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Dianci bileiqi冷烧结工艺是一种低温节能的先进制造技术，通过压力-溶剂协同作用实现氧化锌压敏陶瓷的致密化，并利用宏观工艺参数有效调控其微观结构，在很大程度上避免了传统高温烧结存在的晶粒粗化、添加剂挥发和高能耗等缺点。本文从冷烧结工艺的物理化学机理出发，着重介绍了晶界与缺陷协同设计优化ZnO 压敏陶瓷电气性能的关键路径，并从压敏陶瓷微结构的角度分析了冷烧结在氧化锌-聚合物复合压敏陶瓷领域的潜在价值；此外，对冷烧结工艺相关研究目前还面临的一些难点和产业化发展面临的问题进行了梳理和总结。
张玉 +5 more
doaj +2 more sources
Dianci bileiqi, 2009 ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平,针对残压的形成机制尚不清楚,测量了传统工艺制备的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性,通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现,中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制,且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值。计算表明,晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90%左右,因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压。
成鹏飞, 李盛涛, 王玉平, 朱斌
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Dianci bileiqi, 2013 ZnO压敏陶瓷击穿场强E1mA由晶粒尺寸和单个晶界击穿电压两个因素共同决定,沿用之前提出的微观结构模型,在晶粒尺寸一定,晶界电压服从正态分布;晶界电压一定,晶粒尺寸服从正态分布;和晶粒尺寸、晶界电压都服从正态分布三种条件下,用Matlab分别模拟击穿场强随厚度的变化关系,结果表明ZnO压敏陶瓷击穿场强的几何效应主要来自晶粒尺寸和分布的影响。在此基础上,对初始厚度不同的试样进行击穿场强与厚度的关系模拟,从结果可以看到,无论是高击穿场强还是低击穿场强的试样,都存在几何效应。
鲍婕, 王政留, 李盛涛
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Dianci bileiqi, 1993 通过对国外样品的剖析和对各种添加物及其含量对高压ZnO压敏电阻器电性能影响的实验研究,确定高压ZnO压敏电阻陶瓷的料方系列。通过研究原材料物化指标的影响找出了国产原材料的主要差距和改进措施。通过研究各主要工艺过程中的关键工艺方法、工艺参数和工艺材料,确定了一套能够按照自己开发的配方、原材料技术生产高压ZnO压敏电阻器的工艺技术。研制的产品水平达到了课题目际要求（即达到了国际先进水平）。另外,还发现了高压ZnO压敏电阻的几何效应及低温热处理的反常现象。
郭亚平 +4 more
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Dianci bileiqi, 1994 研究了ＺｎＯ压敏陶瓷坯体成型密度对烧成瓷体的致密化和晶粒生长的影响。依据扫描电镜观察分析了晶粒大小、分布情况并测量了瓷体密度。着重指出：控制好晶粒大小、分布和瓷体密度可以改善瓷体电性能；提高坯体成型密度不仅加速了瓷体的致密化，而且能降低晶粒起始生长温度，增大晶粒生长速率，促进晶粒长大。
贾广平, 郭亚平, 刘辅宜
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Dianci bileiqi, 2009 采用高能球磨的方法制备了ZnO和添加物（MnO,Sb2O3,CoO,Cr2O3,Bi2O3）的前驱超细粉体,采用固相反应烧结技术在1 140℃进行2 h烧结制备出ZnO陶瓷变阻器。用SEM,XRD研究了不同退火温度对ZnO压敏陶瓷的显微形貌、相结构,伏安非线性特性和微观电性能的影响。从阻抗分析,激活能和介电损耗与频谱关系分析证明了600～800℃热处理时晶界由于β-Bi2O3向γ-Bi2O3的相变引起的体积膨胀而变宽,导致晶界电子陷阱浓度降低,从而使得势垒高度下降,漏电流增加。
姚政 +4 more
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Dianci bileiqi综述了近年来国内外稀土氧化物掺杂改性ZnO-Bi2O3（Zn-Bi）基压敏陶瓷的研究进展（2012年至2024年）。适量掺杂稀土氧化物可明显地减小Zn-Bi基压敏陶瓷的晶粒尺寸，并且使陶瓷晶粒尺寸大小分布均匀，提高陶瓷的致密度，可以有效地调控Zn-Bi基压敏陶瓷的综合性能和微观结构，可以显著地提高Zn-Bi基压敏陶瓷的电位梯度、降低漏电流密度、增大非线性系数等。掺杂1.2 mol% Y2O3的Zn-Bi基压敏陶瓷具有最好的综合电性能，电压梯度为2113 V/mm，非线性系数为184.6，漏电流密度为0 ...
陈映义 +4 more
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Dianci bileiqi, 1993 2 工艺技术研究高压ZnO压敏电阻器是按照典型的电子陶瓷元件工艺制作而成的。在这个专业领域里,公认这样一句话:“配方是关键,工艺是基础”,从而可见工艺技术研究的重要性。随着原料特性、生产设备及配方的变化,虽然大的工艺路线基本一样、工艺参数却千差万别。限于篇幅,本章仅研究了几个关键的工序环节。 2.1 添加剂预合成技术添加剂预合成技术作为一种有前途的新技术陶瓷工艺已被人们日益重视,其最大特点就是能够提高添加剂在瓷片内的分布均匀性。另外,对于加B的料方来说 ...
郭亚平 +4 more
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Dianci bileiqi, 1993 据德国《Sprechsaal》刊物报道,研究了添加剂的种类和数量以及烧结温度对ZnO陶瓷微观结构的影响。ZnO电阻晶粒生长的甲均应力决定于铋和锑的含量比,当含量比小于1时,由于烧绿石结构的化合物的存在增生尖晶石,会更加限制ZnO晶粒的生长。Bi2O3含量从0.4％减少不会有预期的效果,甚至压敏电压有明显降低的趋势。将烧成温度从1120℃升高至1250℃,并且改变升温速度和保温时间,对晶粒生长有重大影响。增加Bi2O3会加强铝的作用。低压压敏系统的结构在很大程度上决定于原始原料的粒度。引入粒度60 ...
宁
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Dianci bileiqi, 1988 对ZnO压敏陶瓷所用添加剂在不同温度下预烧后的电性能变化和物相变化进行了研究。实验结果表明,添加剂预烧后生成了多种新相,如Sb2O5相、焦绿石相。随着预烧温度提高,焦绿石相增多,添加剂烧结体内电子陷阱浓度增加。添加剂预烧后,其本身不具有明显的非线性,其电导特性则具有空间电荷限制电流的特征。
谭宜成, 刘辅宜
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