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Preparation and Photoluminescence of Europium-doped Silicon Based Oxynitride Phosphors by Polymer-derived Method [PDF]
, 2015 铕掺杂硅基氮氧化物荧光粉具有高的热稳定性、对环境友好及优异的发光性能，在照明显示领域具有很大的应用前景。目前，这类材料的制备通常采用固相反应法，需要高温高压等苛刻条件，因此，有必要研究和开发一种原料简单、制备条件温和的制备铕掺杂硅基氮氧化物荧光粉的新方法。 本论文探讨了一种以固态聚碳硅烷和乙酰丙酮铕为原料，通过先驱体转化法制备铕掺杂硅基氮氧化物荧光粉的制备方法。该方法首先将固态聚碳硅烷与乙酰丙酮铕在320~380oC下进行反应得到聚铕碳硅烷先驱体；然后在氨气气氛中将聚铕碳硅烷先驱体升温至800oC ...
李泉
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Carbon‐Insertion‐Engineered WS2 Hierarchical Heterostructure Enabling Superior Sodium‐Ion Storage
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT Tungsten disulfide (WS2) is considered a promising anode material for sodium‐ion batteries (SIBs). However, its practical application is hindered by poor electrical conductivity, large volume changes during cycling, and sluggish ion diffusion kinetics, which lead to unsatisfactory electrochemical performance.
Xiuli Hu +9 more
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Dianci bileiqi, 2009 综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,
巫欣欣 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2020 采用溶胶-凝胶法成功制备了梯度掺杂CaCu3Ti4-xZrxO12（x=0、0. 05、0. 10、0. 15、0. 20）薄膜。通过X射线衍射及扫描电镜对其相结构及显微组织进行分析;采用压敏电阻直流参数仪和精密阻抗分析仪对其压敏和介电性能进行研究。研究结果表明,Zr梯度掺杂不仅能显著降低CCTO薄膜的晶粒尺寸,而且提高其非线性系数。相比于下梯度掺杂,Zr上梯度掺杂CCTO薄膜综合电性能最好,其中非线性系数为α=8. 3,漏电流IL=102μA,压敏电压VT=7. 44 V/mm,介电损耗tanδ=0.
郁倩 +4 more
doaj
Preparation and Characterization of Sulfur Modified Lithium Iron Silicates as Cathode Materials [PDF]
, 2016 硅酸铁锂作为一种新型的聚阴离子型正极材料，具有原料丰富、结构稳定、理论容量高等优点，有望成为理想的动力电池正极材料。硅酸铁锂完全脱出两个锂离子对应的理论容量高达333mAh/g，但由于第二个锂离子的脱嵌电压过高和体积变化过大，硅酸铁锂只能脱出一个锂离子。硫改性能有效地降低硅酸铁锂的脱嵌电压和结构破坏，从而实现第二个锂离子的脱嵌，因此，有必要探索硫取代硅酸铁锂的合成方法，从而制备出高性能的硫取代硅酸铁锂正极材料。本论文采用溶胶-凝胶和固相烧结法，以硫脲作为硫源 ...
张存皓
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Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT Early detection of thermal runaway (TR) is essential for lithium‐ion battery (LIB) safety, as unchecked TR risks catastrophic failures in energy storage systems. Gas‐based sensing offers a faster and more direct approach by detecting decomposition products at the molecular level.
Tianshui Liang +9 more
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Dianci bileiqi, 2021 研究了不同掺杂含量的Gd2O3对氧化锌（ZnO）压敏电阻片的电气性能、微观特性、物相特性和介电特性的影响。研究表明,掺杂Gd2O3对ZnO敏电阻片的电气性能具有重要影响,掺杂过量的Gd2O3对ZnO敏电阻片的晶粒生长具有抑制作用,锌填隙浓度提升,具体表现在电位梯度、泄漏电流提升而非线性系数大大减小。而掺杂少量的Gd2O3提升氧空位浓度,减小锌填隙浓度,进而抑制泄漏电流。此时掺杂量在0.5%（摩尔分数）Gd2O3电气参数分别为526 V/mm、15μA/cm2、非线性系数28 ...
赵霞 +6 more
doaj
Sm3+,Sr2+共掺杂对CeO2基电解质性能影响的密度泛函理论+U计算
, 2018 Sm3+，Sr2+共掺杂CeO2的离子电导率被证实可高达Sm3+掺杂CeO2离子电导率的近两倍，然而，共掺杂对CeO2电导率的作用机理尚不明确.本文利用第一性原理计算的密度泛函理论+U方法，对Sm3+和Sr2+共掺杂的CeO2进行了系统的研究，对比Sm3+或Sr2+单掺杂的CeO2体系，计算并分析了共掺杂体系的电子态密度、能带结构、氧空位形成能以及氧空位迁移能等微观属性.计算结果表明，Sm3+，Sr2+的共掺杂对CeO2基电解质性能的提高具有协同效应，二者的共掺杂不仅能协同抑制CeO2体系的电子电导率 ...
陈美娜 +5 more
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Roll-to-roll growth of oversize hexagonal BN films and its applications in 2D optoelectronic devices [PDF]
, 2016 随着半导体材料和器件技术地迅速发展，实际应用中，对于短波长光电器件、高功率和高频率电子器件的开发和需求日益增加，逐步揭示了限制光电子器件发展的问题。首先，大规模生产的新型光电子器件对所需的二维材料有了更高的要求，强烈需要一个大尺寸（晶圆尺寸以上）的薄膜合成。其次，从光电子器件的基本结构角度来看，为了实现光电转换功能，电注入和pn结仍然是主流结构，也就是说从材料合成走向实际器件应用，p、n型导电层的制备通常都扮演着关键性的角色。最后，就是利用材料的各项特性，将其应用到各种研究领域。本文针对这三大方面问题 ...
伍臣平
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Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT The sluggish kinetics of the oxygen reduction reaction (ORR) necessitate developing oxygen electrodes with enhanced electrocatalytic activity for practical zinc–air battery applications. In this study, an iron‐doped copper sulfide electrocatalyst (CuFeNS‐PNC) anchored on metal–organic framework‐derived carbon substrates was designed, featuring
Taichong Chitboonyakasem +4 more
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