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Dianci bileiqi, 2023 传统的烧结方法增加ZnO压敏陶瓷的消耗成本。因此，需要继续研究提高ZnO压敏陶瓷的节能效果及综合性能优化的技术。利用恒温闪烧技术，在250 V/cm电场强度和2.0 A限制电流下制备ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷。将950℃恒温闪烧制备ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷与1 100℃下的传统烧结制备样品相比的结果表明，恒温闪烧和传统烧结制备样品的致密度都可达到98%。恒温闪烧制备的样品获得更佳的压敏性能，电位梯度为656 V/mm,非线性系数为41.9。因此 ...
石梦阳 +4 more
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Dianci bileiqi, 2022 作为重要的过电压防护元件,ZnO压敏电阻片的性能也需要不断提高。对ZnO压敏电阻片制备工艺中聚乙烯醇(PVA)的影响进行了研究。通过对比不同PVA种类及含量对造粒的影响后发现,选用的PVA聚合度越高,烧结陶瓷的晶粒尺寸就越小;PVA的添加量越多,晶粒尺寸也越小;其次PVA的聚合度会影响到压敏陶瓷的晶界电阻和击穿场强,它们之间成正相关的趋势,但是过量添加PVA会导致其晶界电阻活化能减小,压敏特性降低,导致泄漏电流密度增大;采用低聚合度的PVA会改善电气性能,即提升其压敏特性并降低泄漏电流密度;造粒过程中 ...
张兆华 +9 more
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Dianci bileiqi, 2021 研究了不同NiO含量对ZnO基压敏电阻微观结构、相组成电学性能的影响。结果表明,掺杂合适含量的NiO能够有效的改善ZnO基压敏电阻的电气性能,这可被归因为NiO的掺杂能够调整ZnO的晶粒取向,从而使ZnO压敏陶瓷形成了更加均一的显微结构。CE5样品（NiO摩尔分数为1.55%）具有优秀的综合电气性能,其电位梯度为184.00 V/mm,非线性系数α为72.7,漏电流为0.45μA,在20 kA和30 kA下的压比分别为2.20和2.38。此外,在20组20 kA及2组30 kA脉冲浪涌电流冲击后 ...
王曼玉 +9 more
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Dianci bileiqi, 2018 通过固相反应法制备ZnO压敏陶瓷,测试了ZnO压敏陶瓷的介电频率温度谱,通过介电谱详细解析了ZnO压敏陶瓷弛豫损耗峰的起源。然后通过调节工艺参数,拟合不同保温温度下ZnO压敏陶瓷的介电弛豫过程,得到了介电弛豫的过程参数,解释了氧空位和锌填隙浓度对弛豫峰的影响,为ZnO压敏陶瓷电气性能的优化提供了理论依据。
吕昕, 季节, 李顺昕
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Dianci bileiqi, 2013 总结了ZnO陶瓷压敏效应的特点,归纳了ZnO压敏陶瓷导电机理与显微结构之间的内在关系,分析了关于Schottky势垒起源的各种物理模型与化学模型的优缺点,提出ZnO陶瓷优异的非线性I-V特性起源于ZnO本征点缺陷结构与外部的氧环境。
成鹏飞, 刘汉臣, 张晓军
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Dianci bileiqi, 2004 首次提出用"微观网络"的分析方法来研究ZnO压敏陶瓷的相结构和电性能,并对其"微观网络"中的两个节点即烧结温度和热处理温度进行研究,结果显示:随着烧结温度的升高,ZnO压敏陶瓷的压敏电压不断下降,非线性系数则不断提高,至1250℃达到最大值。这主要与晶粒的大小、均匀度以及晶界势垒的高度有关。对于热处理温度,研究结果表明:在600℃下的热处理能大大提高ZnO压敏陶瓷的稳定性。通过对"微观网络"中烧结温度和热处理温度的研究,可以确定较佳的工艺参数。
侯清健, 徐国跃, 赵毅, 唐敏
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Dianci bileiqi, 2005 研究了金属氧化物Co2O3含量对ZnO压敏陶瓷中晶粒生长和电学性能的影响。分析了Co2O3含量对ZnO半导体陶瓷各种性能的改善,以及所产生缺陷类型。实验结果表明:随着Co2O3含量在0郾6%0郾2%（质量分数）范围内的减少,ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小降低,工频耐受力提高,非线性系数增大,在一定程度上掩盖了ZnO晶粒本征缺陷对ZnO陶瓷电导率的影响,使半导体的电导率获得可控性。为获得产品优良的重复性和稳定性,以及降低成本起到十分重要的作用。
韩伟, 王建文, 孟梅
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稀土氧化物对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒分布及电气性能的影响
Dianci bileiqi, 2008 研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒尺寸和电气性能的影响,结果表明,稀土氧化物可有效地抑制ZnO晶粒的生长,掺杂Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3后,晶粒的主要分布分别为0～18μm、0～14μm、0～11μm、0～16μm;平均晶粒尺寸下降,其中掺杂Gd2O3后晶粒尺寸最小,为6.2μm。ZnO晶粒分布的标准方差明显下降,改善了晶粒尺寸分布的均匀性。掺杂稀土氧化物后,电位梯度显著提高,E1mA达到了427.5V/mm ...
李盛涛, 成鹏飞, 王玉平, 朱斌
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Dianci bileiqi, 2022 通流容量是ZnO压敏电阻的重要的电气参数，其大小决定着避雷器性能的优劣。笔者研究了B2O3和Ga2O3掺杂对ZnO压敏电阻预击穿区和翻转区下的电流-电压特性的影响。在预击穿区，B3+和Ga3+的掺杂提高了样品的晶界势垒，抑制了泄漏电流的增加，从而改善了样品在工作条件下的老化稳定性。而在翻转区，三价施主离子(B3+和Ga3+)的掺杂致使I-V曲线右移，扩大了样品的非线性区，提高了样品对高脉冲电流放电的能力。掺杂0.3（摩尔分数）B2O3、0.1（摩尔分数）Ga2O3的样品具有优异的电气性能 ...
程宽, 赵洪峰, 周远翔
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Dianci bileiqi, 2011 根据ZnO压敏陶瓷在2 ms方波冲击中出现的本体击穿现象,分析了不同组分、不同有机添加剂、排胶、预烧和烧结工艺对ZnO压敏陶瓷内部结构的影响。得出:不同的组分应采用相匹配的有机体系;有机添加剂应使造粒后的颗粒具有高的堆积密度和适当的破碎强度,以减少成型坯体的原始气孔;应有合理的预烧和烧结工艺来避免空气夹层。
高奇峰, 段雷
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