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, 1996 利用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火工艺在n-GaAS上形成低阻的欧姆接触.研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系,400～500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～10~(-6)Ω·cm~2.接触层的表面光滑、界面平整.利用俄歇电子谱(AES)和二次离子质谱(SLMS ...
谢小龙 +4 more
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一种利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在晶片表面涂布抗蚀剂；步骤2：采用飞秒激光直写技术，在抗蚀剂表面形成图形；步骤3：采用电子束蒸发技术，在图形的表面蒸发金属，使金属附着于图形的上面，同时该金属还附着于剩余抗蚀剂的上面；步骤4：剥离晶片表面涂布的抗蚀剂，并同时剥离掉抗蚀剂上面的金属，得到金属 ...
杨富华 +3 more
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, 2014 本发明涉及一种高电导率固体氧化物燃料电池抗高温氧化柔性连接部件，通过在合金网状体或泡沫状体表面涂覆涂层材料，构成抗高温氧化保护涂层，同时具有较好的导电性能，制备成的在高温氧化气氛下具有高电导率柔性连接部件，得到的连接部件即具有较高的电导率，又具有高温抗氧化能力。表面涂覆的涂层中含钙钛矿结构、尖晶石结构、萤石结构或金红石结构的氧化物中的一种或二种以上，且其中至少一种氧化物在500-900°C具有1S/cm以上的电导率。本发明柔性连接部件能改善固体氧化物燃料电池的电极或连接体与集电部件间接触 ...
涂宝峰, 程谟杰
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Gaoya dianqi, 2019 为了研究GW4-220 kV高压隔离开关热稳定性,在建立矩形和W形截面触指触点静态接触下接触系统稳、瞬态数学模型和有限元模型的基础上,从理论和仿真两方面研究了隔离开关在50 kA/3 s下的热稳定性。结果表明:导电回路发热主要出现在接触系统,而接触处发热又主要为接触电阻发热,最高温度出现在接触线处;在承受短路电流50 kA/3 s时,热稳定性较差;W形截面触指系统最大温升明显小于矩形截面触指系统。
邓斌, 杨帆, 王国志, 吴文海
doaj
, 2005 用LPCVD在si（111）上异质外延了n型3C-SiC，并在所外延的3C-SiC上蒸发Au／Ti，通过不同温度下的RTA（快速热退火）形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti／3C-SiC欧姆接触的ρc（比接触电阻率）进行测量，在750℃退火后Ti／3C-SiC的ρc达到了最低值为3．68×10^-5Ω·cm^2这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化 ...
刘忠立, 孙国胜, 尚也淳
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四川大学学报. 自然科学版, 2014 本文对动态量子点驱动的通过三个量子点接触的电子输运的静电调制效应进行了研究.通过对栅极施加不同电压形成不同的量子点接触静电势,从而改变动态量子点的形状.随着栅极电压的改变,电子库中的费米能也会随之改变,同时,影响下一个量子点接触的静电势垒的梯度.实验证明,量子点接触的电势并不总是阻碍电子输运.电势的调制能够帮助我们了解电子与电子之间的库伦阻塞效应.
吴海强, 郭华忠
doaj
, 2014 本实用新型一种电池焊接用激光焊接夹具，包括底座、位于底座上方的压块，底座包括底板、位于底板两端且与底板垂直固连的滑轨；压块的侧面设置有滑槽；滑槽与滑轨相适配；底座上设置有多个用于限定电池位置的定位孔，定位孔的尺寸与电池的外径相适配，压块上设置有多个用于电池焊接的焊接孔；焊接孔与定位孔的位置一一匹配。本实用新型激光焊接夹具大大方便了焊接过程，能够准确定位电池，保证电池之间的间距；且在焊接过程中将电池固定夹紧，防止电池的晃动和倾倒 ...
李宏斌 +4 more
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, 2013 本发明涉及一种电池焊接用激光焊接夹具，包括底座、位于底座上方的压块，底座包括底板、位于底板两端且与底板垂直固连的滑轨；压块的侧面设置有滑槽；滑槽与滑轨相适配；底座上设置有多个用于限定电池位置的定位孔，定位孔的尺寸与电池的外径相适配，压块上设置有多个用于电池焊接的焊接孔；焊接孔与定位孔的位置一一匹配。本发明激光焊接夹具大大方便了焊接过程，能够准确定位电池，保证电池之间的间距；且在焊接过程中将电池固定夹紧，防止电池的晃动和倾倒 ...
李宏斌 +4 more
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Gaoya dianqi, 1959 导电系统是许多电器中极及其重要的组成部分。例如高压断路器带接触系统及周围绝缘的主导电回路(图1—a),隔离开关带接触系统的裸露导电回路(1—a),接触器与低压断路器的接触系统(图1—b),高压电流互感器一次导电回路(图1—r)等等。由于各种具体电器结构散热情况复杂程度的不同,正确地考虑这些情况,分析计算发热与散热过程,对合理选择导电部分尺寸及结构佈置 ...
王士和
doaj
, 2009 利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和Ⅰ-Ⅴ测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异.样品在室温下的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag/ZnO接触性能有重要影响.在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触,电极生长温度低于150℃和高于200 ...
李新坤 +4 more
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