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高电位梯度ZnO压敏电阻大电流冲击下电学性能的研究

open access: yesDianci bileiqi, 2009
通过Y2O3掺杂等工艺手段制备出具有高电位梯度值的ZnO压敏电阻,并进行大电流冲击条件下的电学性能测试。实验结果表明,在掺杂0.08%(摩尔浓度)Y2O3后,试样的电位梯度值达到2 460.5 V/mm,残压比为1.48,最大通流容量达到1 263 A,能量耐受密度达到404.7 J/cm3,具有良好的抵抗大电流冲击的性能。掺杂后的试样晶粒尺寸减小到1.5μm,并且分布比较均匀,细致均匀的微观结构有利于试样电位梯度和大电流冲击下电学性能的提高。
柯磊, 蒋冬梅, 马学鸣
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热处理对稀土氧化物掺杂ZanO-Bi2O3系压敏陶瓷电气性能的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2008
掺杂稀土氧化物的大尺寸ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷具有明显的"软心"特征,即电位梯度随试样尺寸的增大而下降,表层电位梯度高于内部。经高温热处理后,"软心"现象得到明显的改善,平均电位梯度提高到360V/mm。结合XRD、XPS和EDS的分析结果,发现热处理后Bi2O3相和CeO2相明显析出,试样内部的O浓度提高,添加剂沿轴向的分布趋于均匀。
李盛涛, 成鹏飞, 王玉平, 朱斌
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高梯度电阻片介电常数特性及电位分布研究

open access: yesDianci bileiqi, 2021
避雷器的高梯度电阻片在生产过程中受多种因素影响,使其相对介电常数呈现一定分散性。本研究通过实验和仿真研究了某型号220 kV GIS避雷器高梯度电阻片相对介电常数的分散性及其在不同荷电率下的变化规律,分析了其对GIS避雷器内部电位分布的影响。研究发现,电阻片相对介电常数随荷电率变化存在很大的分散性,同时提出一种基于电阻片排布的避雷器设计优化方案。
张宗扬   +6 more
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高梯度氧化锌电阻片的研制

open access: yesDianci bileiqi, 2006
使用高梯度氧化锌电阻片可以使避雷器小型化。在一定范围内增加Bi2O3、Sb2O3等添加剂的用量及掺加0.4% ̄0.6%的Y2O3,有助于提高氧化锌电阻片电位梯度。严格控制原料的松装密度、粒度分布及水分等,如:Co2O3松装密度提高到0.6 g/cm3左右,使用效果良好。使用新型高效混磨设备,循环处理流量可达到5.4m3/h,效率比原来提高了30%以上,改善了电阻片微观均匀性。氧化锌电阻片电位梯度可达350V/mm,长持续时间电流冲击耐受800A。
刘勇飞
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电阻片介电常数对GIS罐式避雷器电位分布的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2020
为了实现超特高压交流无间隙金属氧化物GIS罐式避雷器(以下简称GIS罐式避雷器)的小型化,制造商多采用高梯度电阻片。由于影响避雷器电位分布影响权重最大的因素是电阻片介电常数,而高梯度电阻片的显著特征之一就是相对介电常数较小,这样会使避雷器的电位分布更容易受杂散电容的干扰而更加不均匀,从而影响避雷器的运行可靠性。以某500 kV GIS罐式避雷器为原型,建立三维电场仿真模型,利用有限元计算软件COMSOL仿真研究比较了使用传统电阻片和高梯度电阻片避雷器的电位分布的差异 ...
万帅   +6 more
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高电位梯度ZnO元件在22kV~765kV SF6绝缘避雷器中的应用

open access: yesDianci bileiqi, 2000
Zn O元件以基准电压 Unm A/mm来评价 ,新研制的高电位梯度 Zn O元件的基准电压约为普通 Zn O的二倍 ;介绍了高电位梯度 Zn O元件在 2 2 k V~ 76 5 k ...
李惠芬
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掺杂Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏电阻片性能的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2007
掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0~1.7%(摩尔分数)Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%(摩尔分数)Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。
王玉平, 马军
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掺杂氧化钇氧化镍对氧化锌电阻片特性的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2005
通过掺杂氧化镍、氧化钇,对改善ZnO压敏电阻片电气特性进行了系统研究;分析和讨论了电阻片的电位梯度E、泄漏电流IL、压比Ki、方波、大电流冲击所引起的变化以及老化试验等;掺杂后,不仅提高了电阻片的电位梯度,同时还提高了其能量吸收能力;特别是钇掺杂处于晶界上,抑制晶粒长大,使晶界电压降低,大约为2.2V,是传统电阻片晶界电压的70%。研究获得了电位梯度达260V/mm,方波为800A,能量吸收能力达到300J/cm3的直径为56mm、厚度为9mm的ZnO压敏电阻片。
王玉平, 马军
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氧化锌压敏电阻片电位梯度参数优化的实验研究

open access: yesDianci bileiqi, 2003
研究了制造过程中的升温速度、烧结温度、保温时间及冷却速度对氧化锌压敏电阻片电位梯度的影响,对氧化锌压敏电阻片的烧结工艺进行了优化,并从理论上探讨了升温速度、烧结温度、保温时间及冷却速度影响氧化锌压敏电阻片电位梯度的机理。试验结果表明,连续缓慢升温至1200℃保温3h,随炉冷至室温的烧成制度有利于获得优异的电性能。
严群, 唐俊, 陈家钊, 涂铭旌
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高梯度氧化锌电阻片的研制与特点

open access: yesDianci bileiqi, 2011
为生产符合SF6罐式金属氧化物避雷器要求的电位梯度为300~350 V/mm的氧化锌电阻片,在现有配方基础上进行含量调整,同时引入NiO,通过采用生料工艺和改进烧结制度等一系列工艺措施,研制出平均电位梯度325V/mm,2ms方波通流大于800A,8/20μs,10kA压比小于1.58的准83×21电阻片,现已批量生产。通过对电阻片的微观结构及电性能测试分析,高梯度较常规电阻片具有氧化锌晶粒直径减小,8/20μs压比降低,4/10μs,100 kA大电流冲击后U1mA变化率减小的特点 ...
苏磊   +5 more
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