间电荷,这些自由电子在越过反偏Schottky势垒时需要克服的就不是平衡状态时的势垒高度,显然应低于平衡状态时的势垒高度 ...
李盛涛, 邹晨, 刘辅宜
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掺杂纳米级Bi₂O₃对ZnO压敏陶瓷性能的影响

Dianci bileiqi, 2009
从样品制备,烧结过程,纳米级Bi2O3添加量及电性能测试等方面介绍了掺杂纳米级Bi2O3对生产高热容量、大通流能量ZnO压敏电阻片性能的影响。试验结果表明:采用纳米级Bi2O3（x（Bi2O3）≥0.61%）代替普通Bi2O3,提高了老化及工频耐受性能,使烧成温度降低到1075℃,同时还降低了生产成本;并使电阻片的其它电气性能有所提高或保持原有的水平。
韩伟, 王建文, 张耀平, 孟梅, 何欣   +4 more
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ZnO压敏陶瓷制造用有机原材料的选择及优化应用

Dianci bileiqi, 2007
根据不同有机原料的理化性能、主要用途,并结合实际生产应用认为,合理选择有机原料及使用量,对制备ZnO与添加剂料浆成分的均匀性,喷雾造粒粉料的物理性状及坯体成型的均一性都有较大的影响,从而影响耐受冲击能量及其稳定性。得出:结合剂一般选用高醇解度的聚乙烯醇（PVA）,加入量以0.5%～0.8%为宜,且尽可能减少PVA的添加量;分散剂应选择具有润滑性的分散剂,这对制造较大直径的电阻片是很有利的;消泡剂应选择易于在溶液表面铺展的消泡剂,如磷酸三丁酯;纯水电阻率不应小于1 MΩ·cm（25℃）。
王振林
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ZnO压敏陶瓷制造用有机原材料的选择及优化应用（续）

Dianci bileiqi, 2007
（接《电瓷避雷器》2007年第3期第46页）2分散剂分散剂是一种表面活性剂,为了便于理解分散剂的作用原理,首先介绍有关表面活性剂的理化性能,然后介绍适合于氧化锌浆料制备的表面活性剂,包括分散剂、消泡剂等。
王振林
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