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Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique [PDF]
, 2011 采用低温缓冲层技术,在SI衬底上生长了质量优良的gE薄膜。利用原子力显微镜(AfM)、双晶X射线衍射(Xrd)和拉曼散射等研究了薄膜的晶体质量。结果表明,由于无法抑制三维岛状生长,低温gE缓冲层的表面是起伏的。然而,gE与SI间的压应变几乎完全弛豫。当缓冲层足够厚时,后续高温gE外延层的生长能够使粗糙的表面变得平整。在90 nM低温gE缓冲层上生长的210 nM高温gE外延层,表面粗糙度仅为1.2 nM,位错密度小于5x105CM-2,Xrd的峰形对称,峰值半高宽为460 ArC SEC。High ...
余金中, 周志文, 李成, 贺敬凯
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Shuitu Baochi Xuebao, 2011 以太湖地区典型水稻土——水耕铁渗人为土为供试材料,通过添加CaCO3和H2SO4培养及滴定的方法,研究不同pH降雨和施氮对土壤酸碱缓冲体系的影响。结果显示,土壤在添加CaCO3和H2SO4培养后进行不同量酸碱滴定,土壤在pH 4.0~7.5的突跃范围内与酸碱加入量呈显著的线性相关,表明该测定方法对供试土壤适用。同时施氮和降雨对土壤的酸化都有加速作用,各处理0-40 cm层土壤酸碱缓冲容量为1.91~2.20 cmol/kg,增加施氮量、降低降雨pH都降低土壤的酸碱缓冲容量 ...
汪吉东 +6 more
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Epitaxy of Strain-relaxed SiGe, Ge Films and Fabrication of Ge Photodetectors on Si Substrates [PDF]
, 2009 硅基硅锗材料因其优越的性能，特别是与成熟硅微电子工艺相兼容，在硅基光电子器件如光电探测器、场效应晶体管等方面得到了广泛的应用，硅基硅锗薄膜生长及相关器件的研制引起了人们浓厚的兴趣。然而由于锗与硅的晶格失配度较大，在硅基上生长高质量硅锗和锗薄膜仍然是一个挑战性的课题，需要引入缓冲层技术。本论文采用低温缓冲层技术在UHV/CVD系统上生长出高质量硅基硅锗和锗弛豫衬底，并在此基础上研制出硅基长波长锗光电探测器。主要工作和研究成果如下： 为了促进外延层应变弛豫、改善表面形貌 ...
周志文
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Guangtongxin yanjiu, 2007 利用扩展点匹配方法对厚电极厚缓冲层的共面波导电光调制器的结构和性能参数进行了分析和研究,通过仿真选择合适的电极厚度和缓冲层厚度,所得的特性阻抗和有效折射率与采用保角变换法得到的结果吻合,优化了调制器性能,实现了宽带调制。这一分析方法简便快捷,能够处理电极有一定厚度的多层光波导调制器结构。
任登娟, 陈名松, 黄雪明
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Research on Ge n+/p shallow junction and SOI-based Ge waveguide photodetector [PDF]
, 2015 Ge由于其在光纤通信波段（1.3~1.55µm）有较大的吸收系数，比Si具有更高的电子和空穴迁移率，与标准CMOS工艺兼容性好等优点，被广泛应用于Si基光电集成和微电子等领域。本文针对Ge器件制备过程中遇到的n型杂质掺杂难度大、金属与n-Ge接接触费米钉扎效应严重等问题，提出低温预退火与脉冲激光退火相结合的方法获得高掺杂浓度n型Ge以及高性能Gen+/p浅结，开展了SOI基Ge波导探测器的结构设计以及研制工作，论文的主要工作内容和创新点如下： 1 ...
王尘
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Preparation and Properties of ZnO on Si(100) [PDF]
, 2013 近年来，氧化锌(ZnO)是继氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)后，受到广泛研究的新型宽禁带半导体材料，ZnO基半导体由于具有较宽的禁带宽度(3.37eV)和较大的激子束缚能(60meV)等特点，使得其在发光二极管和激光器等诸多器件中有着明显的优势，正因为如此，所以其高质量ZnO单晶薄膜的制备为当今半导体研究的热点。 本文在硅衬底Si(100)-2×1再构的基础上，利用分子束外延(MBE)在硅衬底上生长ZnO薄膜，通过引入超晶格ZnO/MgO缓冲层、超晶格ZnO/ZnMgO缓冲层、超晶格MgO ...
金昌连
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Shuitu Baochi Xuebao, 2019 为明确水库消落带典型草本植物根系对土壤抵抗径流侵蚀性能的影响，以裸地为对照，通过原状土冲刷试验研究了狗牙根、扁穗牛鞭草和苍耳3种草地0—20 cm土层的土壤抗冲性能，并探讨了不同草本植物的根系特征及其对土壤抗冲性能的影响。结果表明：（1）3种草本植物根系均集中分布在0—10 cm土层，扁穗牛鞭草的根重密度、根长密度、根表面积密度和根体积密度均显著高于狗牙根和苍耳（P 狗牙根 > 苍耳 > 扁穗牛鞭草，10—20 cm土层则表现为对照 > 狗牙根 > 扁穗牛鞭草 > 苍耳。（3 ...
徐文秀 +5 more
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Shuitu Baochi Xuebao, 2006 对黑龙江省东部山地樟子松人工林(P inus sy lvestr is var.m ongolica)生态系统的大气降水、穿透水、树干径流和枯透水中的pH值、溶解氧、浊度、电导率、氧化还原电位、钾、钠、钙、镁、铜、锌、锰、铁等水质指标进行了观测,结果表明:大气降水经过林冠层后,水化学特征发生了明显变化,pH逐层降低,经过枯枝落叶层后,水质的酸化得到了缓解,说明樟子松人工林的枯枝落叶层对水质酸化有很好的缓冲作用。穿透水、树干径流和枯透水的COND变化趋势相同 ...
赵雨森, 辛颖, 曾凡锁
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A review of inorganic solid electrolyte/electrode interface in all-solid-state lithium batteries [PDF]
, 2017 全固态锂电池有望较好地提高电池安全性并实现高的能量密度, 因此已成为二次锂电池发展的一个重要方向.; 发展具有高锂离子电导率、低电解质/电极界面阻抗及有较好应变性的固态电解质材料是全固态电池研究的重要研究课题. 如何有效构筑电解质/电极界面,; 提高界面稳定性并显著降低界面阻抗又是其中的难点之一.; 本文综述了近年来国际上比较关注的两种无机固体电解质--硫化物与石榴石(garnet)型氧化物的最新研究进展,; 重点对这两类固体电解质与正负极材料的界面特性进行总结与评述.All-solid-state ...
杨勇 +4 more
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Dianci bileiqi, 2014 残压比是衡量压敏电阻性能的一项重要指标,针对压敏电阻在冲击老化过程中残压比的变化问题,通过对压敏电阻样品进行8/20μs雷电流冲击老化试验,发现残压比在标称电流（In）冲击老化试验过程中呈现缓慢降低--缓慢增加--快速上升的变化趋势;根据双肖特基势垒理论及热老化理论分析,得出冲击过程中残压比的大小主要由晶界层状态所决定,残压比快速上升阶段是由于晶界层大量破坏的结论;提出了利用残压比变化率来衡量压敏电阻老化程度的方法,在实际应用中具有参考价值。
陈璞阳 +4 more
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