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Study on Ohmic Contact of AZO/N--+-Si [PDF]
, 2011 文章介绍了AzO/n+-SI欧姆接触特性的研究和AzO/n+-SI欧姆接触的制备新方法。实验发现AzO/n+-SI的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响,在最优的退火温度和时间条件下,测得最小比接触电阻为7.32x10-4Ω.CM2。它满足多晶硅太阳能电池的要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。The fabrication method and electrical characteristics of AZO/N+-Si(polycrystalline silicon) contact
杨倩, 陈朝
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The Directed Transport and Nonequilibrium Thermodynamic Analysis of Three Typical Brownian motors [PDF]
, 2009 在传统的热力学中，一旦知道系统的始态和终态能量以及连接两态的路径，便可确定系统对外作的功。事实上，两态的能量及系统与环境在路径上的交换热均有kBT涨落，只是在玻耳兹曼统计中，这个量级的涨落被忽略了。如果系统很小，这样的涨落则不能被忽略。这类微观系统的统计热力学问题是纳米科学当前所面临的研究障碍。分子马达正是这样的微观系统，可为物理学家解决该问题提供一个理想的研究平台。 近年来噪声诱导定向输运的现象已经引起人们的广泛兴趣。这种现象已经被普遍地应用在物理、化学以及生物上 ...
高天附
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Variation of photovoltage spectra for SnO_2/PS/Si during prior-and post-adsorption [PDF]
, 1999 制备了二氧化锡/ 多孔硅/ 硅（SnO2/PS/SI） 异质结构样品，在不同温度下，分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合X 光电子能谱（XPS） 测量结果，分析了光生电压谱变化的机理SnO 2/PS/Si heterojunction structure samples are fabricated.The photovoltage spectra of the samples during prior-and post-adsorption of H 2 or liquified ...
吴孙桃 +4 more
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Dianci bileiqi, 2013 传统MOV（氧化锌压敏电阻）主要用于后级保护,不进行10/350μs波形冲击测试。随着MOV通流量等性能的提升,已有部分MOV产品应用于首级高暴露区线路,此时有必要开展MOV在10/350μs波形冲击下的性能研究。根据双肖特基势垒模型,结合离子迁移理论,首次对MOV在10/350μs与8/20μs冲击波形下的动态伏安特性曲线进行对比分析得出:在两种脉冲电流冲击下,动态伏安曲线都可以用一个峰值△U来校准测量值;两者的动态伏安曲线中后期都有一个先上升后缓慢回环下降的趋势,前期10 ...
徐乐 +4 more
doaj
Research on germanium-on-insulator (GOI) material fabricated by an intermediate ultra-thin silicon layer [PDF]
, 2017 与Si材料相比，Ge材料具有更高的的电子和空穴迁移率，在1.3-1.5μm通信通信波段具有更高的吸收系数。此外，Ge工艺与现如今成熟的Si工艺相互兼容，Ge与GaAs晶格失配极小（~0.07%），可用作于制备III–V族器件的外延平台，这使得Ge材料成为了下一代高性能微电子和光电子器件的理想候选材料。然而，Ge器件容易产生更大的漏电流，其尺寸进一步减小容易导致小尺寸效应。绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator，GOI）材料具有Ge材料的优势和绝缘体上硅（Silicon-on ...
毛丹枫
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Study on Optoelectronic Properties and MSM Devices of Diamond-Like Carbon Thin Films [PDF]
, 2004 本文对金刚石和类金刚石（DLC）薄膜的半导体特性参数和光电性质进行评述。采用射频等离子体增强型化学气相沉积方法生长各种DLC薄膜，在对所生长的DLC薄膜结构表征的基础上，详细研究了其光电性质。研制了以DLC薄膜为有源层的MSM光电探测器，并对其I-V特性、光谱响应、C-V特性进行详细测量和分析。最后总结本文的工作，并对将来的工作提出建议，同时展望了DLC薄膜在光电方面的应用前景。在深圳纳诺材料技术研究所的大力帮助下，成功生长了不同光学带隙的各种DLC薄膜。采用AES、Raman谱、XPS和FT ...
程翔
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Fabrication and Characterization of Germanium Channel Schottky Barrier MOSFET [PDF]
, 2014 随着半导体技术的不断发展，SiMOSFET器件的小型化日益接近其物理极限，而具有高迁移率的Ge材料和HfO2等高κ介质由于其在未来MOSFET技术中的应用前景得到研究者的广泛关注。各种新结构GeMOSFET器件中，肖特基源漏场效应晶体管（SB-MOSFET）因为在源漏浅结的制造、源漏接触电阻的降低、制备温度的降低和制备工艺的简化等方面具有优势而成为了研究的热点。 本文首先通过仿真模拟分析了SB-MOSFET的特性和工作原理，并分别设计了传统pn结源漏MOSFET和SB-MOSFET两种器件的结构 ...
张茂添
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Fabrication, Optical and Electrical Properties of Selenium Micro-Nano Structures on Si Substrates [PDF]
, 2011 以Si材料为基础的微电子技术是当今信息化时代的关键支柱，已经达到相当成熟的产业化水平，在信息领域中做出了巨大的贡献。Si基化合物新材料在硅集成光电子和纳米器件如单电子器件、太阳电池以及薄膜晶体管等方面具有广阔的应用前景。然而，Si基化合物材料的发展相对比较缓慢，除SiGe材料外，其他Si基化合物材料的研究并不深入。因此，寻找新的性能优良的Si基化合物材料是进一步加快光电子集成发展的有效途径之一。本文利用超高真空气相沉积系统（UHVCVD）在Si基上制备了系列的Se微纳结构，研究其光电特性 ...
潘书万
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Dianci bileiqi避雷器用ZnO电阻片在运行中难免出现老化，这将导致电阻片电稳定性下降，影响电力系统稳定运行周期。对于ZnO电阻片老化机理以及如何提高ZnO电阻片长期运行的电稳定性成为研究热点。本次研究通过分析显微结构、物相组成、介电频谱以及电气性能探讨渗Bi热处理工艺对ZnO电阻片电稳定性的影响，构建微观本征点缺陷结构与宏观电稳定性之间的关联关系。实验结果表明渗Bi热处理工艺可以使Bi2O3相以及尖晶石相发生转变，改变氧离子的传导率，进而造成氧空位Vo•在耗尽层中的变化，这也使得渗Bi热处理电阻片晶界势垒高度ΦB达到0.
王鑫 +6 more
doaj +2 more sources
The EFFect of Preparation Conditions on the Properties of SnO_2/Si [PDF]
, 1995 研究了沉积温度、SnCl4溶液的浓度、掺Pd等对SnO2/SI光电压的影响，测量了SnO2/SI的光电压谱，得出最佳的制备条件，进行了有关计算和分析。Some tin oxide Films are deposited by CVD method on single crystal silicons.The eFFect of diFFerent deposition conditions, such as diFFerent substrate temperatures, SnCI4 ...
朱文章, 沈华, 王余姜, 蔡玉霜
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