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降低ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率的研究

open access: yesDianci bileiqi, 2019
为了减少ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率,将不同配方的高阻釉施涂在电阻片的侧面,研究不同的高阻釉对于电阻片电性能的影响。结果表明:在电阻片的侧面施涂绝缘能力和膨胀系数匹配性均达到要求的高阻层,能够使电阻片的缺陷减少,均匀性提高,从而使电阻片的电性能提高,降低了ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率。
厍海波   +5 more
doaj  

烧结降温速率对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

open access: yesDianci bileiqi
氧化锌(ZnO)压敏陶瓷是金属氧化物避雷器的核心元件。ZnO电阻片的残压比、电位梯度、漏电流等性能参数与避雷器的保护性、可靠性、轻便性有着直接关联。通过调控ZnO电阻片在烧结降温过程中900 ℃ — 400 ℃温度区间内的降温速率,实现了残压比、电位梯度和漏电流的协同优化。通过宽带介电温谱,发现本征点缺陷浓度随降温速率增加而增大,锌填隙缺陷浓度的增加相较于氧空位缺陷浓度的增加更为显著。通过解耦残压比和电位梯度的影响因素,发现ZnO电阻片残压比的变化主要受降温速率影响 ...
厍海波   +9 more
doaj  

深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型

open access: yes, 1997
刚 付   +3 more
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ZnO压敏陶瓷中组分工艺对Znï本征缺陷的影响

open access: yes, 1996
刚 傅   +4 more
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ZnO压敏陶瓷中富Ba晶界相的生成与控制

open access: yes, 1996
刚 傅, 国淙 林, 志雄 陈, 滨 石
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添加 Bi 2 WO 6 对 ZnO 基压敏陶瓷电学性能的影响

, 2020
林文文   +9 more
semanticscholar   +1 more source

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