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Physical Connotation of Average-Bond-Energy and St [PDF]
, 2001 金属-半导体接触在技术上十分重要，在半导体器件和集成电路中广泛地利用着各种不同性质的金属-半导体接触，因而器件与集成电路的质量和可靠性在很大程度上依赖于电路中金属-半导体接触的性质；半导体-半导体接触界面处的价带带阶和导带带阶决定着量子阱和超晶格的势阱深度及其基本特性，预言、调节或控制带阶的“能带剪裁”新技术是当今“能带工程”的重要组成部分。金属-半导体接触Schottky势垒和异质结带阶的实验和理论研究与“表面与界面”新兴学科的研究进展紧密相关，基于不同实验结果的不断发现 ...
李书平
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探究两步烧结工艺下微米级粉料的氧化锌电阻片的微观结构及电性能
Dianci bileiqi, 2021 笔者以微米级粉体为原料,采用两步烧结法制备氧化锌电阻片,系统地研究了各烧结条件下氧化锌电阻片的微观结构,致密化程度,基本电性能和介电性能,包括阻抗谱和介电损耗谱。结果表明,两步烧结能有效地减小晶粒尺寸,使晶粒分布均匀,增强致密化。在合适的两步烧结曲线下,其样品的电压梯度为402.26 V/mm,漏电流为0.98μA/cm2,非线性系数为60.88。两步烧结样品在低温下介电损耗的两个驰豫峰对应的活化能为0.22～0.24 eV和0.34～0.37 eV,传统烧结样品对应的活化能为0.24 eV和0.32 ...
方针 +5 more
doaj
Resistive switching property of HfO2 film prepared by atomic layer deposition and its 1D1R device [PDF]
, 2016 随着信息科学与微电子技术的发展，闪存已经成为今天市场上主流的非易失性存储器。但是随着浮栅存储器件尺寸的不断缩小，浮栅耦合、电荷泄漏、单元之间的串扰等问题日益严峻，开发更小尺寸、更低功耗和更高集成度的新型存储单元已成必然趋势。在新型非易失性存储器的研究中，阻变存储器由于结构简单、读写速度快、存储密度高、操作电压低、与CMOS工艺兼容性好等优势有望成为新一代非易失性存储器。本文基于原子层沉积生长的HfO2薄膜，研究了在不同温度下原子层沉积生长HfO2薄膜的阻变特性，确定了最佳工艺温度；在此基础上 ...
陆超
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Dianci bileiqi, 2003 研究了BaTiO3基多层陶瓷电容器（MLCs）直流击穿与温度的关系。测量了从室温到250℃范围内BaTiO3基多层陶瓷电容器的直流击穿场强（BDFs）,通过分析直流预压对BDFs的影响,发现空间电荷的同性效应对MLCs的室温和居里温度区的直流击穿有很大的影响;而在高温区,MLCs的直流击穿主要是热击穿。最后根据结构控制Schottky电导理论,联系热离子反射过程和势垒高度对空间电荷积累的影响,从而得出居里温度区具有极小击穿场强的直流击穿特性与BaTiO3基陶瓷绝缘体相转变导致的势垒高度的增加相一致的结论。
周远翔 +4 more
doaj
Thermal stability of NiGe(Si) films and eletrical characteristics of NiGe(Si)/Ge(Si) contacts [PDF]
, 2013 SiGe和Ge材料拥有比硅材料更高的载流子迁移率且与硅工艺相兼容等优点，是制备高速器件的理想材料。Ni(Si1-xGex)和NiGe合金具有低的薄膜电阻率和低的形成温度等优点，是实现SiGe或GeMOSFET器件源漏区的重要接触电极材料。本文围绕Ni(Si1-xGex)和NiGe薄膜的热稳定性以及Ni(Si1-xGex)/SiGe和NiGe/Ge的接触电学特性，较系统地研究了Ni(Si1-xGex)形成过程中Ge的偏析、相变和表面形貌等特性，分析了Ge组份及其偏析对Ni(Si1-xGex ...
汤梦饶
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Dianci bileiqi, 2018 针对氧化锌压敏电阻直流作用下的老化问题。利用氧化锌压敏电阻肖特基势垒理论,对氧化锌压敏电阻在正极性和正、负极性直流交替作用下,氧化锌压敏电阻老化规律进行研究,得出以下结论:1)氧化锌压敏电阻在单一极性直流作用下,产生明显的极性效应。此外,极性效应和老化程度均随电流的增加而增大,当达到最高点时,出现减慢的现象。2)正、负极性电流交替作用时,ZnO压敏电阻出现极性补偿现象,使得肖特基势垒高度下降变慢,导致压敏电阻老化程度较单一极性电流作用下缓慢。
苑吉河 +4 more
doaj
Growth of HfO2 thin film by Remote Plasma Atomic Layer Deposition and the properties of HfO2/Ge interface [PDF]
, 2016 随着器件等比例缩小难度和成本的不断增加，以Si作为沟道材料SiO2作为栅介质的传统CMOS发展接近物理极限，高K介质HfO2栅高迁移率Ge沟道MOSFET成为未来CMOS集成电路技术发展的潜在选择之一。然而metal/HfO2/Ge结构MOS器件存在界面态密度高、栅极漏电流大等问题，因此研究高质量HfO2薄膜生长技术和减少HfO2/Ge界面态是提高metal/HfO2/GeMOS器件性能的有效途径之一。 本文采用远程等离子体辅助原子层沉积法(RP-ALD)生长HfO2薄膜，优化了HfO2薄膜的生长（温度）
池晓伟
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添加MgSO4对高压ZnO压敏电阻器小电流区温度稳定性的影响
Dianci bileiqi, 2000 研究了给高压氧化锌压敏电阻器配方中添加 Mg SO4对其漏电流温度稳定性的影响。同时 ,对 Mg SO4在高压氧化锌压敏电阻器陶瓷中的存在形式和显微结构以及对 Zn O晶界势垒的影响进行了简要分析。
王建文, 贾广平
doaj
Ultraviolet Photodetector Based on ZnO Films [PDF]
, 2008 利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si衬底上制备了ZnO薄膜,并在薄膜上制作了Ag-ZnO肖特基二极管和Ag-ZnO-Ag肖特基MSM叉指结构的紫外探测器。所制备的ZnO薄膜具有良好的c轴择优取向,表面平整,在可见光范围具有较高的透射率,吸收边在370 nm附近;所制作的肖特基二极管显示了良好的整流特性,有效势垒高度约为0.65 eV;所制作的MSM紫外探测器在5 V偏压下漏电流为3.3×10-8A,在紫外波段有较高的响应度,光响应度峰值在365 nm附近。The ZnO films were ...
吴孙桃, 吴跃波, 黄波
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半导体表面性质的表面光伏表征方法及表面态的真空敏感机理研究 [PDF]
, 2000 半导体的表面光伏效应及相关领域的研究是一个发展了较长时期的研究领域，但是在使用该方法测量半导体表面参数方面仍然报导的较少。本文提出了一套系统的半导体表面参数的表面光伏表征方法，采用该方法可以方便地测量半导体的少子扩散长度、少子寿命、表面光电流密度、表面势垒高度、表面势垒宽度、表面复合速度、势垒边界处的少子浓度、表面态密度、表面态对光生载流子的俘获截面以及表面态的光离化截面等表面参数。而且该方法所涉及的实验条件较容易满足，对样品也不会产生破坏 ...
孙宜阳
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