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Gaoya dianqi, 2022 近年来波纹铝护套结构高压电缆中出现的缓冲层烧蚀缺陷造成巨额经济损失和不良社会影响，然而该缺陷产生及发展机理尚不明确，检测技术仍处于探索阶段。文中基于缓冲层间隙放电导致烧蚀缺陷的理论，开展高压电缆缓冲层烧蚀缺陷产生超声信号特征研究，探索超声检测技术在缓冲层烧蚀缺陷检测领域的可行性。文中首先基于高压电缆结构特征以及缓冲层多孔介质特性，建立缓冲层多孔介质波模型以及缓冲层放电产生超声波模型。随后通过数值模型得到缓冲层放电产生超声波声压等效波形以及不同层数缓冲层在不同频率下的吸声系数 ...
何维晟 +6 more
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Gaoya dianqi, 2022 针对高压XLPE电缆缓冲层烧蚀故障频发，缓冲层烧蚀影响因素较多，难以准确评估在运电缆缓冲层状态的情况，提出了一种缓冲层状态模糊综合评估方法。根据缓冲层烧蚀故障机理及带材特性，建立状态评估因子及评估分级标准。在此基础上，采用改进层次分析方法确定评估因子的权重。采用模糊综合评价方法，计算缓冲层状态评估等级隶属度向量。根据最大隶属度原则确定最终评估结果。通过实例计算表明，该评估方法能够对缓冲层状态进行准确评估，有效降低人的主观因素影响，为制定在运高压XLPE电缆缓冲层状态运维管控措施提供了科学依据。
周韫捷 +6 more
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Gaoya dianqi, 2021 近年来高压电缆缓冲层故障频发,可能由波纹护套与缓冲层空气间隙局部电场畸变引起,现有电场仿真研究缺乏对波纹护套压纹深度、节距以及缓冲层阻抗的考虑。文中基于麦克斯韦方程建立了考虑电缆波纹金属护套实际几何结构的数值仿真模型和平滑金属护套电缆的电路计算模型,定量分析了110 kV电缆缓冲层材料电导率和介电常数以及波纹金属护套几何结构对空气间隙电势与电场分布的影响。研究表明,当缓冲层材料电导率在10-6～10-9S/m时,空气间隙电势主要受缓冲层材料电导率的影响;当缓冲层材料电导率小于10-9S/m时 ...
李根, 王航, 周文俊, 周承科
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Gaoya dianqi, 2022 近年来，国内频繁出现高压输电电缆缓冲层烧蚀缺陷或故障，缓冲层烧蚀缺陷已成为影响输电电缆本体安全运行的重大问题，但目前电力部门对此类缺陷尚无较好的检测方法。文中在分析输电电缆缓冲层作用、类型及参数要求的基础上，对半导电阻水缓冲带和铜丝纤维编织布两种缓冲层结构进行了烧蚀缺陷的特征分析，并以两条故障电缆线路为研究对象，采用高次谐波法、宽频阻抗法、X射线检测法进行了检测方法的探索性试验研究。经研究分析，发现半导电阻水缓冲带和铜丝纤维编织布缓冲层结构的烧蚀缺陷虽表征现象相似，但引起烧蚀的原因不同 ...
刘凤莲 +6 more
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110 kV XLPE电缆缓冲层放电灼伤问题的理化分析与仿真研究
Gaoya dianqi, 2020 对110 kV及以上高压XLPE电缆线路改造时,频繁发现电缆缓冲层存在疑似放电灼伤缺陷,其原因尚无定论。为探究该缺陷是否为放电产生,文中首先对缺陷进行了形貌特征观察和元素成分表征,然后对阻水带电阻率进行测量,最后利用有限元软件对电缆进行三维电场仿真,研究了缓冲层间隙、阻水带电阻率、过电压等因素对缓冲层场强的影响。研究结果表明:缓冲层存在间隙、阻水带电阻率增大、过电压入侵等因素会使缓冲层场强增大,易造成缓冲层放电现象。
张玮玮 +6 more
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Dianci bileiqi, 2023 在直流输电工程中，大地回线和金属回线转换是一项十分重要的操作，而转换开关两侧并联的氧化锌避雷器阀片对其过电压进行限制，确保其能转换成功。在转换开关实际工况中，氧化锌避雷器阀片承受的实际工况多数为长脉宽冲击电流。通过肖特基势垒理论以及离子迁移率对氧化锌避雷器阀片在40 ms长脉宽冲击电流下的老化规律进行研究，得出以下结论：1)长脉宽冲击电流下，U1 mA先略微下降再到平缓甚至一直保持不变，即说明电流分布集中势垒较高的晶界层单元链中，并对阀片整体晶界层起到均一化作用。2)随着脉冲次数的增加，500 ...
卢文浩 +6 more
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Simulation and Process Optimization Research of CuInGaSe2 Thin Film Solar Cells [PDF]
, 2015 人类对能源消费的不断增加，传统化石能源的快速消耗导致环境恶化加剧，雾霾等恶劣气候频发，严重影响人类的身体健康和生存，寻找可再生清洁能源成为全球共同追求的目标。太阳能是一种可持续的清洁能源，受到科学家的热衷追捧，而光伏产业作为无污染的新能源产业获得世界各国青睐而得到广泛应用。 以中国光伏产业为代表的发展中国家，其新能源产业以前所未有的速度发展，对世界新能源产业做出巨大贡献，但是由于发达国家的贸易“双反”政策及国内市场开发不足导致以晶硅为主的中国光伏产业遇冷，而薄膜太阳电池却未受到双反的限制。铜铟镓硒 ...
陈文志
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Crystalline qualities and optical properties of InGaN/GaN quantum well improved by in situ SiNx pretreatment of GaN template [PDF]
, 2016 由于存在比较大的晶格失配和热失配，以蓝宝石为衬底的GaN外延层位错密度高，晶体质量差，阻碍了GaN基器件性能的进一步提高。降低GaN外延层中的位错密度，提高GaN材料的晶体质量是提高相关器件性能的基础，也是科研人员面临的机遇和挑战。 表面/界面改性技术可有效调控GaN和InGaN材料的生长行为及特性，通过对GaN基材料的不同生长阶段（不同位置）进行SiNx处理，调控GaN的生长模式与应力分布，可大幅降低GaN薄膜的位错密度，明显改善其表面形貌，增强发光性能 ...
黄德猛
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Gaoya dianqi, 2023 在近10年全国的电缆事故中已发现大量的缓冲层烧蚀问题，为探索烧蚀产生因素，文中基于压力的影响建立了数学模型，考虑水汽的渗入对模型的影响，并对多组产生缓冲层现象的电缆进行了分析。计算和仿真结果表明，电缆阻水带因电缆绝缘本体重力和电缆敷设过程中的外力影响，会在1 mm2接触点上产生3.75 A的集中电流，使得在阻水带和铝套接触处温度升高到176℃，而铝和聚丙烯酸钠在80℃时会发生反应生成氧化铝粉末，产生阻水带上的“白斑”；而绝缘屏蔽层上相同的电流长时间作用，则会引起绝缘屏蔽的老化。
严有祥 +5 more
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Research on Si-based Ge micro-region structure and Ge lateral PIN photodetector [PDF]
, 2016 硅基光电探测器是硅基光电子技术重要的组成部分。近年来，锗（Ge）材料由于在近红外波段吸收系数高，空穴载流子迁移率大且能与硅基工艺兼容等特性在硅基探测器领域备受关注。为进一步提高光电特性，需要在Ge层中引入张应变，而张应变的引入可以通过微区结构来得到。基于硅基Ge外延材料，构造Ge微区结构的腐蚀过程一般只对Si材料的腐蚀速率有过研究，而对材料中存在的大量位错对结构制备影响的分析却并未开展。因此，研究腐蚀液中硅基Ge样品位错的影响，提高Ge微区结构应变，对提高Ge光电探测器性能有着重要的意义 ...
陈超文
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