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III–V HEMT

2021
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Metamorphic HEMT Technology Exemplified by InAlAs/InGaAs/GaAs HEMTs

2012
William Hoke, Colin Whelan
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Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT), Transistoranordnung, Verfahren zum Steuern eines HEMTs und Verfahren zum Herstellen eines HEMTs

Es wird ein Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (engl. High-Electron-Mobility-Transistor, HEMT) mit einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht beschrieben. Die erste Schicht weist ein erstes Material aus einer ersten Nitrid-Verbindung auf. Die erste Nitrid-Verbindung weist ein Gruppe-III-Elemente auf.
Kapels, Holger, Fichtner, Simon, Lofink, Fabian   +2 more
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GaN HEMTs

Yogesh Singh Chauhan, Ahtisham Ul Haq Pampori, Sheikh Aamir Ahsan   +2 more
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Harmonic analysis Of GaN- HEMT

2015
note
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HEMT Process

2016
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UK HEMT programme

III-Vs Review, 1991
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Linearity Improvement of GaN HEMT via Asymmetric SFin-HEMT Structure

2025 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series On Advanced Materials and Processes for RF and THz Applications (IMWS-AMP)
Can Gong, Minhan Mi, Yuwei Zhou, Ting Meng, Tianhao Liu, Chenglin Du, Xiaolong Cai, Sheng Wu   +7 more
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HEMT for Biosensing Applications

2022
Deepak Kumar Panda, Trupti Ranjan Lenka
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HEMT Technology and Applications

2023
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