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, 2010 在LDMOS功率器件设计中可以引入STI工艺替代LOCOS工艺来进一步抑制表面电荷效应,以提高LDOMS功率器件的耐压强度及降低比导通电阻。本文将介绍STI工艺的优势和LDMOS器件设计原理,并在TSMC 0.6μm BCD工艺为基础上增加STI工艺流程来设计一款适用于汽车电子应用的40V LDMOS器件。通过ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件仿真)仿真实验与器件参数提取,表明采用STI工艺的LDMOS器件比采用LOCOS工艺的LDMOS器件在耐压漂移区长度比方面提高了23.40 ...
周杰, 郭东辉, 陈利
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Gaoya dianqi电缆中间接头结构复杂易出现故障，一旦出现气隙、杂质等微观缺陷，就可能引发电场畸变进而生成电树枝甚至增加击穿风险。并且电缆接头由于空间电荷积聚及温度梯度引发的场强翻转等问题可能引起绝缘击穿。将±200 kV高压直流电缆中间接头设为研究对象，通过有限元仿真软件研究不同温度梯度（ΔT）下生长及滞长阶段电树枝缺陷对电缆接头稳态、暂态电场分布特性的影响。结果表明，当ΔT达到一定值时，SIR和XLPE绝缘内会发生场强翻转；稳态电场下，生长期内电树枝引发的局部电场最大值远高于无缺陷时场强 ...
王卓 +4 more
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252kV GIS盆式绝缘子金属法兰开孔的电场分析及优化设计
Gaoya dianqi, 2013 为检测GIS内局部放电特高频信号,需在盆式绝缘子金属法兰开孔处设置局部放电传感器,而金属法兰开孔会对盆式绝缘子表面及开孔处电场强度产生一定影响。笔者应用有限元分析软件ANSYS对三相分箱式252 kV GIS中盆式绝缘子电场强度进行了仿真计算,研究金属法兰开孔尺寸大小和结构对盆式绝缘子表面和浇注孔表面电场强度的影响。仿真结果表明,浇注孔结构对盆式绝缘子表面电场强度影响显著,金属法兰开孔大小对盆式绝缘子表面电场强度影响较小,经过优化后的小尺寸浇注孔绝缘子表面电场强度最大值比无浇注孔时高出3.21 ...
段大鹏 +3 more
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Fabrication of ferromagnetic coaxial nanowires and their magneto-optical effects [PDF]
, 2016 随着光信息技术和纳米制备技术的发展，磁光效应及各种磁光器件因其独特的性能和广阔的应用前景吸引了人们广泛的关注。由于块体材料和单纯薄膜材料的磁光响应不高，限制了磁光器件的发展。因此，如何通过新兴技术实现法拉第效应的增强已成为研究热点。近年来，许多研究表明通过结构优化，如采用纳米线、纳米圆盘等新型纳米结构，可增强材料的法拉第效应；同时，研究发现通过贵金属纳米颗粒诱导的表面等离激元共振也可以增强该效应。本文将结合上述两种增强法拉第效应的方法，制备贵金属Ag纳米粒子修饰的铁磁同轴纳米线，进一步提升材料的磁光性能，
刘倩雯
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非平衡等离子点火 中放电过程的数值模拟 = Numerical simulation of discharge process in nonequilibrium plasma assisted ignition [PDF]
, 2016 摘 要 非平衡等离 子点火 是一 种利 用 非平衡等离 子体的 化学 效应 和热 效应来 引 燃混合物 的 新 型点 火方式 。 具有拓 宽稀 燃极 限 、 降低点 火延迟 等优点 ， 近年来引 起 研究人 员的 关注． 等离子 体 是一 个带 电粒 子的复 杂 系统， 粒子间 存 在电离 、 激 发、 离解 、 电荷转移等 复杂 的 相 互 作 用 。 本 文分 析 了 非平 衡等离子体 中 电 子 影 响 下的 碰撞 ， 以 氮氧 混合 物为 例模拟了 约化 电 场 强 度 高于 １ 〇
Chen, Y, Luo, KH, Zhang, ZH
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Gaoya dianqi, 2008 在高电压作用下,由复合绝缘介质构成的沿面绝缘结构的耐电强度远低于其绝缘材料自身的击穿场强,这一现象与其电场的分布特点密切相关。笔者针对真空中平行平板、平面和棒-板电极系统等多种典型沿面绝缘结构的电场分布进行了仿真计算,探讨了电极-介质结合处的间隙、圆台形绝缘子的圆锥角角度、平面电极的高度以及绝缘子介电常数等因素对电场分布的影响。仿真结果表明,接触间隙的存在导致局部电场的加强和电场方向的变化,间隙宽度越大、高度越小,间隙处电场畸变越大;圆锥角越大,绝缘子的介电常数越大,场强畸变也越大 ...
马奎 +4 more
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Gaoya dianqi, 2023 采用有限元法对12 kV真空灭弧室的电场特性进行了单因素分析，结合SPSS软件对其进行了正交回归分析，选取触头圆倒角、触头开距、主屏蔽罩半径、主屏蔽罩卷边半径、主屏蔽罩卷边角度和主屏蔽罩坡度这6个主要参数进行综合优化研究。得到了电场特性和设计参数之间的回归方程，找出了影响电场特性的显著因素。研究结果表明：触头圆倒角和触头开距对真空灭弧室典型点的电场强度有高度显著影响，主屏蔽罩半径对真空灭弧室典型点的电场强度有显著影响；触头圆倒角和触头开距对真空灭弧室触头处最大电场强度有显著影响 ...
王文成 +4 more
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, 2005 从Raman光散射原理出发,提出原位Raman谱观测畴变原理,探索建立铁电畴变的原位、无损和微区观测技术.通过对PLZT铁电陶瓷试样的90°原位旋转前、后Raman谱变化的观测,以及电场作用下PLZT铁电陶瓷试样畴变后Raman谱峰强变化的观测 ...
张颖, 张飒, 程璇
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The influence of the electrical boundary condition on domain structures and electrocaloric effect of PbTiO3 nanostructures [PDF]
, 2016 本文在基于金兹堡—朗道—德文希尔唯象理论的相场法理论下，应用有限差分方法及四阶龙格—库塔法数值求解，研究不同电学边界条件对铁电纳米点畴结构演化和热电温度效应的影响。本文所用的中间电学边界条件，可以用来表示表面电极与纳米点之间的黏合情况及电极对表面电荷的补偿情况，进而说明退极化电场和退极化电能对系统自由能的影响，不同以往的对退极化能进行权重处理，具有实际的物理意义。 当电学参数λ0为0时，中间电学边界可以退化为开路电学边界条件；当λ0趋向无穷大时，对应于短路电学边界条件，即表面电荷可充分补偿。λ0的值越大，
陈志英
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DLC film prepared with multiple gas sources and its applications [PDF]
, 2016 类金刚石膜(Diamond-LikeCarbon，DLC)是一种介于金刚石和石墨之间的非晶结构材料。类金刚石膜具有和金刚石类似的许多独特的优良性能，因此被广泛应用在机械、光学、电学以及生物等领域。 等离子体化学气相沉积(PECVD)法是生长含氢DLC膜的常见方法，通常把衬底放在PECVD腔体中的源电极上生长DLC薄膜，这样生长的DLC膜具有更高的硬度。本文采用浸入式PECVD方法生长DLC薄膜，把衬底浸入到等离子体中，使其面临的电场强度和离子团密度等生长参数有别于源电极式PECVD法 ...
魏晓丽
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