Results 91 to 100 of about 14,679 (214)
Dianci bileiqi, 2010 在不同温度下测量了稀土氧化物Gd2O3、Ce2O3掺杂ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电频谱,发现稀土氧化物的掺杂引起介电损耗显著增大。通过理论计算发现稀土氧化物掺杂后锌填隙和氧空位浓度显著增大,而耗尽层宽度明显减小。因此认为稀土氧化物引起施主性本征缺陷浓度的增大,导致Schottky势垒变薄,从而引起泄露电流的增大及非线性指数的下降。
成鹏飞, 李盛涛
doaj
Study on controllable growth and surface doping of large area CVD graphene [PDF]
, 2015 对石墨烯进行一定程度的改性是开发和实现其应用不可或缺的步骤。化学方法可能是最好的方法之一，目前，基于化学改性的石墨烯开发的触摸屏、超级电容、光电器件等应用已经取得了巨大的突破，越来越多的人们开始尝试通过化学的方法改善石墨烯的某一处或几处不完美之处，探索石墨烯在更多领域的应用。在实现其广泛应用的道路上，高质量石墨烯的可控制备同样是一个急需解决的问题。 本文在铜基CVD法石墨烯制备技术基础上，利用同位素标定及Raman、SEM等表征技术，在石墨烯生长机理 ...
黄志艺
core
Dianci bileiqi, 2020 为了提高ZnO压敏电阻综合电气性能,采用单一变量法研究了Bi2O3、Co2O3和Ni2O3不同比例掺杂对ZnO压敏电阻微观结构、电气性能及冲击老化特性的影响。研究结果表明:随着Bi2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸增大,直流1 mA参考电压减小,非线性系数先增大后减小,泄漏电流先减小后增大;随着Co2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸几乎没有变化,但晶粒间尖晶石数量增加,使得直流1 mA参考电压增大,非线性系数增大,泄漏电流先减小后增大;随着Ni2O3掺杂含量的增加 ...
曹伟 +5 more
doaj
Synthesis and Crystalline Phase Control of VO2 Powders [PDF]
, 2016 VO2是一种具有相变特性的热敏功能材料，半导体单斜晶相VO2(M)到金属导体相VO2(R)的可逆转变，导致红外透光率变化，在建筑、汽车等领域有应用前景。在具体应用中，粉体粒径过大或是相变温度过高限制了其应用的发展。因此，探索单斜晶相VO2(M)粉体的高效制备方法、晶相控制以及研究细化粒径和降低相变温度的影响因素，具有挑战性。 本论文采用了液相沉淀-煅烧法与湿化学-热分解法，制备了单一组分的单斜晶相VO2(M)粉体，实验以V2O5为原料，第一步通过添加盐酸肼和浓盐酸，制备VOCl2前驱体溶液 ...
黄敏
core
Dianci bileiqi, 2007 研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%～0.8%（摩尔分数）的氧化钇（Y2O3）,其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%（摩尔分数）时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相（Zn-Sb-Y-O）和含铋相（Bi-Sb-O ...
黄彩清, 肖汉宁, 洪秀成, 成茵
doaj
Fushe yanjiu yu fushe gongyi xuebao本研究采用γ辐射诱导合成方法制备了氧化锌（ZnO）及金属掺杂ZnO（M-ZnO，M=Mg/Li/Al/Ga/Ni/Fe）纳米材料，用于提升光电器件电子传输层（ETL）性能。通过60Co辐照装置（剂量率6.25 kGy/h）对前驱体溶液进行40~200 kGy辐照，实现了低温高效结晶。X射线衍射与扫描电子显微镜表征表明，150 kGy吸收剂量下ZnO晶粒尺寸与结晶度最优，形成长棒状结构，紫外吸收光谱显示带隙为3.03 eV。掺杂元素调控实验发现，Ni/Al/Ga可增强荧光强度（400~450 nm ...
靳 笑天 +5 more
doaj +1 more source
Transition metal compounds and alloys: A first-principles investigation [PDF]
, 2015 含过渡金属的化合物与合金在数据存储、光催化和能量存储与转换等领域有重要的应用，主要得益于其特定的电子结构、力学性能等性质。本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，选取特定的研究体系，系统地探索了过渡金属化合物与合金的电子结构（第三章）、内部原子扩散（第四章）、力学性能（第五章）以及压力与温度对其性质的影响（第六章）。 为了研究缺陷和掺杂对过渡金属氧化物电子结构的调制，我们以SrZrO3为研究对象，首先研究了内部含有有序氧空位和部分无序氧空位体系的电子结构。计算结果表明 ...
郭忠路
core
Dianci bileiqi综述了近年来国内外稀土氧化物掺杂改性ZnO-Bi2O3（Zn-Bi）基压敏陶瓷的研究进展（2012年至2024年）。适量掺杂稀土氧化物可明显地减小Zn-Bi基压敏陶瓷的晶粒尺寸，并且使陶瓷晶粒尺寸大小分布均匀，提高陶瓷的致密度，可以有效地调控Zn-Bi基压敏陶瓷的综合性能和微观结构，可以显著地提高Zn-Bi基压敏陶瓷的电位梯度、降低漏电流密度、增大非线性系数等。掺杂1.2 mol% Y2O3的Zn-Bi基压敏陶瓷具有最好的综合电性能，电压梯度为2113 V/mm，非线性系数为184.6，漏电流密度为0 ...
陈映义 +4 more
doaj
稀土氧化物对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒分布及电气性能的影响
Dianci bileiqi, 2008 研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒尺寸和电气性能的影响,结果表明,稀土氧化物可有效地抑制ZnO晶粒的生长,掺杂Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3后,晶粒的主要分布分别为0～18μm、0～14μm、0～11μm、0～16μm;平均晶粒尺寸下降,其中掺杂Gd2O3后晶粒尺寸最小,为6.2μm。ZnO晶粒分布的标准方差明显下降,改善了晶粒尺寸分布的均匀性。掺杂稀土氧化物后,电位梯度显著提高,E1mA达到了427.5V/mm ...
李盛涛, 成鹏飞, 王玉平, 朱斌
doaj
Research on supersaturated titanium doping in monocrystalline silicon realized by continuous wave laser irradiation [PDF]
, 2015 在能源日益紧缺环境污染日益加剧的形势下，光伏发电以其分布广泛、清洁无污染等优点成为21世纪解决能源危机和环境问题的重要手段。晶体硅太阳电池因具有高的光电转换效率、低污染、性能稳定、技术成熟等优点，是市场的主流产品，在可预见的未来仍然持续占据主导地位。如何进一步提高晶体硅太阳电池的光电转换效率是今后的努力方向。中间带太阳电池作为第三代的新概念太阳电池，通过中间带能吸收原先透过电池的红外光，从而提高光电转换效率。在硅中掺入过渡金属杂质，当掺杂浓度超过Mott极限时，将会在硅的禁带中形成中间能带 ...
范宝殿
core