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Dianci bileiqi, 2019 为了减少ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率,将不同配方的高阻釉施涂在电阻片的侧面,研究不同的高阻釉对于电阻片电性能的影响。结果表明:在电阻片的侧面施涂绝缘能力和膨胀系数匹配性均达到要求的高阻层,能够使电阻片的缺陷减少,均匀性提高,从而使电阻片的电性能提高,降低了ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率。
厍海波 +5 more
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Dianci bileiqi, 2012 利用煤气隧道窑炉进行了烧成ZnO电阻片的试验,对比分析了煤气隧道窑炉和推板式电加热窑炉烧结对ZnO电阻片性能的影响。通过调整煤气隧道窑炉烧结曲线对ZnO电阻片各项性能的参数,得出:煤气隧道窑炉的烧结气氛基本适合ZnO电阻片的烧结,不仅保证ZnO电阻片2ms方波、4/10大电流冲击、8/20冲击残压和老化性能等参数,而且成本仅是电热元件窑炉电耗成本的1/5。
傅鹏立, 黄海
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Dianci bileiqi, 2003 ZnO电阻片的电位梯度以单位厚度的压敏电压U1mA/mm来评价,目前传统生产的ZnO电阻片的电位梯度约为200V/mm左右,介绍了采用新配方、新工艺来提高ZnO电阻片的电位梯度,使电阻片的电位梯度提高到290V/mm以上,并使电阻片的其它电气性能有所提高或保持原有的较好水平,通过大量的配方试验和制作工艺的优化选择,已获得比较理想的实验结果。
姚政, 翟维琴
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Dianci bileiqi, 1996 小尺寸、大通流ＺｎＯ电阻片是一种流行趋势。本文采用优化电阻片配方及工艺，增涂低温玻璃釉的方法，有效地提高了ＺｎＯ电阻片耐受大电流冲击的能力。
陈光正, 毛华新
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Dianci bileiqi, 2006 ZnO电阻片电气性能的提高对金属氧化物避雷器的运行可靠性起着重要的作用。采用振动磨加搅拌球磨及行星高能球磨工艺后,ZnO电阻片的烧成体积密度提高了0.97%,梯度提高了约30V/mm,U5kV/U1mA降低了0.1左右,600A/2ms方波全部通过。采用药膜04作为粘结剂,优化了成型粒料匹配,流动性提高了39s,坯体的微观结构均匀,ZnO电阻片方波通过率有所提高。应用纳米材料于有机绝缘层中,D5ZnO电阻片的筛选合格率从92.3%提高到98.5%,D6ZnO电阻片的筛选合格率从91.2%提高到98.3%,
姚政 +4 more
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Dianci bileiqi, 2010 研究添加不同的减缓老化作用的元素及化合物,以改善ZnO压敏电阻片长期带电的老化特性。经过添加GF-06银玻璃、氧化硼、PM-10硼玻璃等不同形态的材料,在同样的ZnO压敏电阻的制作工艺下进行混合、造粒、成形、烧成形成直径为53 mm的电阻片,测试了小电流特性、大电流特性及115℃下1 000 h的加速老化试验。试验结果表明,微量的Ag2O玻璃和B2O3玻璃有利于提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻片的老化寿命;同时B2O3还有助于改善ZnO电阻片的大电流下的非线性。
王玉平, 彭敏, 徐素萍, 王李瑛
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Dianci bileiqi, 2022 为了模拟计算ZnO电阻片在避雷器组限制过电压过程中吸收的能量,笔者针对所选取的电阻片进行冲击电流试验;绘制了在不同电流波形下的静态伏安特性曲线,描述了其与电阻片实际伏安特性的关系,并统计了同批次电阻片伏安特性分布规律;通过曲线拟合的方式建立伏安特性方程进行吸收能量的模拟计算。结果显示,在耐受冲击电流的过程中,电流波形波头时间对电阻片吸收能量计算等效性影响最大,波头时间越长,电阻片所表现出的伏安特性越接近试验绘制的静态伏安特性曲线,即通过静态伏安特性曲线进行能量模拟计算等效性越好。
刘志远 +6 more
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Dianci bileiqi, 2015 针对ZnO压敏电阻多片并联时能量吸收的问题,基于全能量分析法,通过改变ZnO压敏电阻的并联片数及压敏电压的大小,对多片并联的ZnO压敏电阻进行8/20μs波形冲击试验,可以得出以下结论:多片压敏电阻并联时,各片压敏电阻的吸收能量随着冲击电压的上升而呈现线性增长的趋势,且压敏电阻相互间的压敏电压越接近,吸收能量越均匀,该现象可以由空穴诱导隧道击穿理论解释;能量吸收比随着冲击电压的增加呈现出线性递减的趋势,从能量释放角度证明了多片并联的压敏电阻可以有效保护后级设备,对实际应用具有一定的参考价值意义。
李祥超 +5 more
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Dianci bileiqi避雷器用ZnO电阻片在运行中难免出现老化，这将导致电阻片电稳定性下降，影响电力系统稳定运行周期。对于ZnO电阻片老化机理以及如何提高ZnO电阻片长期运行的电稳定性成为研究热点。本次研究通过分析显微结构、物相组成、介电频谱以及电气性能探讨渗Bi热处理工艺对ZnO电阻片电稳定性的影响，构建微观本征点缺陷结构与宏观电稳定性之间的关联关系。实验结果表明渗Bi热处理工艺可以使Bi2O3相以及尖晶石相发生转变，改变氧离子的传导率，进而造成氧空位Vo•在耗尽层中的变化，这也使得渗Bi热处理电阻片晶界势垒高度ΦB达到0.
王鑫 +6 more
doaj +2 more sources
Dianci bileiqi, 2006 针对镨系ZnO电阻片磨片前后非线性性能的变化,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及X射线能谱仪对电阻片表面和本体进行分析。结果表明:镨系ZnO电阻片表面层与本体从组分、物相以及微观结构方面均有较大差异,表面层ZnO晶粒尺寸较小,为（2.0～3.1）μm,大小比较均匀,并且在晶界存在约0.7μm的富Pr相,有利于非线性的形成;而本体内的晶粒尺寸较大,为（3.0～4.8）μm,晶界几乎无杂相。磨片后ZnO电阻片表面成分的磨损是导致其非线性性能变差的主要原因。
贺西民, 刘炜
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