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通过对氧化铝陶瓷中气泡引起局部电场畸变导致绝缘故障进行了研究,建立了存在气泡缺陷氧化铝陶瓷绝缘子静态电场计算的三维数学模型;比较了有无气泡缺陷时氧化铝陶瓷绝缘子的电场强度;重点分析了气泡存在不同电场强度区域和距离下表面不同距离时对电场强度的影响,从而得到气泡缺陷对电场的影响规律。
程焰林 +5 more
doaj
In-situ XRD Measuring System for Ferroelectric Domain Switching and Its Applications [PDF]
铁电陶瓷在外电场作用下的畴变能力与其性能的好坏有着直接的关系,因此,通过原位实验手段对畴变进行定量分析,对研究材料的疲劳失效机理有着重大的理论指导意义和实际应用价值。通过本论文工作,自行设计和开发了一套电压加载与电滞回线测试装置,将该装置与X射线衍射仪联用,实现了在直流电场作用下以及电疲劳过程中,原位测试铁电陶瓷样品表面的XRD谱图和电滞回线,并通过考察(002)和(200)峰强的相对变化,定量计算出铁电陶瓷材料的90°畴变量。本套测试系统的主要功能包括:(1 ...
王永晔
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线路附近地面的场分布是输电线路电磁环境中的一个重要指标。首先验证了半经验公式法的有效性。然后使用该方法分析了极导线水平排列的±800 kV直流线路合成场强、标称场强和离子流密度的影响因素和变化规律。研究表明地面,标称电场强度受线路对地高度的影响很大,而合成电场强度和离子流密度除受导线对地高度的影响较大外,受导线直径和分裂数的影响也很大。
黎小林, 张波, 王琦, 何金良
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为了实现高效的微光探测以及满足量子通信的需求,需要研发制备具有高增益、低噪声和高带宽的高性能红外探测器,基于硅衬底材料的锗硅雪崩探测器(Avalanche Photodiode,APD)被认为是有希望实现近红外通信波段高效弱光探测的探测器件。本工作设计研究了一种横向收集结构的锗硅APD,并对其结构参数对电场分布的影响进行了仿真模拟。发现该结构中硅倍增层的掺杂浓度、尺寸等对器件电场分布具有很重要的影响,并且利用能带理论对其进行了解释说明。倍增层掺杂浓度提高后,增强的结效应导致该器件中出现了有趣的双结结构 ...
叶余杰 +4 more
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西部地区自然环境复杂,因人为及非人为因素造成接触网瓷质绝缘子破损的情况较多。为了研究伞裙破损对接触网安全运行的影响,文中建立了不同破损大小、不同破损位置、两处破损组合、不同表面状态下斜腕臂绝缘子的仿真模型,利用有限元软件分析了其电场分布特性。仿真结果表明:伞裙破损半径越大,破损处表面电场强度越大,相比完好绝缘子,破损半径达到30 mm时电场强度增加了30.11%;相同破损半径时,伞裙破损出现在高压端时电场强度增加幅度最大;两处破损时,相对位置夹角越大,电场强度增加幅度越小 ...
段承成 +3 more
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Phase transition of lanthanum-doped lead zirconate titanate ceramics during electric-field-induced domain switching [PDF]
利用原位Xrd技术研究未极化掺镧锆钛酸铅(PlzT)铁电陶瓷在不同直流电场加载过程中(002)和(200)衍射峰峰强与电场强度的关系,基于铁电畴取向分布的考虑,对(002)和(200)衍射峰峰强进行定量分析。通过对原位Xrd谱进行四方相和单斜相的分峰拟合处理,初步探讨电场强度对铁电陶瓷电致畴变和电致相变的影响。结果表明:对于PlzT试样,在电场加载过程中除了发生电致90°畴变外,还可能发生从四方相到单斜相的电致相变。在不同电场强度作用下,电致畴变与电致相变是一个相互竞争的过程,电致畴变是主要的 ...
张颖, 杨凤娟, 程璇
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Microwave drying kinetic characteristics of yellow phosphorus-like materials [PDF]
Yellow phosphorus is an important industrial raw material used in pharmaceuticals, food, pesticides, the military, and the chemical industry, significantly impacting the economy.
hang LI, jiayu HE, lei XU, yongfen SUN
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大气条件是影响导线或电力金具表面电晕的重要因素,电晕同时会产生无线电干扰噪声。目前暂无导线电晕相关的试验标准,电力金具的相关试验标准只规定了空气密度修正,并未指出湿度对导线电晕或无线电干扰电压的影响。文中在人工气候室利用电晕笼实验研究了不同空气湿度下导线的起晕电压,同时在电晕起始场强的计算中考虑了湿度的影响,得到了含湿度修正的电晕起始场强计算公式。分析了不同尺寸的导线起晕场强,可为今后相关实验及工程应用提供参考。
陈迪 +7 more
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Study on Modification of Wave Absorbing Ability of Silicon Carbide [PDF]
碳化硅具有化学性质稳定、耐高温、耐化学腐蚀、强度高、导热系数高、热膨胀系数小的特点,不仅仅被广泛应用在功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料等民用领域,还应用于航空航天领域,用作发动机的热端部件。但是,有机先驱体转化法制备的SiC陶瓷电阻率高,对电磁波吸收效率不高。然而,对SiC进行电磁性能改性是该材料具有雷达隐身性能的基础。因此将铁、钴和碳等引入到碳化硅中,提高其介电损耗和磁损耗,进而提高其吸波性能,对发展功能化SiC陶瓷具有重要的意义。 本文选取易石墨化、碳化产率高且价格便宜中间相沥青作为碳源 ...
丁绍楠
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随着输电电压等级的提高,变电站内导体周围电晕问题越来越严重。为研究变电站内导体周围起晕情况,文中建立了甘肃某750 kV变电站内导体一跨的整体三维模型,结合有限元仿真软件计算其整体电场分布。然后提取各部位的子模型(如跳线、线夹),对其电场进行更为精确地计算,并提出优化电场分布方案。结果表明:导线表面的电场强度随导线分裂数的增加而下降,采用四分裂导线取代二分裂导线可以降低跳线处表面最大场强,最大电场强度由2 512.54 V/mm六变二金具 ...
马爱清, 赵天成, 陈吉
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