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Dianci bileiqi, 2016 ZnO压敏电阻连接在电路中工作时,两端一直承受交流负载电压的老化,为探究在多脉冲情况下,交流负载电压对ZnO压敏电阻的性能影响,采用幅值为20 k A、时间间隔为50 ms的8/20μs同时序冲击高压多脉冲对并联氧化锌压敏电阻元件进行冲击的同时施加幅值为385 V的工频交流电压模拟压敏电阻实际安装在电路上的真实工作环境。经过施加交流负载和不加交流负载的两组试验对比分析,得出结论:交流负载施加与否对初始压敏电压相同的两片压敏电阻并联的耐受多脉冲冲击次数没有影响,但会导致压敏电阻损坏效果不同;施加交流负载时,
肖扬 +4 more
doaj
[Research progress in application of metal-organic framework-derived materials to sample pretreatment]. [PDF]
Se Pu, 2021 Zhang W +5 more
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, 2009 设计了一种用于驱动电路和模数转换器的片上电流源,该结构利用带隙基准的方法产生了一个与温度无关的参考电平,同时为了满足高电源抑制的要求,电流源中采用了运算放大器的负反馈环路来抑制电源到输出的增益,从而使输出电平与电源电压无关,然后通过电阻把电压转化为电流.该电路在0.35,μm、3.3 V的工艺下实现,芯片面积为0.03 mm~2.仿真和测试结果表明,该电流源的温度系数为8.7×10~(-6)/℃,在2.6～4 V的电源电压下均能正常工作 ...
朱从义, 张耀辉, 石寅
core
[Recent advance of new sample preparation materials in the analysis and detection of environmental pollutants]. [PDF]
Se Pu, 2021 Feng J +8 more
europepmc +1 more source
Dianci bileiqi, 2010 分析了冲击电流对ZnO电阻片的老化影响。通过试验研究放电电流的幅值大小、波形、放电次数以及环境温度四个因素对老化的影响,并推导基本规律;结合标准对非线性金属氧化物电阻片性能要求的规定,提出能够一定程度上反映ZnO电阻片剩余寿命的参数,给带间隙线路避雷器提供了一种新的在线监测方法。相关的产品已经研发出来,现场应用效果良好。
陈荣, 周文俊, 王保山
doaj
Gaoya dianqi, 2001 本文依据国内外有关的模拟试验和计算研究成果 ,结合生产实际 ,分析了影响ZnO电阻片能量吸收能力的各种因素 ,介绍了几种提高ZnO电阻片能量吸收能力行之有效的方法。
郭洁
doaj
, 2017 本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少 ...
李俊 +9 more
core
Dianci bileiqi, 2006 为了进一步提高ZnO压敏电阻片的电位梯度和能量耐受能力,研究了添加剂复合粉体的颗粒度、烧结温度和保温时间对电阻片电位梯度和能量耐受能力的影响。采用细度为（0.4～0.6）μm的添加剂,在1 120℃保温5h,φ56mm的电阻片电位梯度可达（3.2～3.5）kV/cm;在传统添加剂细度的基础上,烧结温度为1 200℃,保温5h可获得梯度为（1.7～1.8）kV/cm,方波为800A的大容量电阻片。从传统电位梯度和高梯度电阻片显微结构分析中得出,晶粒细小化是提高电位梯度的重要途径。尖晶石是晶粒生长的钉扎中心,
王玉平
doaj
, 2015 本发明公开了一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法，步骤1、在衬底表面形成导电薄膜作为第一电极；步骤2、在步骤1获得的第一电极表面制备氩等离子体轰击处理的ZnO薄膜作为中间层；步骤3、在步骤2获得的中间层表面制备导电薄膜作为第二电极；步骤4、在步骤3获得的结构基础上制备隔离的器件，得到所述的电阻型随机存储器的存储单元。本发明提供一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法，对作为中间介质层的ZnO薄膜进行氩等离子轰击处理，大幅改善了ZnO薄膜表面的平整度 ...
曹鸿涛, 诸葛飞, 伏兵
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, 2009 在接近氢氟酸实际应用浓度条件下,利用交流阻抗技术研究了硅片表面金属微观污染行为,在氢氟酸溶液中分别加入0.5和1μg/g的铜、铁、镍、钙四种金属离子,获得了硅片在单金属溶液中的特征交流阻抗谱,并在此基础上研究了三种金属及四种金属共存时的特征交流阻抗谱,通过等效电路的拟合估算了硅/氢氟酸界面电化学反应的动力学参数,并结合扫描电镜形貌图探讨了不同类型的单金属和多金属对硅电化学行为的影响.结果表明,多金属微观污染是各种单金属协同作用的结果,铜在硅片上发生电化学沉积,直接导致硅片表面粗糙化 ...
吕京美, 程璇, 刘海帆
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