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Dianci bileiqi, 2017 利用瞬态热阻抗模型,设计实验研究MOV芯片通过直流电时散热能力的变化特征,结果表明,在通过直流电时,MOV芯片的内部晶体势垒高度并不是直接下降的,存在一个"转折温度",这个温度是势垒高度改变的转折点,低于此温度,势垒高度上升,高于此温度,才是单调下降的。根据此原理,可用直流电对MOV芯片进行合适时间的"预老化",以增强其初始散热能力。
张宏群, 徐彬彬, 杨天琦
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Dianci bileiqi, 2010 系统分析了势垒高度测量的两种常用方法（I-T特性方法和C-V特性方法）成立的条件,发现直接采用lnj～1/T曲线的基本I-T特性方法适用于流过ZnO压敏陶瓷的电流较小,导电机制为热发射电流的情况,且只能得到等效势垒高度,其最大误差为12%～20%。要使测量误差在10%以内,则外施电压的荷电率不应超过0.4～0.6。改进后的I-T特性方法可测量零偏置电压下的势垒高度准0;C-V特性方法仅适用于偏析层厚度可忽略的情况,否则测量值明显偏大;实际上将两种方法相结合,不但能得到较精确的势垒高度准0 ...
成鹏飞, 王玉平, 于长丰
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探究两步烧结工艺下微米级粉料的氧化锌电阻片的微观结构及电性能
Dianci bileiqi, 2021 笔者以微米级粉体为原料,采用两步烧结法制备氧化锌电阻片,系统地研究了各烧结条件下氧化锌电阻片的微观结构,致密化程度,基本电性能和介电性能,包括阻抗谱和介电损耗谱。结果表明,两步烧结能有效地减小晶粒尺寸,使晶粒分布均匀,增强致密化。在合适的两步烧结曲线下,其样品的电压梯度为402.26 V/mm,漏电流为0.98μA/cm2,非线性系数为60.88。两步烧结样品在低温下介电损耗的两个驰豫峰对应的活化能为0.22～0.24 eV和0.34～0.37 eV,传统烧结样品对应的活化能为0.24 eV和0.32 ...
方针 +5 more
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Dianci bileiqi, 2003 研究了BaTiO3基多层陶瓷电容器（MLCs）直流击穿与温度的关系。测量了从室温到250℃范围内BaTiO3基多层陶瓷电容器的直流击穿场强（BDFs）,通过分析直流预压对BDFs的影响,发现空间电荷的同性效应对MLCs的室温和居里温度区的直流击穿有很大的影响;而在高温区,MLCs的直流击穿主要是热击穿。最后根据结构控制Schottky电导理论,联系热离子反射过程和势垒高度对空间电荷积累的影响,从而得出居里温度区具有极小击穿场强的直流击穿特性与BaTiO3基陶瓷绝缘体相转变导致的势垒高度的增加相一致的结论。
周远翔 +4 more
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Dianci bileiqi, 2018 针对氧化锌压敏电阻直流作用下的老化问题。利用氧化锌压敏电阻肖特基势垒理论,对氧化锌压敏电阻在正极性和正、负极性直流交替作用下,氧化锌压敏电阻老化规律进行研究,得出以下结论:1)氧化锌压敏电阻在单一极性直流作用下,产生明显的极性效应。此外,极性效应和老化程度均随电流的增加而增大,当达到最高点时,出现减慢的现象。2)正、负极性电流交替作用时,ZnO压敏电阻出现极性补偿现象,使得肖特基势垒高度下降变慢,导致压敏电阻老化程度较单一极性电流作用下缓慢。
苑吉河 +4 more
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添加MgSO4对高压ZnO压敏电阻器小电流区温度稳定性的影响
Dianci bileiqi, 2000 研究了给高压氧化锌压敏电阻器配方中添加 Mg SO4对其漏电流温度稳定性的影响。同时 ,对 Mg SO4在高压氧化锌压敏电阻器陶瓷中的存在形式和显微结构以及对 Zn O晶界势垒的影响进行了简要分析。
王建文, 贾广平
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Dianci bileiqi, 2004 首次提出用"微观网络"的分析方法来研究ZnO压敏陶瓷的相结构和电性能,并对其"微观网络"中的两个节点即烧结温度和热处理温度进行研究,结果显示:随着烧结温度的升高,ZnO压敏陶瓷的压敏电压不断下降,非线性系数则不断提高,至1250℃达到最大值。这主要与晶粒的大小、均匀度以及晶界势垒的高度有关。对于热处理温度,研究结果表明:在600℃下的热处理能大大提高ZnO压敏陶瓷的稳定性。通过对"微观网络"中烧结温度和热处理温度的研究,可以确定较佳的工艺参数。
侯清健, 徐国跃, 赵毅, 唐敏
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Dianci bileiqi, 2009 采用高能球磨的方法制备了ZnO和添加物（MnO,Sb2O3,CoO,Cr2O3,Bi2O3）的前驱超细粉体,采用固相反应烧结技术在1 140℃进行2 h烧结制备出ZnO陶瓷变阻器。用SEM,XRD研究了不同退火温度对ZnO压敏陶瓷的显微形貌、相结构,伏安非线性特性和微观电性能的影响。从阻抗分析,激活能和介电损耗与频谱关系分析证明了600～800℃热处理时晶界由于β-Bi2O3向γ-Bi2O3的相变引起的体积膨胀而变宽,导致晶界电子陷阱浓度降低,从而使得势垒高度下降,漏电流增加。
姚政 +4 more
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Dianci bileiqi, 2018 采用共沉淀法制备氧化锌压敏陶瓷,研究了不同沉淀剂类型对氧化锌压敏陶瓷电气性能的影响。研究结果表明:氢氧化钠和乙醇胺沉淀剂对氧化锌压敏陶瓷的电位梯度、漏电电流、压敏电压、非线性系数、势垒高度影响较大,不同的沉淀剂类型出现了相反的实验结果。另外,通过测试氧化锌压敏陶瓷的介电温谱,发现沉淀剂的类型对氧化锌压敏陶瓷弛豫峰的削弱不尽相同,将缺陷类型与氧化锌压敏陶瓷的宏观参数联系起来。
庄葛巍, 张静月, 申娟, 余宇红
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Guangtongxin yanjiu, 2018 文章利用理论模型研究了GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器（QWIP）中掺杂参数对探测器探测波长的影响,并借助2×2哈密顿方法计算了此模型的特征能态。通过将模拟结果与现有实验数据进行对比、分析可知,当掺杂浓度增加时,峰值归一化吸收率、吸收系数和响应度等呈非线性增大。同时还发现,在AlxGa1-xAs势垒中,Al的摩尔分数（x）增加时,子带间吸收能力增强,但吸收的峰值波长会向较短的波长方向移动,进而判定掺杂浓度是高性能QWIP设计的重要参数之一。
王文鑫 +5 more
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