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Dianci bileiqi, 2022 作为重要的过电压防护元件,ZnO压敏电阻片的性能也需要不断提高。对ZnO压敏电阻片制备工艺中聚乙烯醇(PVA)的影响进行了研究。通过对比不同PVA种类及含量对造粒的影响后发现,选用的PVA聚合度越高,烧结陶瓷的晶粒尺寸就越小;PVA的添加量越多,晶粒尺寸也越小;其次PVA的聚合度会影响到压敏陶瓷的晶界电阻和击穿场强,它们之间成正相关的趋势,但是过量添加PVA会导致其晶界电阻活化能减小,压敏特性降低,导致泄漏电流密度增大;采用低聚合度的PVA会改善电气性能,即提升其压敏特性并降低泄漏电流密度;造粒过程中 ...
张兆华 +9 more
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Dianci bileiqi, 2005 通过掺杂氧化镍、氧化钇,对改善ZnO压敏电阻片电气特性进行了系统研究;分析和讨论了电阻片的电位梯度E、泄漏电流IL、压比Ki、方波、大电流冲击所引起的变化以及老化试验等;掺杂后,不仅提高了电阻片的电位梯度,同时还提高了其能量吸收能力;特别是钇掺杂处于晶界上,抑制晶粒长大,使晶界电压降低,大约为2.2V,是传统电阻片晶界电压的70%。研究获得了电位梯度达260V/mm,方波为800A,能量吸收能力达到300J/cm3的直径为56mm、厚度为9mm的ZnO压敏电阻片。
王玉平, 马军
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Dianci bileiqi, 2021 研究了不同掺杂含量的Gd2O3对氧化锌（ZnO）压敏电阻片的电气性能、微观特性、物相特性和介电特性的影响。研究表明,掺杂Gd2O3对ZnO敏电阻片的电气性能具有重要影响,掺杂过量的Gd2O3对ZnO敏电阻片的晶粒生长具有抑制作用,锌填隙浓度提升,具体表现在电位梯度、泄漏电流提升而非线性系数大大减小。而掺杂少量的Gd2O3提升氧空位浓度,减小锌填隙浓度,进而抑制泄漏电流。此时掺杂量在0.5%（摩尔分数）Gd2O3电气参数分别为526 V/mm、15μA/cm2、非线性系数28 ...
赵霞 +6 more
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Dianci bileiqi, 2007 掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%（摩尔分数）Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%（摩尔分数）Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。
王玉平, 马军
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Dianci bileiqi, 1996 发现并研究了电极半径ｒ与瓷体半径Ｒ之比ｒ／Ｒ对ＺｎＯ压敏电阻片耐受２ｍｓ方波电流冲击能力的作用规律．利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络，实验模拟了ｒ／Ｒ对电极边缘电流密度分布的作用规律，研究结果表明增大ｒ／Ｒ能使电流密度均匀化，因而能增强ＺｎＯ压敏电阻片的通流能力。
李盛涛, 刘辅宜, 李博
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Dianci bileiqiZnO电阻片冲击电流耐受特性是衡量其稳定性与可靠性的重要因素之一，其冲击老化状态评估判据尤为重要。因此，本研究通过开展ZnO电阻片冲击老化试验，对比分析了ZnO电阻片在冲击老化过程中交/直流伏安特性的相关性和差异性。试验结果表明，采用峰-峰值绘制的交流u-iR特性曲线和正向直流V-I特性曲线两者在阻性电流峰值（直流电流）1mA附近区域较为接近，两者之间的差异在1%左右；且ZnO电阻片直流参考电压U1mA变化约5%时，交流参考电压u1mA变化率约为3%。因此 ...
韩永霞 +6 more
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Dianci bileiqi, 2006 研究了氧化锌非线性电阻片侧面用无机高阻层在4/10大电流冲击和2ms方波电流冲击作用下的破坏机理。认为影响电阻片耐受大电流冲击能力的关键之一是无机高阻层本身的绝缘强度,之二是无机高阻层和电阻片之间膨胀系数的配合问题,并通过试验指出,侧面绝缘层的膨胀系数应比ZnO陶瓷小0.5×10-6/℃～1.5×10-6/℃。影响电阻片耐受方波电流冲击能力的关键是无机高阻层和电阻片本体反应后所形成的中间层的稳定性。研制的无机高阻层可满足φ32mm×35mm、梯度为240V/mm的电阻片65kA大电流冲击的要求 ...
高奇峰 +3 more
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Dianci bileiqi, 2021 为改善ZnO电阻片综合电气性能,尝试一种马来酸酐及聚氧丙烯烷基醚作为结构单元的共聚物做分散剂,考察了其对料浆分散性、压敏电阻显微结构与综合电气性能的影响。结果表明:分散剂用量为0.4 wt%时,总浆料的粘度较小,Zeta电位绝对值最高,得到的氧化锌瓷体的针孔率最小,ZnO高梯度氧化锌电阻片综合性能最佳,其电位梯度为336 V/mm,漏电流1μA,非线性系数达到55.9,压比为1.667,2 ms方波电流测试中能够承受18次300 A脉冲电流的冲击。
阮雪君 +7 more
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电极留边距离对电流冲击下ZnO电阻片通流性能和故障模式的影响
Dianci bileiqi在2 ms方波冲击和4/10 μs大电流冲击下测试了具有不同电极留边距离的ZnO电阻片。结果表明，电极边缘和ZnO电阻片边缘留有一定余量可使冲击下的通流性能表现更稳定、减少分散性，但过多的留边距离则会使承受冲击电流的有限面积减少，留有0.5 mm左右的电极留边距离比较合适。在电流冲击测试过程中，一些ZnO电阻片样品出现故障，包括穿孔、破裂和侧闪。观察发现冲击试验后ZnO电阻片局部微观结构的形态和组成出现变化，被认为是ZnO电阻片劣化或故障的根本原因。
付志瑶, 王博闻, 胡建平, 方针
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Dianci bileiqi, 2007 现生产的ZnO电阻片存在残压高,压比（1.73左右）偏大等缺点,从调整侧面釉高阻层配方入手,在制造工艺基本不变的基础上,减少电阻片侧面釉高阻层配方中Li2CO3的含量,并与生产配方进行了比较。电气性能试验结果表明:1#釉配方性能稳定,ZnO电阻片加速老化性能良好,压比在1.61～1.65,非线性系数在10～13,并通过了2ms方波800A、耐受20次,4/10大电流冲击100kA、耐受2次试验。
郭文杰, 吕宏
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