Study of Collection and Qualitative-Quantitative Method on Volatile Organic Compounds in Relay Material [PDF]
, 2015 继电器内绝缘塑料件、漆包线的绝缘漆层在使用过程中或高温工作环境下产生的过量挥发性有机化合物是影响继电器可靠性的最重要因素之一。本学位论文根据企业实际需求建立了继电器材料中挥发性有机化合物的采集与分析定量方法，取得了以下成果： (1)运用顶空加热-气相色谱-质谱(HS-GC-MS)仪器联用系统建立了继电器材料中挥发性有机化合物的采集与分析定量方法。优化并确定了顶空进样针的加热温度、顶空加热炉加热样品瓶的温度、顶空加热炉加热样品瓶的时间、顶空样品瓶盖的隔垫、塑料米和漆包线样品量等关键分析条件 ...
苏清兴
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Research of Ge Junction Technology and Ge Lateral PIN Photodetector [PDF]
, 2015 锗材料因其具有比硅材料更高的载流子迁移率，在通信波段具有高的吸收系数，以及与主流硅工艺相兼容等优点，成为下一代高性能集成电路半导体MOSFET器件沟道的首选替代材料。经过十余年研发，当前Gep-MOSFET的性能已经取得实质性的进展，但相应Gen-MOSFET性能仍未取得突破，除了高k介质与Ge接触产生大量界面态外，还有以下两个原因：首先金属/n-Ge结界面强烈的费米能级钉扎效应和较高的接触势垒引入较大的器件串联电阻；其次Ge中n型杂质扩散严重，激活浓度低，不利于形成n+p浅结。因此，调制金属 ...
魏江镔
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Modification of Ge surface by plasma technology and its application in GOI and Al/n-Ge contact [PDF]
, 2016 锗材料由于具有比硅材料高的电子和空穴迁移率，在通信波段有较高的吸收系数并且与成熟的硅工艺相兼容等优点，使其成为下一代高性能微电子器件的首选替代材料。然而Ge器件存在着漏电流大的致命缺点，同时Ge器件尺寸的缩小会引入一些小尺寸效应。绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator，GOI）结合了Ge材料及SOI（Silicon-on-Insulator）结构的优点，其独特的全介质隔离结构可以很好地解决体Ge材料器件的不足。虽然采用智能剥离技术（Smart-cutTM ...
赖淑妹
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Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
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Study of Reflector Electrodes of GaN-based Vertical-structure LEDs [PDF]
, 2017 GaN作为一种宽禁带半导体材料有着优异的物理和化学性质，在混合不同比例的其他金属，如In或者Al后，其禁带宽度在0.7~6.2eV之间连续可调，并且均为直接带隙，对应的发光波长覆盖深紫外-可见-红外光范围。因此GaN被广泛用于制备如发光二极管(LightEmittingDiode，LED)和激光二极管(LaserDiode，LD)等半导体发光器件，其中LED作为一种体积小，能耗低，寿命长的新型照明光源，应用越来越广泛。传统的GaN基LED采用蓝宝石绝缘衬底，水平结构 ...
卜庆典
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Research and progress of ohmic contact to p-type GaN [PDF]
, 2004 【中文文摘】宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。 【英文文摘】The wide-bandgap GaN has been extensively investigated and developed rapidly in recent years.
刘宝林, 潘群峰
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Research on Ge n+/p shallow junction and SOI-based Ge waveguide photodetector [PDF]
, 2015 Ge由于其在光纤通信波段（1.3~1.55µm）有较大的吸收系数，比Si具有更高的电子和空穴迁移率，与标准CMOS工艺兼容性好等优点，被广泛应用于Si基光电集成和微电子等领域。本文针对Ge器件制备过程中遇到的n型杂质掺杂难度大、金属与n-Ge接接触费米钉扎效应严重等问题，提出低温预退火与脉冲激光退火相结合的方法获得高掺杂浓度n型Ge以及高性能Gen+/p浅结，开展了SOI基Ge波导探测器的结构设计以及研制工作，论文的主要工作内容和创新点如下： 1 ...
王尘
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Dianci bileiqi, 2019 接触电阻是影响电气设备电流场与温度场计算的重要参数,本文提出一种基于单位面积接触电阻的金属搭接接触电阻数值计算模型,用于计算不同工况下的搭接铜排的电流密度分布与热功率分布,并试验获得了裸铜排、镀镍铜排单位面积接触电阻与温度及压强的定量关系。利用上述计算模型与试验参数,通过电磁-应力耦合计算分析了搭接面积为60 mm×60 mm、50 mm×50 mm镀镍与裸铜排试品在不同扭矩下的接触电阻,并与测量结果进行了对比,仿真与试验结果最大相对误差7.
龚宇佳 +4 more
doaj
Reduce Ohmic Contact Resistance to p-GaN Using InGaN/AlGaN Superlattice [PDF]
, 2009 提出用P-IngAn/AlgAn超晶格作为P-gAn的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的IngAn/AlgAn,IngAn/gAn和gAn/AlgAn三种超晶格中Mg杂质离化率的空间分布。计算发现IngAn/AlgAn超晶格具有最高的Mg杂质离化率及最佳的空穴局域作用。最后,利用P-IngAn/AlgAn超晶格实验上实现了比接触电阻率为7.27x10-5Ω.CM2的良好欧姆接触。In order to achieve a smaller Ohmic
刘宝林, 尹以安, 郑清洪, 黄瑾
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Effect of pressing force on physical and electrical contact properties of silver-based contact materials [PDF]
Ag/SnO2, Ag/ZnO, Ag/Ni, and Ag/W silver-based contact materials were prepared by powder metallurgy method. The effects of pressing force on the physical and electrical contact properties of the different silver-based contact materials were systematically
CHEN Liangyu +5 more
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