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本研究着重进行了配方组成、ZnO预处理、电阻片规格尺寸、成型工艺等方面的研究。实践证明,ZnO原料本体的预处理,添加适量的Al3+和采用相应的工艺条件,能降低ZnO晶粒本体电阻,可以改善ZnO电阻片在大电流下的非线性特性,并且根据配方组成,确立了合理的成型制度,提高了性能,在国内达到了较高的水平。
陈廷吉, 何晓明
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研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%~0.8%(摩尔分数)的氧化钇(Y2O3),其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%(摩尔分数)时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相(Zn-Sb-Y-O)和含铋相(Bi-Sb-O ...
黄彩清, 肖汉宁, 洪秀成, 成茵
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为满足特高压直流工程需求,避雷器用ZnO电阻片配方及工艺均得到较大调整,表现出与前期不同的老化特性。研究发现,随着老化时间增长,功耗曲线逐渐降低后趋于稳定。通过对比老化前后的两个电气参数(参考电压和冲击残压)后发现,电阻片正方向参考电压增大,反方向降低,严重时变化率可超过5%;正反向残压均增大。根据双Schottky势垒模型分析老化机理认为,非稳态离子锌填隙和晶界氧离子在直流电场下的定向迁移导致势垒畸变,荷电率越高畸变越严重,使得宏观电气性能出现上述变化。依据现行标准此类电阻片能够通过加速老化试验 ...
赵霞 +5 more
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通过对化学合成法进行改进以适应ZnO压敏电阻片复合添加剂制备的需要,针对化学合成法的不足,提出了解决技术籽晶分布包膜技术,通过控制籽晶、沉淀剂、分散剂、pH值、化学反应进程和温度等因素,获得离子级均匀混合的ZnO压敏电阻片复合添加剂复合粉体前驱体,为进一步获得高性能ZnO压敏电阻片打下了坚实的基础。
王玉平, 李盛涛
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ZnO压敏电阻连接在电路中工作时,两端一直承受交流负载电压的老化,为探究在多脉冲情况下,交流负载电压对ZnO压敏电阻的性能影响,采用幅值为20 k A、时间间隔为50 ms的8/20μs同时序冲击高压多脉冲对并联氧化锌压敏电阻元件进行冲击的同时施加幅值为385 V的工频交流电压模拟压敏电阻实际安装在电路上的真实工作环境。经过施加交流负载和不加交流负载的两组试验对比分析,得出结论:交流负载施加与否对初始压敏电压相同的两片压敏电阻并联的耐受多脉冲冲击次数没有影响,但会导致压敏电阻损坏效果不同;施加交流负载时,
肖扬 +4 more
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分析了冲击电流对ZnO电阻片的老化影响。通过试验研究放电电流的幅值大小、波形、放电次数以及环境温度四个因素对老化的影响,并推导基本规律;结合标准对非线性金属氧化物电阻片性能要求的规定,提出能够一定程度上反映ZnO电阻片剩余寿命的参数,给带间隙线路避雷器提供了一种新的在线监测方法。相关的产品已经研发出来,现场应用效果良好。
陈荣, 周文俊, 王保山
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为了进一步提高ZnO压敏电阻片的电位梯度和能量耐受能力,研究了添加剂复合粉体的颗粒度、烧结温度和保温时间对电阻片电位梯度和能量耐受能力的影响。采用细度为(0.4~0.6)μm的添加剂,在1 120℃保温5h,φ56mm的电阻片电位梯度可达(3.2~3.5)kV/cm;在传统添加剂细度的基础上,烧结温度为1 200℃,保温5h可获得梯度为(1.7~1.8)kV/cm,方波为800A的大容量电阻片。从传统电位梯度和高梯度电阻片显微结构分析中得出,晶粒细小化是提高电位梯度的重要途径。尖晶石是晶粒生长的钉扎中心,
王玉平
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本文依据国内外有关的模拟试验和计算研究成果 ,结合生产实际 ,分析了影响ZnO电阻片能量吸收能力的各种因素 ,介绍了几种提高ZnO电阻片能量吸收能力行之有效的方法。
郭洁
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从冲击老化机理,冲击老化与冲击电流峰值、波形、作用次数以及环境温度因素的相关性等方面,阐述了ZnO电阻片中流过冲击大电流的次数与寿命的关系。通过试验观察ZnO电阻片在冲击作用下的老化情况,测量ZnO电阻片变化率、功率损耗等参数来反应老化程度,分析了不同冲击电流峰值、不同波形及不同温度下的冲击次数对避雷器寿命的影响。并以此总结出一种反映避雷器大电流通过次数与寿命关系的规律,给出了以超过避雷器标称放电电流一定值的大电流通过避雷器的次数,作为避雷器寿命终结的判据。
李怀龙 +8 more
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简要介绍了添加物细磨粒度试验和添加物煅烧与不煅烧的对比试验概况。根据试验结果,讨论分析了二者对ZnO电阻片主要电气性能的影响。指出应尽可能减小添加物二次细磨的粒度,以改善其与ZnO烧结反应的均匀性,从而提高电阻片的性能;而添加物煅烧与否对电阻片电气性能影响各有利弊。最后根据生产实践,建议采用大型高效振磨机细磨添加物,以取代球磨机细磨工艺。
王振林, 葛平安
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