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Zhejiang Daxue xuebao. Lixue ban, 2007 采用溶胶凝胶法合成了尖晶石型LiMn2O4正极材料，选取钴、铈和镁作为掺杂元素，考察了钴、铈和镁的掺杂对LiMn2O4正极材料的结构和电化学性能的影响.并运用XRD、IR、BET等方法对所合成的材料进行了表征.实验结果表明，掺杂一定量钴、铈和镁后的LiMn2O4正极材料循环寿命优于未经掺杂的LiMn2O4正极材料，循环50次后，3种掺杂后所得的电池材料的容量保持率均达95%以上.其中以掺杂钴的LiCo0.2Mn1.8O4正极材料循环性能最好，首次充放电容量达到105.6 mAh/g，50次循环后 ...
CHENMin(陈敏) +2 more
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Zhejiang Daxue xuebao. Lixue ban, 2018 采用第一性原理研究了 Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系(Li1.1(Zn1-xCrx)As) (x= 0.1)的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先，通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到稳定构型的能量，发现一定的Li过量、Cr掺杂浓度下，当掺杂的Cr原子之间的初始距离一定时，过剩的Li空位之间的距离对其构型稳定性有较大影响；其次，分析了 Cr掺杂LiZnAs的磁性来源，发现其磁性主要来源于Cr原子的3d轨道；最后，研究了 Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构 ...
ZHANGYunli(张云丽) +5 more
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Microcrystallite characters and photocatalytic activity of TiO2 doped with C60(掺C60二氧化钛微晶特性和光催化活性研究)
Zhejiang Daxue xuebao. Lixue ban, 2001 通过热分析、X射线衍射以及光活性测试，分析了不同掺杂量、不同煅烧温度下掺杂C60二氧化钛微晶样品，研究了掺杂对二氧化钛光活性的改善情况.C60掺杂二氧化钛体系中C60的热解温度明显提前，二氧化钛的晶化温度延迟、相变受到抑制且光活性得到一定程度的提高，其微晶参数也有一定规律变化.
JINDa-lai(金达莱) +3 more
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不同PtNPs掺杂量石墨烯传感器检测SF6分解组分的气敏特性
Gaoya dianqi, 2022 气体绝缘组合电器（gas insulated switchgear,GIS）中SF6气体放电分解组分的检测,对GIS内部局部放电的严重程度的判断和状态维修具有重要的意义。本文提出运用Pt纳米颗粒（PtNPs）掺杂石墨烯对SF6放电分解组分进行检测,目的是为GIS的在线监测提供一种方法。采用一步化学还原法研制出不同PtNPs掺杂量石墨烯传感器,对SF6主要分解组分进行了气敏响应实验,并对比了不同PtNPs掺杂量的石墨烯传感器及本征石墨烯传感器的气敏特性曲线,初步探讨了其气敏响应机理。实验结果表明 ...
皮守苗 +3 more
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Dianci bileiqi, 2023 笔者主要研究了Fe3+离子掺杂引入对ZnO基压敏电阻微观结构及综合电气性能的影响。实验结果表明，随着铁离子掺杂量的增加，ZnO压敏电阻的电位梯度持续不断升高，非线性系数先升高而后降低，漏流先减小再增大，压比逐渐增加。分析认为，掺杂少量Fe3+时，可作为受主元素提高表面态密度，从而使非线性系数升高；随着掺杂量的增加，Fe3+转变为Fe2+进入ZnO晶粒内部，作为替位离子取代了部分Zn2+,由于r(Fe2+)>r(Zn2+),该取代产生了压应力对ZnO晶格产生挤压，减小晶格空隙，从而阻止了其他掺杂离子的进入，
李竹韵 +6 more
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Dianci bileiqi, 2009 综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,
巫欣欣 +4 more
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Dianci bileiqi, 2020 采用溶胶-凝胶法成功制备了梯度掺杂CaCu3Ti4-xZrxO12（x=0、0. 05、0. 10、0. 15、0. 20）薄膜。通过X射线衍射及扫描电镜对其相结构及显微组织进行分析;采用压敏电阻直流参数仪和精密阻抗分析仪对其压敏和介电性能进行研究。研究结果表明,Zr梯度掺杂不仅能显著降低CCTO薄膜的晶粒尺寸,而且提高其非线性系数。相比于下梯度掺杂,Zr上梯度掺杂CCTO薄膜综合电性能最好,其中非线性系数为α=8. 3,漏电流IL=102μA,压敏电压VT=7. 44 V/mm,介电损耗tanδ=0.
郁倩 +4 more
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Dianci bileiqi, 2021 研究了不同掺杂含量的Gd2O3对氧化锌（ZnO）压敏电阻片的电气性能、微观特性、物相特性和介电特性的影响。研究表明,掺杂Gd2O3对ZnO敏电阻片的电气性能具有重要影响,掺杂过量的Gd2O3对ZnO敏电阻片的晶粒生长具有抑制作用,锌填隙浓度提升,具体表现在电位梯度、泄漏电流提升而非线性系数大大减小。而掺杂少量的Gd2O3提升氧空位浓度,减小锌填隙浓度,进而抑制泄漏电流。此时掺杂量在0.5%（摩尔分数）Gd2O3电气参数分别为526 V/mm、15μA/cm2、非线性系数28 ...
赵霞 +6 more
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Dianci bileiqi, 2006 研究了铌对Ce,Nb掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,在1 350℃烧结条件下,掺入0.8%Nb2O5的样品具有优良的综合电性能,显示出低的压敏电压（U1mA=7.22V/mm）、高的非线性系数（α=5.76）,是一种很有潜力的新型电容-压敏陶瓷材料。铌掺杂主要是Nb5+对Ti4+的掺杂取代,该掺杂存在一饱和值。Nb2O5在不同的掺杂浓度下,存在的形式和位置不同,同时与一些低熔点化合物相如Ce2Ti2（Si2O7）O4等相互作用,使得样品的电性能发生变化。
姬颖敏 +4 more
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Dianci bileiqi, 2010 采用固相法制备Sc2O3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了Sc2O3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。Sc2O3掺杂氧化锌压敏瓷1 000℃烧结的性能较好;当Sc2O3掺杂量掺杂浓度（摩尔分数）为0.3%时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好,其压敏电位梯度为821 V/mm,非线性系数为62,漏电流为0.16μA。
徐东, 史小锋, 程晓农
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