Results 91 to 100 of about 5,450 (225)
Angewandte Chemie, Volume 138, Issue 21, 18 May 2026.Mittels zeitaufgelöster nativer Massenspektrometrie wird der blaulichtabhängige kinetische Mechanismus der Oligomerisierung von Arabidopsis CRY1 aufgedeckt. Die Oligomerisierung verläuft sequenziell von Monomeren über Dimere zu Tetrameren. Während ATP die Assemblierung fördert, inhibiert BIC1 die Tetramerbildung und dissoziiert diese unabhängig von ...
Alicia Just +8 more
wiley +1 more source
El Redactor del Inse / Año I / Edición No. 03 / 1976
, 1976 11 páginas contiene ilustraciones y gráficosEsta edición contiene los siguientes títulos: Centro de Orientación Docente COD: 12 años de historia -- Profesor del INSE, recibirá orden sacerdotal --Rocky Valdés, de pescador a Campeón -- ''Fusiles· en la la ...
INSE
core
Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe
, 2018 На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать ...
Иванов, В.И. +4 more
core +1 more source
Electrical Properties of PVDF/InSe and P(VDFTFE)/InSe Junction Systems.
Journal of the Surface Finishing Society of Japan, 1993 Indium monoselenide (InSe) is a layer structure semiconductor, with interlayer bonding by van der Waals' force, and because of the small number of dangling bonds at layer cleavage planes. InSe is well suited to forming junction systems with different substances. Polyvinylidene-fluoride (PVDF) and vinylidene fluoride-tetrafluoroethylene copolymer [P(VDF·
NAKANISHI, Kazumi +2 more
openaire +2 more sources
AIP Advances, 2017 We proposed a quantitative thermodynamic theory to address the physical process of surface roughening during the epitaxial growth of core-shell NW with alloy layer.
Yuanyuan Cao, Dongfeng Diao
doaj +1 more source
El Redactor / Año IV / Edición No. 13 ¿/1979
, 1979 18 páginas contiene ilustraciones y gráficosEsta edición contiene los siguientes títulos: Refugiados: Siempre buscarán su patria, por Martha López -- Andrés Samper lleva al banquillo a sus hijos Daniel y Ernesto, por Nelly Vélez -- Monguí-Un pueblo donde
INSE
core
Defect and doping properties of sliding ferroelectric γ-InSe for photovoltaic applications
AIP AdvancesLayered van der Waals (vdw) materials have been proposed as light-absorbing materials for photovoltaic applications. InSe is a layered vdw semiconductor with ultra-high carrier mobility, strong charge transfer ability, super deformability ...
Zhiwei Lyu +4 more
doaj +1 more source
Photoelectric parameters of SnS₂–ₓSeₓ–InSe heterojunctions (0 ≤ x ≤ 1)
Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 2006 Heterojunctions SnS2–xSex–InSe were fabricated using the optical contact method of semiconductors. Their photoresponse spectrum narrows linearly with increasing x.
V. N. Katerinchuk, M. Z. Kovalyuk
doaj
Ambipolar field-effect transistors by few-layer InSe with asymmetry contact metals
AIP Advances, 2017 Group IIIA−VIA layered semiconductors (MX, where M = Ga and In, X = S, Se, and Te) have attracted tremendous interest for their anisotropic optical, electronic, and mechanical properties.
Chang-Yu Lin +3 more
doaj +1 more source
Electrophysical properties of supramolecular ensembles InSe
, 2017 У роботі представлені результати досліджень електропровідних властивостей супрамолекулярних ансамблів InSe, InSe та InSe> в залежності від ступеня ієрархізації гостьового контенту.
Матулка, Д.В. +2 more
core