Results 81 to 90 of about 8,046 (218)
El Redactor del Inse / Año II / Edición No. 09 / 1977
, 1977 16 páginas contiene ilustraciones y gráficosEsta edición contiene los siguientes títulos: Concurso periodístico del INSE -Directores de los diarios ''La Opinión'' y "La Patria", entregarán los premios -- Perfiles de un auténtico Universitario, por Astrid
INSE
core
Фоточутливі гетеропереходи CuFeO2/n-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу
, 2023 У даній роботі представлені результати дослідження електричних властивостей і спектральної фоточутливості гетеропереходу CuFeO2/n-InSe, виготовленого методом спрей-піролізу тонких плівок піриту на підкладках n ...
Іванов , В. І. +3 more
core
Annealing effect on I-V characteristic of n-ZnO – p-InSe heterojunction
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2015 The article is devoted to studying of influence of vacuum low-temperature annealing on the electrical and photoelectric characteristics of n-ZnO-p-InSe heterostructure. Indium monoselenide (InSe) is a semiconductor of the A3B6 group of layered compounds.
Z. D. Kovalyuk +5 more
doaj +1 more source
El Redactor del Inse / Año III / Edición No. 11 /1978
, 1978 16 páginas contiene ilustraciones y gráficosEsta edición contiene los siguientes títulos: Minieducación, visita al INSE -- El Sicólogo educativo no es un artículo suntuario, por Nancy Beatriz Pérez -- Análisis del Marxismo (II), Por Octavio Arizmendi P. -
INSE
core
El Redactor del Inse / Año I / Edición No. 03 / 1976
, 1976 11 páginas contiene ilustraciones y gráficosEsta edición contiene los siguientes títulos: Centro de Orientación Docente COD: 12 años de historia -- Profesor del INSE, recibirá orden sacerdotal --Rocky Valdés, de pescador a Campeón -- ''Fusiles· en la la ...
INSE
core
, 2022 Indium selenide (InSe) is considered an ideal two-dimensional material for infrared light detection owing to its high carrier mobility and narrow band gap.
Qianqian Wu (818952) +8 more
core +1 more source
Physics of Complex SystemsБинарные халькогенидные соединения нашли широкий спектр применения благодаря возможности быстрого и обратимого фазового перехода, перестраиваемой ширины запрещенной зоны, высокой подвижности носителей заряда.
Мария Евгеньевна Федянина +8 more
doaj +1 more source
AIP Advances, 2017 We proposed a quantitative thermodynamic theory to address the physical process of surface roughening during the epitaxial growth of core-shell NW with alloy layer.
Yuanyuan Cao, Dongfeng Diao
doaj +1 more source
Electrical and topological properties of oxides films grown thermally on InSe substrates
Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 2010 The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period.
В. М. Катеринчук +2 more
doaj
Electrical Properties of PVDF/InSe and P(VDFTFE)/InSe Junction Systems.
Journal of the Surface Finishing Society of Japan, 1993 Indium monoselenide (InSe) is a layer structure semiconductor, with interlayer bonding by van der Waals' force, and because of the small number of dangling bonds at layer cleavage planes. InSe is well suited to forming junction systems with different substances. Polyvinylidene-fluoride (PVDF) and vinylidene fluoride-tetrafluoroethylene copolymer [P(VDF·
NAKANISHI, Kazumi +2 more
openaire +2 more sources