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Dianci bileiqi氧化锌（ZnO）压敏陶瓷是金属氧化物避雷器的核心元件。ZnO电阻片的残压比、电位梯度、漏电流等性能参数与避雷器的保护性、可靠性、轻便性有着直接关联。通过调控ZnO电阻片在烧结降温过程中900 ℃ — 400 ℃温度区间内的降温速率，实现了残压比、电位梯度和漏电流的协同优化。通过宽带介电温谱，发现本征点缺陷浓度随降温速率增加而增大，锌填隙缺陷浓度的增加相较于氧空位缺陷浓度的增加更为显著。通过解耦残压比和电位梯度的影响因素，发现ZnO电阻片残压比的变化主要受降温速率影响 ...
厍海波 +9 more
doaj +2 more sources
[Microfluidic strategies for separation and analysis of circulating exosomes]. [PDF]
Se Pu, 2021 Chen W, Gan Z, Qin J.
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, 2017 本发明涉及一种高精度在线动态连续可调输出电源。包括：微处理器，连接模拟采集芯片和数字电位计，用于接收来自模拟采集芯片采集到的电压值，解算出电源芯片的当前电压设置管脚电阻值，通过自身SPI接口配置数字电位计；数字电位计，输出端连接运算放大器和电源芯片，用于在微处理器的配置下，改变电源芯片的电压调整管脚的电阻值；运算放大器，输出端连接模拟采集芯片，用于采集电源芯片的电压设置管脚电阻值所对应的电压值，实现电阻设置的实时监测；模拟采集芯片，用于实时采集数字电位计的输出电阻转换出的电压值 ...
杨帆, 曹云侠, 刘晓源, 罗勇
core
Dianci bileiqi, 2007 研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%～0.8%（摩尔分数）的氧化钇（Y2O3）,其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%（摩尔分数）时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相（Zn-Sb-Y-O）和含铋相（Bi-Sb-O ...
黄彩清, 肖汉宁, 洪秀成, 成茵
doaj
Dianci bileiqi, 2022 为满足特高压直流工程需求，避雷器用ZnO电阻片配方及工艺均得到较大调整，表现出与前期不同的老化特性。研究发现，随着老化时间增长，功耗曲线逐渐降低后趋于稳定。通过对比老化前后的两个电气参数(参考电压和冲击残压)后发现，电阻片正方向参考电压增大，反方向降低，严重时变化率可超过5%;正反向残压均增大。根据双Schottky势垒模型分析老化机理认为，非稳态离子锌填隙和晶界氧离子在直流电场下的定向迁移导致势垒畸变，荷电率越高畸变越严重，使得宏观电气性能出现上述变化。依据现行标准此类电阻片能够通过加速老化试验 ...
赵霞 +5 more
doaj
[Applications of functional materials-based solid phase microextraction technique in forensic science]. [PDF]
Se Pu, 2023 Xie WY +8 more
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, 2011 本发明公开了一种直流氧化锌电阻片的制备方法，该方法将排胶后的电阻片生坯置于具有双层垫料的耐高温陶瓷板上，然后将耐高温陶瓷坩埚扣盖在陶瓷板上，使生坯密封在陶瓷板与陶瓷坩埚围成的空间进行一次烧结，通过对垫料组成物的设计使电阻片在高温时处于高铋含量的气氛中，有效地抑制了氧化铋的挥发。与现有技术相比，本发明采用一次烧结工艺，省去了直流涂布和直流扩散工艺，解决了直流扩散工艺使氧化铋二次烧结，导致晶界粗化，漏电流增大，影响氧化锌电阻片耐老化性的问题，是一种低成本、高效率 ...
崔平, 段雷, 许高杰
core
Dianci bileiqi, 2004 通过对化学合成法进行改进以适应ZnO压敏电阻片复合添加剂制备的需要,针对化学合成法的不足,提出了解决技术籽晶分布包膜技术,通过控制籽晶、沉淀剂、分散剂、pH值、化学反应进程和温度等因素,获得离子级均匀混合的ZnO压敏电阻片复合添加剂复合粉体前驱体,为进一步获得高性能ZnO压敏电阻片打下了坚实的基础。
王玉平, 李盛涛
doaj
, 1998 本文采用化学共沉淀法制备了颗粒细、活性好的ZnO压敏电阻粉体，表征了粉体的性能．利用共沉淀粉体制备了α＝50、压敏电压高、通流能力大的压敏电阻．与传统氧化物机械混合粉体制得的压敏电阻比较 ...
凌远兵 +3 more
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, 2021 针对引力波探测空间天线激光干涉仪对四象限光电探测器提出的低噪声、高灵敏度、高带宽的要求,设计了一种四象限光电探测器芯片与读出电路混合集成的低噪声光电探测器。四象限光电探测器芯片采用四个性能一致的双耗尽区InGaAs PIN光电二极管单片集成结构,以降低二极管电容,减小象限间隔,提高灵敏度。通过PSPICE软件对由探测器芯片、低噪声跨阻放大读出电路构成的探测器模块进行了仿真,优化了电路参数,计算出相应的增益、带宽、噪声功率密度。性能测试表明,研制的集成式探测器模的-3dB带宽为28.3MHz ...
余沛玥 +5 more
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