Results 11 to 20 of about 194 (126)
Rare Metals, Volume 45, Issue 1, January 2026.ABSTRACT Vanadium oxides are deemed competitive cathode candidates for aqueous zinc‐ion batteries (AZIBs), benefited from their high theoretical capacity and multiple crystalline structures. However, the sluggish reaction kinetics, poor reversibility, and high solubility have hindered the practical application.
Xiaoyu Fan +7 more
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Rare Metals, Volume 43, Issue 7, Page 3242-3249, July 2024.Graphical abstract AbstractIn this work, a conventional HfO2 gate dielectric layer is replaced with a 3‐nm ferroelectric (Fe) HZO layer in the gate stacks of advanced fin field‐effect transistors (FinFETs). Fe‐induced characteristics, e.g., negative drain induced barrier lowering (N‐DIBL) and negative differential resistance (NDR), are clearly observed
Zhao‐Hao Zhang +10 more
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Dianci bileiqi, 2021 与理论计算相结合的材料设计是现代材料科学发展的一个重要方向。基于密度泛函理论的第一性原理,在ZnO非线性电阻的设计与研究领域的应用以及最新研究进展进行了梳理。共分5个方面:1)第一性原计算的背景; 2) ZnO晶体及其表面的电子结构; 3) ZnO晶体本征缺陷及掺杂的电子结构; 4)双晶ZnO晶体界面的电子结构; 5) Bi偏析ZnO晶体界面的电子结构,即双肖特基势垒(n-p-n)。随着相关理论和计算方法的发展,以及计算机性能的不断提高,对ZnO非线性电阻的基本电子特性可以通过计算直接获得 ...
汤霖 +4 more
doaj
Theoretical Calculation of B arrier Height of Metal-semiconductor Contacts [PDF]
, 2003 【中文文摘】采用平均键能作为参考能级计算了十种金属 -半导体接触势垒高度 ,其计算结果与实验值的符合程度不亚于 Tersoff和 M o¨ nch所采用的电中性能级方法 ,计算结果表明平均键能方法和 Tersoff提出的电中性能级方法一样 ,可作为金属 -半导体接触势垒高度的一种理论计算方法 【英文文摘】Taken the average -bond-energy as the reference level,ten barrier heights of metal-semiconductor c ...
李书平, 王仁智, 蔡淑惠
core
Dianci bileiqi, 2004 通过测量商用ZnO压敏陶瓷材料的泄漏电流I与绝对温度T,并利用场助热激发电流的表达式计算了势垒高度（活化能）,发现它低于平衡状态时的势垒高度。在深入分析在电场作用下晶界区域中电子传导过程的基础上,认为这是在电导过程中通过正偏势垒向晶界界面层中注入了大量电子,这些电子不仅填充了在平衡状态下尚未填充的电子陷阱（即表面态）,而且还会在界面层形成自由电子空间电荷,这些自由电子在越过反偏Schottky势垒时需要克服的就不是平衡状态时的势垒高度,显然应低于平衡状态时的势垒高度 ...
李盛涛, 邹晨, 刘辅宜
doaj
Research Progress on Heat-Resistance Protease in Dairy Products and Its Detection Methods(乳制品中耐热蛋白酶及其检测方法研究进展) [PDF]
Shipin kexue jishu xuebaoIn the production, processing, storage and transport of dairy products, there are two types of proteases, the endogenous proteases of dairy products and the exogenous proteases produced by microbial contamination.
CHEN Gang(陈刚) +5 more
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Research and progress of ohmic contact to p-type GaN [PDF]
, 2004 【中文文摘】宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。 【英文文摘】The wide-bandgap GaN has been extensively investigated and developed rapidly in recent years.
刘宝林, 潘群峰
core
Dianci bileiqi, 2017 利用瞬态热阻抗模型,设计实验研究MOV芯片通过直流电时散热能力的变化特征,结果表明,在通过直流电时,MOV芯片的内部晶体势垒高度并不是直接下降的,存在一个"转折温度",这个温度是势垒高度改变的转折点,低于此温度,势垒高度上升,高于此温度,才是单调下降的。根据此原理,可用直流电对MOV芯片进行合适时间的"预老化",以增强其初始散热能力。
张宏群, 徐彬彬, 杨天琦
doaj
The Study of Metal/4H-SiC Schottky Contacts [PDF]
, 2004 碳化硅（SiC）由于其较宽的带隙（）,较大的击穿电场（）,较高的电子饱和漂移速率（）和较大的热传导率（），在制作高温、高频、大功率和抗辐射器件方面具有巨大优势，被认为是最有前景的宽带隙（≤≤）半导体材料之一。4H-SiC具有比6H-SiC更宽的带隙以及更高的电子迁移率,随着高质量单晶材料制备技术上的突破,它被认为是大功率器件方面最有前途的SiC材料。而对于碳化硅材料在半导体电子器件中的运用，控制得到一个良好的金属-半导体界面是非常必要的。为此，人们对金属/SiCSchottky接触进行了大量的工作 ...
杨克勤
core
Dianci bileiqi, 2010 系统分析了势垒高度测量的两种常用方法（I-T特性方法和C-V特性方法）成立的条件,发现直接采用lnj～1/T曲线的基本I-T特性方法适用于流过ZnO压敏陶瓷的电流较小,导电机制为热发射电流的情况,且只能得到等效势垒高度,其最大误差为12%～20%。要使测量误差在10%以内,则外施电压的荷电率不应超过0.4～0.6。改进后的I-T特性方法可测量零偏置电压下的势垒高度准0;C-V特性方法仅适用于偏析层厚度可忽略的情况,否则测量值明显偏大;实际上将两种方法相结合,不但能得到较精确的势垒高度准0 ...
成鹏飞, 王玉平, 于长丰
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