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Relaxor Ferroelectricity Enables Enhanced Thermoelectric Performance in In2Se3‐Alloyed GeTe
Advanced Science, EarlyView.A non‐equimolar In3+/Se2− alloying strategy creates Ge vacancies in GeTe, inducing relaxor ferroelectricity that broadens the low thermal conductivity window. Simultaneously, cubic phase stabilization broadens optimal electrical transport, achieving an average zT > 1.0 over 330–625 K.
Yuting Zhang +5 more
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El Redactor / Inse / Año I /Edición No. 01 /1975 [PDF]
, 1975 11 páginas contiene ilustraciones y gráficosEsta edición contiene los siguientes títulos: Metas-Proyectos- Hechos --¡Libertad! ¡Aborto! ¡L.S.D.!, Voto a los 18, ¡Rebeldía! ¡Represión! ¡Divorcio! -- ¿Qué -piensa la gente joven? --Una mañana entre locos
INSE
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Nonvolatile Resistive Switching in Layered InSe via Electrochemical Cation Diffusion
Advanced Electronic Materials, 2022 2D materials are increasingly being investigated for their nonvolatile switching properties as a step toward downscaling of core electronic elements. Here, the interplay between electrochemically active silver (Ag) cations and layered indium selenide ...
Aishani Mazumder +8 more
doaj +1 more source
Orientation Engineering in Flexible Ag2Se‐Based Thermoelectric Films
Advanced Science, EarlyView.We comprehensively review recent advances in highly oriented Ag2Se films. We propose two practical metrics to quantitatively benchmark their application potential and establish a unified framework that elucidates the orientation‐dependent charge transport mechanism in Ag2Se‐based films.
Hao Wu +3 more
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El Redactor del Inse / Año I / Edición No. 04 ¿/ 1976 [PDF]
, 1976 11 páginas contiene ilustraciones y gráficosEsta edición contiene los siguientes títulos: Instituto Superior de Educación-INSE -- Nuestra Razón de Ser -- Forjadores de una Idea: INSE -- Concurso Logotipo-Bases -- El Despotismo de la Luis Ángel A.
INSE
core
Nanomaterials, 2022 Carbon films were fabricated on the orthodontic stainless steel archwires by using a custom-designed electron cyclotron resonance (ECR) plasma sputtering deposition system under electron irradiation with the variation of substrate bias voltages from +5 V
Pengfei Wang +4 more
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Advanced Electronic Materials, EarlyView.Monolayer PtTe2 enables dopant‐free Schottky FETs through its thickness‐dependent electronic transition. Quantum transport simulations show that crystallographic orientation strongly influences device performance, with Γ–M transport delivering higher drive current, lower leakage, and improved switching behavior.
Lida Ansari, Paul K. Hurley, Farzan Gity
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El Redactor del Inse / Año II / Edición No. 08 /1977 [PDF]
, 1977 16 páginas contiene ilustraciones y gráficosEsta edición contiene los siguientes títulos: "Últimos sucesos" Noticiero de televisión en el Inse -- Álvaro Salomón Becerra, No un tipo cualquiera, por Gabriela Camargo Vargas y Liduvina Carrascal Torrado ...
INSE
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Elektrothermische Oxidation von Ethylenglycol an Co3O4
Angewandte Chemie, EarlyView.Die elektrothermische Oxidation von Ethylenglykol unter Druck steigert die katalytische Effizienz hin zu Glykolat unter milden Bedingungen. Höhere Reaktionsraten treten bei 70–90°C und 15 bar O2 auf, und sowohl das Potential als auch der O2‐Druck reoxidieren Co2+ zu Co3+ an der Oberfläche.
Adarsh Koul +9 more
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El Redactor del Inse / Año II / Edición No. 09 / 1977 [PDF]
, 1977 16 páginas contiene ilustraciones y gráficosEsta edición contiene los siguientes títulos: Concurso periodístico del INSE -Directores de los diarios ''La Opinión'' y "La Patria", entregarán los premios -- Perfiles de un auténtico Universitario, por Astrid
INSE
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