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Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
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Gaoya dianqi, 2020 GIS回路中导电接触状态关系到GIS的安全运行。文中通过对GIS回路电阻特性的研究,指出了通过直流法测量回路电阻来评估GIS回路接触状态的不足,发现直流法在测量回路电阻时存在一定随机性,且直流法通流时间短、电流幅值小、没有交流电动力的影响,与实际运行时的设备状况相差较大,不能准确反映GIS回路接触的真实情况,也不能用于对GIS回路电接触劣化程度进行准确评估。为了探究实际运行中导体发热和电动力产生的振动等因素对电接触的影响,文中在GIS设备中通过交流电流进行温升试验,并利用交流法计算了温升过程中回路电阻 ...
高凯 +5 more
doaj
Study of Reflector Electrodes of GaN-based Vertical-structure LEDs [PDF]
, 2017 GaN作为一种宽禁带半导体材料有着优异的物理和化学性质，在混合不同比例的其他金属，如In或者Al后，其禁带宽度在0.7~6.2eV之间连续可调，并且均为直接带隙，对应的发光波长覆盖深紫外-可见-红外光范围。因此GaN被广泛用于制备如发光二极管(LightEmittingDiode，LED)和激光二极管(LaserDiode，LD)等半导体发光器件，其中LED作为一种体积小，能耗低，寿命长的新型照明光源，应用越来越广泛。传统的GaN基LED采用蓝宝石绝缘衬底，水平结构 ...
卜庆典
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Effect of pressing force on physical and electrical contact properties of silver-based contact materials [PDF]
Ag/SnO2, Ag/ZnO, Ag/Ni, and Ag/W silver-based contact materials were prepared by powder metallurgy method. The effects of pressing force on the physical and electrical contact properties of the different silver-based contact materials were systematically
CHEN Liangyu +5 more
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Gaoya dianqi, 2012 弓网良好接触是保障机车稳定受流的关键,合适的弓网接触压力是弓网稳定可靠受流的基础。笔者研究了不同接触压力、牵引电流条件下的弓网静态接触电阻,并得到了弓网接触电阻的数学表达式。研究结果表明:弓网静态时接触电阻随接触压力、牵引电流增大而减小,接触压力小于7080 N,接触电阻所接触压力的增加,接触电阻激剧减少;大于7080 N后,接触电阻随接触压力的变化不明显,近似恒定关系。
王万岗 +8 more
doaj
Research and progress of ohmic contact to p-type GaN [PDF]
, 2004 【中文文摘】宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。 【英文文摘】The wide-bandgap GaN has been extensively investigated and developed rapidly in recent years.
刘宝林, 潘群峰
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Dianci bileiqi, 2019 接触电阻是影响电气设备电流场与温度场计算的重要参数,本文提出一种基于单位面积接触电阻的金属搭接接触电阻数值计算模型,用于计算不同工况下的搭接铜排的电流密度分布与热功率分布,并试验获得了裸铜排、镀镍铜排单位面积接触电阻与温度及压强的定量关系。利用上述计算模型与试验参数,通过电磁-应力耦合计算分析了搭接面积为60 mm×60 mm、50 mm×50 mm镀镍与裸铜排试品在不同扭矩下的接触电阻,并与测量结果进行了对比,仿真与试验结果最大相对误差7.
龚宇佳 +4 more
doaj
Reduce Ohmic Contact Resistance to p-GaN Using InGaN/AlGaN Superlattice [PDF]
, 2009 提出用P-IngAn/AlgAn超晶格作为P-gAn的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的IngAn/AlgAn,IngAn/gAn和gAn/AlgAn三种超晶格中Mg杂质离化率的空间分布。计算发现IngAn/AlgAn超晶格具有最高的Mg杂质离化率及最佳的空穴局域作用。最后,利用P-IngAn/AlgAn超晶格实验上实现了比接触电阻率为7.27x10-5Ω.CM2的良好欧姆接触。In order to achieve a smaller Ohmic
刘宝林, 尹以安, 郑清洪, 黄瑾
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Gaoya dianqi, 2018 SF6高压断路器触头间的动态接触电阻是反映SF6高压断路器弧触头烧蚀程度的一个重要参数。研究弧触头动态接触电阻与弧触头的烧蚀程度之间的关系具有重要意义。基于电接触理论,建立了一个弧触头动态接触电阻仿真的理论模型。通过开断过程中的弧触头受力情况分析,得出在八触指自力型弧触头模型中,电流小于2 k A时,可忽略各种电动力的影响,只考虑触指接触压力的影响。在这个假设下,文中首次建立了简化的弧触头动态接触电阻的仿真模型。与大量弧触头模拟烧蚀试验结果对比,文中所提出的弧触头动态接触电阻仿真模型 ...
刘北阳 +6 more
doaj
Research on Ge n+/p shallow junction and SOI-based Ge waveguide photodetector [PDF]
, 2015 Ge由于其在光纤通信波段（1.3~1.55µm）有较大的吸收系数，比Si具有更高的电子和空穴迁移率，与标准CMOS工艺兼容性好等优点，被广泛应用于Si基光电集成和微电子等领域。本文针对Ge器件制备过程中遇到的n型杂质掺杂难度大、金属与n-Ge接接触费米钉扎效应严重等问题，提出低温预退火与脉冲激光退火相结合的方法获得高掺杂浓度n型Ge以及高性能Gen+/p浅结，开展了SOI基Ge波导探测器的结构设计以及研制工作，论文的主要工作内容和创新点如下： 1 ...
王尘
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