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稀土氧化物掺杂ZnO-Bi₂O₃系压敏陶瓷的介电特性

Dianci bileiqi, 2010
在不同温度下测量了稀土氧化物Gd2O3、Ce2O3掺杂ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电频谱,发现稀土氧化物的掺杂引起介电损耗显著增大。通过理论计算发现稀土氧化物掺杂后锌填隙和氧空位浓度显著增大,而耗尽层宽度明显减小。因此认为稀土氧化物引起施主性本征缺陷浓度的增大,导致Schottky势垒变薄,从而引起泄露电流的增大及非线性指数的下降。
成鹏飞, 李盛涛
doaj  

稀土氧化物掺杂对ZnO-Bi₂O₃系压敏陶瓷导电过程的影响

Dianci bileiqi, 2010
掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用。发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制。因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响。
成鹏飞, 王玉平
doaj  

ZnO-Bi₂O₃系MLCV稳定性的研究

Dianci bileiqi, 2013
研究了不同温度（900～1040℃）下烧结的ZnO-Bi2O3系叠层片式压敏电阻器（ML-CV）的热稳定性和8/20μs电流脉冲冲击稳定性,发现1000℃烧结的MLCV试样的稳定性最好,其压敏电压变化率的温度系数低于1.67×10-4/K,电脉冲冲击后压敏电压和分线性指数的变化率分别仅为0.25%和4.27%。然后分析了烧结气氛对MLCV在1 mA直流负载作用下压敏电压稳定性的影响,发现当垫料中添加剂的质量百分比比试样中添加剂质量百分比高20%时,MLCV试样压敏电压的稳定性最高。
成鹏飞, 李盛涛, 张晓军
doaj  

ZnO压敏陶瓷势垒高度的测量及其应用

Dianci bileiqi, 2010
系统分析了势垒高度测量的两种常用方法（I-T特性方法和C-V特性方法）成立的条件,发现直接采用lnj～1/T曲线的基本I-T特性方法适用于流过ZnO压敏陶瓷的电流较小,导电机制为热发射电流的情况,且只能得到等效势垒高度,其最大误差为12%～20%。要使测量误差在10%以内,则外施电压的荷电率不应超过0.4～0.6。改进后的I-T特性方法可测量零偏置电压下的势垒高度准0;C-V特性方法仅适用于偏析层厚度可忽略的情况,否则测量值明显偏大;实际上将两种方法相结合,不但能得到较精确的势垒高度准0 ...
成鹏飞, 王玉平, 于长丰
doaj  

Piezoelectric ceramic tube silver coating electrode nondestructive cutting device

, 2010
本实用新型涉及采用电加工的方法对压电陶瓷管进行电极分度技术,公开了一种压电陶瓷管银层电极无损分割装置,实现压电陶瓷管的银层电极无损分割的装置,装置包括:压电陶瓷管夹持器,夹持器两侧夹持端成锥形,一端可拆卸,另一端均匀分布4个柱塞,用来固定压电陶瓷管;压电陶瓷管切割器,主要由滑块、弹片、探针组成,探针固定在弹片上,弹片通过垫片固定在滑块上,使探针与滑块绝缘,用来切割压电陶瓷管表面银层电极;底座,主要用来固定压电陶瓷管夹持器和压电陶瓷管切割器 ...
刘柱, 周磊, 于鹏, 董再励, 杨洋   +4 more
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ZnO压敏陶瓷晶界势垒高度和宽度的研究

Dianci bileiqi, 2004
通过测量商用ZnO压敏陶瓷材料的泄漏电流I与绝对温度T,并利用场助热激发电流的表达式计算了势垒高度（活化能）,发现它低于平衡状态时的势垒高度。在深入分析在电场作用下晶界区域中电子传导过程的基础上,认为这是在电导过程中通过正偏势垒向晶界界面层中注入了大量电子,这些电子不仅填充了在平衡状态下尚未填充的电子陷阱（即表面态）,而且还会在界面层形成自由电子空间电荷,这些自由电子在越过反偏Schottky势垒时需要克服的就不是平衡状态时的势垒高度,显然应低于平衡状态时的势垒高度 ...
李盛涛, 邹晨, 刘辅宜
doaj  

比色测温在陶瓷生产中的应用研究

, 2012
针对陶瓷制品烧结过程中的在线温度检
关云天, 吴国俊, 陶伟
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掺杂纳米级Bi₂O₃对ZnO压敏陶瓷性能的影响

Dianci bileiqi, 2009
从样品制备,烧结过程,纳米级Bi2O3添加量及电性能测试等方面介绍了掺杂纳米级Bi2O3对生产高热容量、大通流能量ZnO压敏电阻片性能的影响。试验结果表明:采用纳米级Bi2O3（x（Bi2O3）≥0.61%）代替普通Bi2O3,提高了老化及工频耐受性能,使烧成温度降低到1075℃,同时还降低了生产成本;并使电阻片的其它电气性能有所提高或保持原有的水平。
韩伟, 王建文, 张耀平, 孟梅, 何欣   +4 more
doaj  

球形陶瓷不热震临界尺寸的确定

, 2013
由热弹性理论,得到了球形陶瓷热冲击过程中表面最大应力的方程。通过与水淬后球形陶瓷的开裂现象比较,发现该方程可以非常有效地预测球形陶瓷的热冲击开裂。结果表明,一旦陶瓷球体小于某一临界尺寸 ...
邵颖峰, 宋凡
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陶瓷隔膜及其制备方法

, 2015
本发明提供了一种陶瓷隔膜，包括：基层；复合于基层表面的第一陶瓷层；所述第一陶瓷层由可脱嵌锂离子的化合物组成。本发明采用可脱嵌锂离子的化合物组成陶瓷层，一方面可以降低隔膜的热收缩性，从而有效的减少锂离子电池内部短路，防止因电池内部短路而引起的电池热失控。另一方面由于离子电导率比较高，电池的倍率性能得到很大提高 ...
夏永高, 石俊黎, 刘兆平
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