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Dianci bileiqi, 2007 根据不同有机原料的理化性能、主要用途,并结合实际生产应用认为,合理选择有机原料及使用量,对制备ZnO与添加剂料浆成分的均匀性,喷雾造粒粉料的物理性状及坯体成型的均一性都有较大的影响,从而影响耐受冲击能量及其稳定性。得出:结合剂一般选用高醇解度的聚乙烯醇（PVA）,加入量以0.5%～0.8%为宜,且尽可能减少PVA的添加量;分散剂应选择具有润滑性的分散剂,这对制造较大直径的电阻片是很有利的;消泡剂应选择易于在溶液表面铺展的消泡剂,如磷酸三丁酯;纯水电阻率不应小于1 MΩ·cm（25℃）。
王振林
doaj
, 1997 一种陶瓷高温密封粘接方法是采用重量比为K2O：0.1～0.3；Na2O：0.1～0.3；PbO2：0.2～0.5；CaO：0.2～0.5；Al2O3：0.2～0.5；SiO2：2.0～2.3的配比进行调制的釉，在温度800～1300℃下，含氧为4～25％的气氛下焙烧使陶瓷、多孔陶瓷或组合间进行粘接。该方法可实现致密陶瓷、多孔陶瓷或致密陶瓷与多孔陶瓷间的密封粘接，其粘接处密封性能好，可耐高温，耐化学腐蚀 ...
付桂芝, 刘朝普, 吴迪镛
core
Dianci bileiqi, 2007 （接《电瓷避雷器》2007年第3期第46页）2分散剂分散剂是一种表面活性剂,为了便于理解分散剂的作用原理,首先介绍有关表面活性剂的理化性能,然后介绍适合于氧化锌浆料制备的表面活性剂,包括分散剂、消泡剂等。
王振林
doaj
Dianci bileiqi, 2019 为了减少ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率,将不同配方的高阻釉施涂在电阻片的侧面,研究不同的高阻釉对于电阻片电性能的影响。结果表明:在电阻片的侧面施涂绝缘能力和膨胀系数匹配性均达到要求的高阻层,能够使电阻片的缺陷减少,均匀性提高,从而使电阻片的电性能提高,降低了ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率。
厍海波 +5 more
doaj
, 2016 本发明公开了一种陶瓷闪烁体阵列，包括多个陶瓷闪烁体基元，所述多个陶瓷闪烁体基元呈阵列结构排列；每个所述陶瓷闪烁体基元的出光面表面粗糙。本发明的陶瓷闪烁体阵列的出光面具有较高的光出射效率，因此，光子探测设备接收到的光信号更强，有利于提高最终的成像质量；且光出射效率的提高可以降低探测器后端信号接收及处理的难度，降低了探测器匹配设备的制造成本。同时，本发明还提供了一种陶瓷闪烁体阵列的制备方法，该方法将陶瓷闪烁体基元的出光面表面进行粗化处理 ...
江浩川 +4 more
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, 2021 本实用新型公开了一种具有蜂窝陶瓷结构的催化装置，包括管体，所述管体内部形成有流通腔室，所述流通腔室内按照流体移动的方向依次设置有第一蜂窝陶瓷柱、控流机构和第二蜂窝陶瓷柱；所述控流机构包括依次设置在所述管体内的第一压板、第二压板和第三压板，所述第一压板、所述第二压板和所述第三压板表面均分布有贯穿孔；其中，在所述第二压板和所述第三压板不受外力作用的初始状态下，所述第一压板、所述第二压板和所述第三压板贴合密封所述管体。本实用新型在蜂窝陶瓷柱之间设置控流机构，废气需要挤压多个相互贴合的压板才能从管体内流出 ...
康润宁 +5 more
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, 2015 本发明提供了一种陶瓷复合隔膜，包括：聚合物层及复合在所述聚合物层上的陶瓷层，所述陶瓷层和聚合物层的结合面为具有凹凸结构的粗糙表面，所述陶瓷层包括快离子导体。该隔膜包括陶瓷层和聚合物层，并在陶瓷层和聚合物层之间具有凸凹结构的粗糙表面，可以提高陶瓷层和聚烯烃隔膜层之间的结合力，进而提高隔膜的稳定性和使用寿命。该类隔膜的陶瓷层中包括快离子导体材料，可有效提高隔膜的离子传导能力，进而提高电池在大倍率情况下的容量。另外，该类隔膜还具有较高的耐热性，有利于电池的电化学性能和安全性改善 ...
夏永高, 石俊黎, 刘兆平
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, 2008 本实用新型主要涉及电真空领域，在真空情况下的电功率馈人器件。所述的陶瓷－金属封接的高压真空穿墙件，包括有内导体（７），其两端为电缆接线端，外部设有内陶瓷绝缘套（６），其主要特点在于：在内陶瓷绝缘套（６）的外部设有相固连的外导体大环（４）和外导体小环（５），在外导体大环（４）与接地导体（２）之间设有外陶瓷绝缘环（３），真空法兰（１）设于接地导体（２）的外环，并与之相连接。本实用新型的有益效果是：其耐压性能增强，整个陶瓷－金属封接的高压真空穿墙件的真空漏率好于１×１０↑［－１０］Ｐａ·ｌ／ｓ；电感值实测为０．
张小奇、张军辉、马力祯、韩少斐
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, 2011 采用有限元软件AnSyS对叠堆式压电陶瓷以及放大机构性能特性进行分析,研究了叠堆式压电陶瓷0~200V电压下的伸长特性;建立了放大机构的参数化模型,重点分析了放大机构位移输出特性,讨论了影响输出位移大小的各个结构参数。研究表明,三角块长度l0和压电陶瓷间距T对放大机构输出位移影响较大,是放大机构的主要参数 ...
陶巍, 杜江
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Dianci bileiqi氧化锌（ZnO）压敏陶瓷是金属氧化物避雷器的核心元件。ZnO电阻片的残压比、电位梯度、漏电流等性能参数与避雷器的保护性、可靠性、轻便性有着直接关联。通过调控ZnO电阻片在烧结降温过程中900 ℃ — 400 ℃温度区间内的降温速率，实现了残压比、电位梯度和漏电流的协同优化。通过宽带介电温谱，发现本征点缺陷浓度随降温速率增加而增大，锌填隙缺陷浓度的增加相较于氧空位缺陷浓度的增加更为显著。通过解耦残压比和电位梯度的影响因素，发现ZnO电阻片残压比的变化主要受降温速率影响 ...
厍海波 +9 more
doaj