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Dianci bileiqi, 2004 首次提出用"微观网络"的分析方法来研究ZnO压敏陶瓷的相结构和电性能,并对其"微观网络"中的两个节点即烧结温度和热处理温度进行研究,结果显示:随着烧结温度的升高,ZnO压敏陶瓷的压敏电压不断下降,非线性系数则不断提高,至1250℃达到最大值。这主要与晶粒的大小、均匀度以及晶界势垒的高度有关。对于热处理温度,研究结果表明:在600℃下的热处理能大大提高ZnO压敏陶瓷的稳定性。通过对"微观网络"中烧结温度和热处理温度的研究,可以确定较佳的工艺参数。
侯清健, 徐国跃, 赵毅, 唐敏
doaj
The Research and Fabrication of the Si and InP/InG [PDF]
, 2001 金属-半导体-金属(MSM)光电二极管在光电子集成(OEIC)中具有很广泛的前景。这一结构的器件有两个重要的特性。第一：制作工艺简单；第二：属平面结构，所以易于与FET和HEMT集成。同时，它还具有响应速度快的特点,可以用于超高速、大容量的光纤通信中。 本文先从MSM-PD光电二极管的发展状况入手，探讨了该器件的结构特点，基本的光学和电学性质。为了能在厦门大学物理系现有的实验条件下制备出用于光纤通信的MSM-PD光电探测器，探索了以下几个方面的工作： 1.根据光通信的要求和本实验室的现有条件 ...
黄屏
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Si( 100) 表面Se 薄膜生长及其在Ti /Si 欧姆接触中的应用 [PDF]
, 2011 National Basic Research Program of China [2007CB613404]; National Natural Science Foundation of China [61036003, 60837001]; Natural Science Foundation of Fujian Province of China [2008J0221]We have investigated the growth of thin selenium layer on Si ...
Chen Song-Yan +11 more
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Dianci bileiqi, 2009 采用高能球磨的方法制备了ZnO和添加物（MnO,Sb2O3,CoO,Cr2O3,Bi2O3）的前驱超细粉体,采用固相反应烧结技术在1 140℃进行2 h烧结制备出ZnO陶瓷变阻器。用SEM,XRD研究了不同退火温度对ZnO压敏陶瓷的显微形貌、相结构,伏安非线性特性和微观电性能的影响。从阻抗分析,激活能和介电损耗与频谱关系分析证明了600～800℃热处理时晶界由于β-Bi2O3向γ-Bi2O3的相变引起的体积膨胀而变宽,导致晶界电子陷阱浓度降低,从而使得势垒高度下降,漏电流增加。
姚政 +4 more
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Schottky Barrier S /D Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with Ge /SiGe Heterostructure [PDF]
, 2014 制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅SI基gE/SIgE异质结构肖特基源漏场效应晶体管(Sb-MOSfET)器件,研究了n型掺杂SI0.16gE0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SIgE层降低器件关态电流的机理。使用uHV CVd沉积系统,采用低温gE缓冲层技术进行了材料生长,首先在SI衬底上外延gE缓冲层,随后生长32 nM SI0.16gE0.84和12 nM gE,并生长1 nM SI作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积nI薄膜并退火形成nIgE/
刘冠洲 +6 more
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锂离子电池正极材料Li2FeO2的电子结构性质和Li扩散 [PDF]
, 2019 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了锂离子电池正极材料Immm-Li2FeO2的声子谱、电子结构性质和Li扩散系数并与Li2MO2 （M=Co, Ni, Cu）材料进行对比.计算结果显示, Immm-Li2FeO2材料具有结构稳定性,计算结果呈铁磁性,能带结构具有半金属的特征. Fe离子外层d电子呈低自旋态,自旋极化P=8.01%.利用分波态密度分析了自旋向上和自旋向下的电子能带结构.此外,采用微动弹性带方法计算了各个方向上Li扩散的势垒,结果表明Li离子比较容易先进行c轴方向的迁移,迁移势垒为0.
朱梓忠, 林传金, 郑锋
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Dianci bileiqi, 2018 采用共沉淀法制备氧化锌压敏陶瓷,研究了不同沉淀剂类型对氧化锌压敏陶瓷电气性能的影响。研究结果表明:氢氧化钠和乙醇胺沉淀剂对氧化锌压敏陶瓷的电位梯度、漏电电流、压敏电压、非线性系数、势垒高度影响较大,不同的沉淀剂类型出现了相反的实验结果。另外,通过测试氧化锌压敏陶瓷的介电温谱,发现沉淀剂的类型对氧化锌压敏陶瓷弛豫峰的削弱不尽相同,将缺陷类型与氧化锌压敏陶瓷的宏观参数联系起来。
庄葛巍, 张静月, 申娟, 余宇红
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Structural design and performance analysis on cantilever beam micromachined tunneling gyroscope [PDF]
, 2005 介绍了电子隧道效应在微机械陀螺仪中的应用,根据电子隧道效应的特点与要求提出了隧道陀螺仪的结构方案,利用ANSYS进行系统模态分析、静电-结构的耦合场分析及系统的性能分析。讨论了系统的机械灵敏度及隧道电流与隧道电极间隙的关系。Application of electron tunneling effect in micromachined gyroscope is described.According to the prerequisite and characteristic of tunneling
孙道恒, 李文望
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The Study on Multiple Quantum Well of TensileStrained InGaAs/InP Grown by LP-MOCVD [PDF]
, 1995 首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算，然后利用lP-MOCVd研究了IngAAS/InP组份的控制及生长条件，最后生长伸张应变为0.5%的四个量子阱IngAAS/InP结构材料，利用Pl光谱测量得最小阶宽为1.8nM。The energy levels of quantum well (QW) under diFFerential strain have been calculated,the composition and growth rate of InGaAs matched ...
刘宝林 +3 more
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Guangtongxin yanjiu, 2018 文章利用理论模型研究了GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器（QWIP）中掺杂参数对探测器探测波长的影响,并借助2×2哈密顿方法计算了此模型的特征能态。通过将模拟结果与现有实验数据进行对比、分析可知,当掺杂浓度增加时,峰值归一化吸收率、吸收系数和响应度等呈非线性增大。同时还发现,在AlxGa1-xAs势垒中,Al的摩尔分数（x）增加时,子带间吸收能力增强,但吸收的峰值波长会向较短的波长方向移动,进而判定掺杂浓度是高性能QWIP设计的重要参数之一。
王文鑫 +5 more
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