Results 21 to 30 of about 2,028 (103)
Gaoya dianqi, 2020 为了满足500 kV GIS设备抵御过电压风险的需求,研制了高电位梯度GIS罐式金属氧化物避雷器,介绍了避雷器的结构及关键技术参数,设计计算了均压屏蔽罩及电阻片表面电场强度、罐体内部电位分布及外壳受力性能,开发了高梯度氧化锌电阻片,并开展了加速老化、内绝缘耐受、残压及工频电压耐受时间特性试验验证工作。研究结果表明:避雷器罐体内部电场强度最大值为18.97 kV/mm,电位分布不均匀系数为1.059,罐体外壳在正常使用和故障条件下的安全系数分别为13.6和1.53;研制的氧化锌电阻片在95 ...
曹伟 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2022 共享铁塔中移动基站的接地标准较为苛刻，需要对传统输电铁塔接地网进行改造以满足基站接地要求。笔者采用场路结合的方法，对接地导体进行分段处理，计算各分段导体的自电阻和互电阻，推导了共享铁塔接地网地电位的求解公式，进而判断接地网地电位的均匀程度。参照现有电力与通信的接地标准，提出了共享铁塔接地网的设计思路以及4种设计方案。计算结果表明，网状结构加垂直接地极的接地网设计方案可保证地电位分布最均匀，最大地电位梯度相比于简单扩大接地网面积的设计方案降了43.83%。
匡宇来 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2009 综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,
巫欣欣 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2004 采用X-射线衍射,扫描电子显微镜和X-射线能谱等方法,分析了镨系和铋系非线性电阻的微观结构;测试了不同烧成温度下镨系氧化锌非线性电阻片的电位梯度、残压比、泄漏电流和体密度。结果表明,镨系氧化锌非线性电阻在组成方面避免了铋系的一些固有缺陷,高温下成分相对稳定;镨系的微观结构只包括ZnO和以氧化镨为主的晶界层,与铋系相比,它增加了晶粒边界层的有效面积。以上两种因素使镨系易于实现较高电位梯度和较大通流容量。烧成温度对镨系及铋系性能的影响比较相似。在配方和工艺设计方面,如何对氧化锌晶粒生长进行有效制约 ...
贺西民
doaj
Dianci bileiqi, 2003 高电位梯度氧化锌非线性电阻片上流过冲击电流时,吸收的冲击能量成比例增加,要求电阻片的通流容量也成比例提高,研制高电位梯度电阻片首先要提高氧化锌电阻片的通流容量。将传统的氧化锌电阻片生产工艺中的搅拌罐混合浆料方式改用搅拌球磨机混合,可提高浆料的流动性和各成分分散的均匀性,电阻片通流容量即得到很大程度的提高,电阻片的单位体积冲击能量吸收能力从100J/cm3提高到250J/cm3。
陈青恒, 何金良, 谈克雄, 曾嵘
doaj
Dianci bileiqi, 2006 采用上下结构的盒状烧钵作为氧化锌压敏电阻片的装钵方式,装钵量从16片、32片、48片、64片、80片提高至96片,对其电位梯度、泄漏电流、压比等进行了分析,试验电阻片为!60mm×21mm。结果表明,80片的装钵量最合理,不仅提高了电阻片的电位梯度,降低了压比,而且单片能耗比以前节省了近1/4,年节省电费20余万元。
黄海 +5 more
doaj
Dianci bileiqi为探究电位梯度与ZnO 压敏电阻脉冲电流稳定性的关系。采用传统固相反应法制备ZnO 压敏电阻样品，在同一配方下通过调控烧结温度得到不同电位梯度的样品，结合XRD、SEM、EDS 等对样品微观结构进行表征，利用相关仪器测试样品电学性能。结果表明，随着电位梯度由148.2 V/mm增至255.6 V/mm，脉冲电流稳定性明显变好，此外，伴随烧结温度降低，非线性系数增大，漏电流降低，残压比降低，表明保护性能优化。通过调控工艺提升ZnO压敏电阻的电位梯度，可显著增强其脉冲电流稳定性，使其在高电压和大电流的冲击下，
高丽 +6 more
doaj
Dianci bileiqi氧化锌（ZnO）压敏陶瓷是金属氧化物避雷器的核心元件。ZnO电阻片的残压比、电位梯度、漏电流等性能参数与避雷器的保护性、可靠性、轻便性有着直接关联。通过调控ZnO电阻片在烧结降温过程中900 ℃ — 400 ℃温度区间内的降温速率，实现了残压比、电位梯度和漏电流的协同优化。通过宽带介电温谱，发现本征点缺陷浓度随降温速率增加而增大，锌填隙缺陷浓度的增加相较于氧空位缺陷浓度的增加更为显著。通过解耦残压比和电位梯度的影响因素，发现ZnO电阻片残压比的变化主要受降温速率影响 ...
厍海波 +9 more
doaj
Gaoya dianqi, 2019 动车组车顶受电弓支柱绝缘子高压侧金具结构会影响绝缘子表面电场强度的分布均匀度,电场不均匀会造成绝缘子闪络频次增加。为此,基于静电场理论,联合Solidworks软件和有限元软件静电场模块仿真分析了金具结构对绝缘子附近空气域及绝缘子表面电位、电场分布变化的影响,优化设计金具结构并试验验证其效果。研究结果表明,现有连接方式下高压侧金具连接处附近场强分布不均匀,优化后的连接金具可有效降低局部区域电位梯度,电位梯度的降低有助于减小闪络故障的发生频次 ...
任丽苗 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2023 研究了不同含量Ga3+掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构，电学性能的影响。微观结构上，掺杂Ga3+没有对压敏电阻的相组成产生改变但抑制了氧化锌晶粒的生长，并使得尖晶石数量增多，尺寸减小；电学性能上，因为势垒下降和晶界电导率提高少量增加的Ga3+掺杂就显著增大了漏电流，降低了非线性，提高了压敏电阻的梯度。当Ga3+掺杂量增加到0.014 mol%时，压敏电阻在5 kA冲击下达到了最小残压比为1.72,此时电位梯度309.05 V/mm,非线性系数为18.0,漏电流为20μA。
江海波 +6 more
doaj