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Shuitu Baochi Xuebao, 2022 选择黄河三角洲代表区域垦利区和无棣县，将野外调查与室内分析得到的土壤表层水盐数据，按照季节、植被类型、与渤海距离进行归类，利用经典统计分析、耦合度模型、缓冲区分析、Origin三维关系分析等方法，分析研究区土壤表层（0—15 cm）水盐时空分异特征及其耦合关系。结果表明：研究区土壤水盐含量总体较高，含盐量以中度盐渍化为主，垦利土壤表层水盐含量整体高于无棣；不同季节土壤含水量排序为夏季>春季>秋季>冬季，土壤含盐量排序为春季>秋季>冬季>夏季，耦合度关系比较为春季>秋季>冬季>夏季 ...
张术伟 +5 more
doaj
, 2018 本公开涉及高电子迁移率晶体管。HEMT包括缓冲层、缓冲层上的空穴供应层、空穴供应层上的异质结构、以及源极电极。空穴供应层由P型掺杂半导体材料制成，缓冲层掺杂有碳，并且源极电极与空穴供应层直接电接触，使得空穴供应层可以被偏置以促进空穴从空穴供应层到缓冲层的传输。本公开的实施例使得能够在不降低击穿阈值以及在应力之前不增加通态电阻的值的情况下，消除应力对通态电阻的影响。This disclosure relates to high electron mobility transistor.HEMT ...
Alessandro Chini, Ferdinando Iucolano
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Gaoya dianqi, 2018 为实现世界首条500 kV交联聚乙烯海缆的研制,对海缆交流电阻设计、绝缘缓冲层的选择、软接头电场设计等关键问题进行了分析,分析结果表明:海缆敷设后各相距离较远,临近效应对海缆交流电阻的影响可以忽略;通过绝缘线芯的热膨胀试验可以确定绝缘缓冲层的厚度;控制软接头恢复绝缘与本体绝缘之间交界面电场是对海缆软接头进行电场设计的关键;基于海缆金属护套、铠装层上的感应电压计算是进行确定中间接地位置的重要基础。
王少华 +6 more
doaj
The research on optical properties of InN and InGaN films [PDF]
, 2016 随着人类社会进入信息化社会，信息量飞速增长。为适应生活的需求以及时代的要求，以半导体为代表的材料和器件迅速发展，遍及人类生活的各个领域。InN与InGaN材料因其带隙随In组分x变化从0.7到3.4eV连续可调，其对应的吸收光谱的波长从紫外部分(365nm)可以一直延伸到近红外部分(1770nm)，几乎完整地覆盖了整个太阳光谱，这为设计新型太阳能电池、超高亮度发光二极管（LED）以及全彩显示提供了极大的可能，所以InN与InGaN材料近年来逐渐成为研究的热点。由于薄膜的光学常数（如折射率、吸收系数 ...
叶春芽
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Direct growth of hexagonal BN films on various substrates and induction of ZnO nanorod array for piezoelectric nanogenerators [PDF]
, 2016 近年来，随着二维材料受到广泛的关注，六角氮化硼(h-BN)由于其类石墨烯的层状晶体结构，且拥有独特的特性，如宽禁带(6.0eV)、高的热稳定性(>800ºC)、强机械强度等，成为新型材料研究的热点。在短波长光电器件、高功率和高频率电子器件的开发和需求日益提升的过程中，h-BN薄膜材料研究中也面对了几个关键性、挑战性的难题：其一，大规模生产的新型光电子器件对所需的二维材料有了更高的要求，强烈需要一个大尺寸（晶圆尺寸以上）的薄膜合成，特别是在大小有限的反应腔体中合成大尺寸的h-BN薄膜；其二 ...
ABDUL MAJID
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Gaoya dianqi, 2020 文中针对某110 kV电缆护层烧蚀故障案例进行了分析,在综合考虑烧蚀点形貌、电缆结构及其运行环境后,提出了缓冲层与皱纹铝护套之间存在不良接触、金属护层上存在感应电压是造成电缆护层烧蚀的主要原因。在此基础上,建立了110 kV电缆电场仿真模型,设计了皱纹铝护套模型试样并开展了烧蚀模拟实验,分别验证了上述两种原因的合理性。为探究皱纹铝护层起始放电条件,明确放电规律,对模型试样在不同间隙下的起始放电电压进行了测试,测试结果进一步论证了上述烧蚀机理。文中工作能够为电缆设计及电缆故障分析提供有效指导。
周松霖 +8 more
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Luminescence of Strain Compensated Si/Si_(0.62)Ge_(0.38) Quantum Well Grown on Si_(0.75)Ge_(0.25) Virtual Substrate [PDF]
, 2009 由于SI/SIgE异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基SI1-XgEX虚衬底上外延应变补偿的SI/S1-ygEy(y>X)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100MEV以上。在实验上,采用300℃生长的gE量子点插入层,制备出薄的SIgE驰豫缓冲层(虚衬底),表面gE组份达到0.25,表面粗糙度小于2nM,驰豫度接近100%。在我们制备的SIgE缓冲层上外延了应变补偿SIgE/SI多量子阱结构,并初步研究了其发光特性。In this paper ...
余金中 +6 more
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Gaoya dianqi缓冲层缺陷会为电缆线路的运行带来隐患，由其造成的电缆击穿事故严重危害电力系统的安全稳定运行。为研究缓冲层白斑引发放电的缺陷机理，开展人工模拟缓冲层白斑缺陷实验，测量含有白斑缺陷的电缆缓冲层间电阻，研究白斑对缓冲层电气连接的影响，建立考虑白斑缺陷的电缆等值电路模型，仿真计算缺陷情况下缓冲层的电位变化，并搭建了缓冲层放电模拟实验平台，对放电信号进行检测。研究结果表明：电缆各个铝护套波谷处含有白斑缺陷后缓冲层间电阻可增大10倍以上，严重破坏了缓冲层的电气连接作用，导致缓冲层电位提升 ...
胡丽斌 +7 more
doaj
Research on the Chip Process of Innovative High-Efficiency Multi-Junction Concentrator Solar Cells
, 2016 多结太阳能电池在各类光伏电池中具有最高的转化效率，因此成为太阳能电池发展的重要方向，广泛应用于空间电源与聚光光伏领域。新型多结太阳能电池的发展越来越需要对芯片结构进行改进。本文对新型多结太阳能电池芯片制程中的关键工艺进行了研究，主要取得以下成果： 1、 进行了多结太阳能电池在一定光照条件下的正面电池结构设计优化。 2、 建立了多结太阳能电池的光学模拟模型，以此为基础优化了中电池window层结构，提升了中电池的外量子效率。优化了减反射膜结构，实现了对子电池电流密度的精细调整 ...
刘冠洲
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Roll-to-roll growth of oversize hexagonal BN films and its applications in 2D optoelectronic devices [PDF]
, 2016 随着半导体材料和器件技术地迅速发展，实际应用中，对于短波长光电器件、高功率和高频率电子器件的开发和需求日益增加，逐步揭示了限制光电子器件发展的问题。首先，大规模生产的新型光电子器件对所需的二维材料有了更高的要求，强烈需要一个大尺寸（晶圆尺寸以上）的薄膜合成。其次，从光电子器件的基本结构角度来看，为了实现光电转换功能，电注入和pn结仍然是主流结构，也就是说从材料合成走向实际器件应用，p、n型导电层的制备通常都扮演着关键性的角色。最后，就是利用材料的各项特性，将其应用到各种研究领域。本文针对这三大方面问题 ...
伍臣平
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