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Gaoya dianqi, 2020 GIS回路中导电接触状态关系到GIS的安全运行。文中通过对GIS回路电阻特性的研究,指出了通过直流法测量回路电阻来评估GIS回路接触状态的不足,发现直流法在测量回路电阻时存在一定随机性,且直流法通流时间短、电流幅值小、没有交流电动力的影响,与实际运行时的设备状况相差较大,不能准确反映GIS回路接触的真实情况,也不能用于对GIS回路电接触劣化程度进行准确评估。为了探究实际运行中导体发热和电动力产生的振动等因素对电接触的影响,文中在GIS设备中通过交流电流进行温升试验,并利用交流法计算了温升过程中回路电阻 ...
高凯 +5 more
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Microstructures and formation mechanisms of Au on Si(111)-7×7 surfaces [PDF]
, 2007 Si作为最重要的半导体材料，其表面结构及外延生长一直是人们关注的研究课题。鉴于Au/Si界面在电子器件和表面催化等方面的广泛应用，深入了解其微观结构和特性具有重要的意义。本论文结合超高真空扫描隧道显微镜、第一性原理计算以及动力学蒙特卡罗模拟方法，对Au在Si(111)-7×7表面上的结构性质及其形成机制进行了系统的研究。 首先，针对Au原子在Si(111)-7×7表面的吸附形态，我们采用扫描隧道显微镜进行观测，结果显示室温下快速扩散的Au原子在78K低温下表现为7×7半单胞内的单个亮点 ...
周颖慧
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Preparation and properties of P-type Bi2Te3-based materials with high preferred orientation [PDF]
Using the Bi0.4Sb1.6Te3+3%Te (mass fraction) melting crystal rods as the raw materials, the alloy ingots with good orientation were prepared by water-cooled copper crucible maglev melting technology. The P-type Bi2Te3-based alloy powders were obtained by
CAI Xinzhi +4 more
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Dianci bileiqi, 2015 针对现有的规程法、电磁暂态仿真程序等对耐雷水平的计算过程中都尚未考虑线路运行时工频电压的影响,为了准确评估接触网受雷击后的影响,根据接触网雷击过电压的产生途径,将其分为3种类型,分别建立等值电路,然后结合规程法,推导了计及工频电压后接触网耐雷水平的计算公式,并利用该公式计算了常见高速铁路接触网的耐雷水平,最后分析了工频电压对接触网耐雷水平的影响。结果表明:接触网耐雷水平是关于工频电压的函数,随工频电压的变化而变化,在接触网防雷设计中,需以耐雷水平的最小值为评估依据。
杨昱鑫, 张友鹏
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Thermodynamic calculation of phase equilibria in the Cu-Mo-X (X: Er, Ni, Si, Th) ternary system [PDF]
, 2008 铜钼合金由于具有高的导热导电性、低的热膨胀系数、特殊的高温性能、无磁性、低气体含量、良好的真空性能以及良好的加工性，在航空航天、汽车、电子等领域正得到日益广泛的应用。为了更有效的改进合金性能、优化合金成分与工艺选择，有必要掌握相图和热力学信息。本文基于计算相图的CALPHAD方法，对Cu-Mo-X(X:Ni,Si,Th,Er)四个三元系的相平衡进行了试验测定和热力学优化与计算，主要研究工作如下： (1)本文通过合金法实验测定了Cu-Mo-Ni三元系在1100℃、1200℃和1300℃以及Cu-Mo ...
李贻甫
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Gaoya dianqi, 2021 交流高压输电线路下停有客车时,人触碰客车的金属表面时产生的接触电流对人的身心健康造成影响。求解接触电流的大小可以给交流高压输电线路的设计以及相应的安全规则提供重要指导意义。文中提出了一种计算交流高压输电线路下人与客车稳态接触电流的数值方法。该方法基于互易定理求出客车的开路电压,使得输电线路电场的计算不受客车停车位置的影响,同时大大减少了计算量。然后构造人与客车接触时的等效电路,计算了稳态接触电流的大小并进行参数影响分析 ...
姜玲 +5 more
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Fabrication and Performance of Cu6Sn5 Alloy Anode Using Porous Cu as Current Collector [PDF]
, 2009 Porous Cu was fabricated by electrodeposition through a kinetic template of hydrogen bubbles. The product was subsequently annealed to increase its structural stability.
Dong, Quan-Feng +13 more
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Gaoya dianqi, 1994 1.问题的提出运行中的开关触头或导线（母线排）的接头,受空气氧化和电弧高温作用在其表面形成表面膜（如氧化膜或气体、液体的吸附膜）使接触电阻增加,当有大负载电流流过时,接触发热将超过《GB763—90》规定的允许温度及温升值.由于发热点所处的位置不同,在某些关键部位考虑到生产的重要性,是不允许轻易停电处理的.但如不及时处理或不采取有效措施,又将使接触氧化加快,接触电阻日益增加发生氧化的恶性循环,最后导致接触点过热甚至形成电弧放电或相间电弧短路事故,造成被迫性的人为拉闸或自动跳闸停电而影响生产,并损坏设备.
王盛起, 万世福
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Technologies of MEMS packaging [PDF]
, 2005 【中文文摘】介绍了微机电(MEMS)封装技术,包括晶片级封装、单芯片封装和多芯片封装、模块式封装与倒装焊3种很有前景的封装技术。指出了MEMS封装的几个可靠性问题,最后,对MEMS封装的发展趋势作了分析。 【英文文摘】The technologies of MEMS packaging are introduced,including three promising technologies:wafer level packaging,single-chip packaging and multi ...
陈一梅, 黄元庆
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Gaoya dianqi, 2010 采用近似分析方法推导出在水平接地网接地导体周围人工改善土壤后水平接地网的等效接地导体半径,结合已有的均匀土壤中水平接地网接地电阻及最大接触电压的计算公式,提出人工改善土壤后水平接地网接地电阻及最大接触电压的计算方法,并通过分析得出:人工改善土壤对降低接地网接地电阻的作用甚微,但能有效降低接地网的最大接触电压。
刘渝根 +3 more
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