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本发明提供了一种溶解ZrB2陶瓷材料的方法。该方法将ZrB2陶瓷材料作为阳极,惰性电极或者耐电解液腐蚀电极作为阴极,电解液选用氢氟酸溶液,进行通电电解,ZrB2陶瓷材料在电解过程中失去电子成为离子形态进入电解液,实现了溶解该ZrB2陶瓷材料的目的。该方法简单易行、安全可控,可用于ZrB2陶瓷材料的回收再利用,或者当ZrB2陶瓷材料作为基体包覆材料等时还以用于实现与基体分离的目的 ...
黄庆 +5 more
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[[abstract]]本次實驗主要對於高溫爐與高週波加熱設備兩種不同的加熱方式對鋯鈦酸鉛薄膜微結構與電性特性的影響進行探討。 實驗過程中以溶膠-凝膠法製備鋯鈦酸鉛(PZT)溶膠凝膠,再以旋鍍法(spin coating) 將溶膠塗佈於鋁基材上,塗佈完成後的薄膜再分別以高溫爐與高週波加熱設備兩種不同加熱方式進行熱處理(加熱、退火與鍛煉),熱處理後的薄膜接著進行電暈極化處理,鋯鈦酸鉛薄膜便製作完成。製成的陶瓷薄膜接著進行特性量測,首先利用X光繞射分析儀(XRD)進行晶相分析,以及利用電子顯微鏡(SEM)
鍾元瑜, 劉明昌
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本发明提供了一种碳化硅陶瓷材料的连接方法。该方法在一块碳化硅陶瓷材料的待连接位置加工一内凹的螺纹孔;将另一块碳化硅陶瓷材料的待连接位置加工成一外凸带螺纹的螺栓形状,在螺纹表面沉积中间连接层,沉积后的螺纹与所述螺纹孔相螺合;该中间连接层为层叠结构,包括至少两层钛层,并且相邻的钛层之间为碳层;利用螺纹孔与螺栓之间的机械配合将待连接的碳化硅陶瓷材料连接在一起;并且通过外部热源加热使连接界面生化学扩散作用 ...
黄庆 +5 more
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本发明提供了一种具有高耐腐蚀性的碳化硅陶瓷连接材料,该连接材料为厚度小于1微米的钛膜,将该连接材料夹置在待连接碳化硅陶瓷材料之间,通过外部热源加热连接界面至连接温度1000℃以上将待连接的SiC材料连接在一起 ...
黄庆 +4 more
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本发明涉及一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法,所采用的镀膜机包括真空室、磁控溅射源、线性离子源和兼具公转和自转的工件托架,工件托架安装在真空室内部,其特征在于:包括如下步骤:(1)将陶瓷阀芯在酒精、丙酮溶液中进行超声清洗,干燥后,悬挂固定于工件托架上,使磁控溅射源与线性离子源环绕在陶瓷阀芯周围;(2) 在磁控溅射源上安装由过渡金属制成的金属靶,对陶瓷阀芯进行离子轰击;(3)开启磁控溅射源电源,对陶瓷阀芯进行第一层薄膜沉积;(4)启动线性离子源,对陶瓷阀芯进行第二层薄膜沉积;(5 ...
吴国松 +4 more
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烧成制度对BaTiO3质PTC陶瓷的介电性能有重要影响,详细讨论了烧成温度、保温时间、冷却速度以及烧结气氛等因素对BaTiO3质陶瓷室温电阻和PTC效应的影响,并对其影响机制给出了合理解释。研究结果表明,陶瓷的半导化与烧成温度密切相关,适当保温对传质有很大影响 ...
沈毅, 胡林彦, 张庆军, 莫文玲
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利用二次离子质谱(SIMS)并结合X-射线衍射分析(XRD)研究了AlN陶瓷基板在850-1100℃空气中退火时的初始氧化行为。结果表明, 未退火AlN陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在退火10min的条件下, 随着退火温度的增加, 富氧层迅速增厚。在1100℃退火20min的条件下, AlN陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成。最后, 结合化学热力学 ...
陈春华, 王佑祥, 岳瑞峰
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Shock calibration of piezoresistive high-g_n microaccelerometer
采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000 g_n。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000 g_n的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下,被测微加速度计的灵敏度为1.26 μV ...
陆德仁 +4 more
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利用熔盐热歧化反应法成功地进行了氮化铝陶瓷表面钛金属化。利用正交实验法就反应温度、反应时间、K2TiF6浓度3个因素对制备工艺进行探讨,研究各工艺参数对金属化膜厚度的影响。利用XRD、SEM对金属化膜的组成和陶瓷与金属化膜之间的界面进行了分析和观察,并对利用该法进行氮化铝陶瓷表面金属化的反应机理进行了初步探讨。国家自然科学基金资助项目,批准号 ...
胡忠, 黄奇良, 潘伟
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本发明公开一种耐高温金属陶瓷太阳光谱选择性吸收涂层,自基底向外依次包括合金红外反射层、金属陶瓷吸收层和陶瓷减反层;合金红外反射层由WAl或WTi合金薄膜组成;金属陶瓷吸收层由双层复合的WAl-Al2O3或WTi-Al2O3金属陶瓷薄膜组成,自合金红外反射层向外依次为高金属体积分数金属陶瓷薄膜和低金属体积分数金属陶瓷薄膜;陶瓷减反层由Al2O3陶瓷薄膜或Al2O3叠加SiO2双陶瓷薄膜组成。本发明还公开了本发明涂层的制备方法。本发明的涂层发射率低(~10%@500℃)、吸收率高(>92 ...
高俊华 +3 more
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