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High‐Brightness Delayed Imaging Realized by Embedding Zinc Gallate Nanocrystals Into Glass
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT X‐ray delayed imaging technology leverages an “irradiation‐storage‐thermally stimulated readout” mode, demonstrating unique advantages in intermittent monitoring scenarios such as high‐temperature/high‐radiation environments. This typically requires materials combining abundant carrier‐trapping energy levels with structural thermostability ...
Jun‐Xiao Wu +6 more
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Guangtongxin yanjiu, 2012 对光触发晶闸管应用中使用较广泛的一种特种光纤进行了性能分析,对该光纤的芯层与包层的掺杂和包层/芯层直径比等关键光学特性进行了系统的研究,为光触发晶闸管寻找到性价比较优的特种光纤提供了参考。通过对比分析得出,在光触发晶闸管触发应用中,光纤设计类型为芯层直径200μm,包层直径250μm;采用阶跃折射率分布设计;芯层掺杂为锗氟共掺,芯层掺杂量为锗元素16mol%、氟元素5mol%;包层掺杂为氟元素,包层掺杂量为1mol%的光纤触发性能较优,适合光触发晶闸管的应用。
董朝阳 +7 more
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Dianci bileiqi, 2023 研究了不同含量Ga3+掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构，电学性能的影响。微观结构上，掺杂Ga3+没有对压敏电阻的相组成产生改变但抑制了氧化锌晶粒的生长，并使得尖晶石数量增多，尺寸减小；电学性能上，因为势垒下降和晶界电导率提高少量增加的Ga3+掺杂就显著增大了漏电流，降低了非线性，提高了压敏电阻的梯度。当Ga3+掺杂量增加到0.014 mol%时，压敏电阻在5 kA冲击下达到了最小残压比为1.72,此时电位梯度309.05 V/mm,非线性系数为18.0,漏电流为20μA。
江海波 +6 more
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The Study of Band Engineering and Polarization-induced Doping in AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode [PDF]
, 2016 Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料，具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点，适合制作高频、高功率、耐高温和抗辐射的电子器件，比如AlGaN基紫外发光二极管。但是紫外发光二极管依然存在低量子效率、低光输出功率等问题，提高晶体质量和载流子注入效率是解决问题的两个主要思路。影响载流子注入效率的一个重要因素是内部极化场引起的能带弯曲，本文基于APSYS软件，主要围绕紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂展开研究。 首先，本文回顾了紫外LED的发展历程，介绍了AlGaN半导体材料的结构和性质，
刘松青
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Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT Efficient and durable bifunctional electrocatalysts are vital for scalable water electrolysis. Here, we realize cobalt‐vacancy (Covac) engineering in CoFeP supported on N,P‐codoped carbon nanocages (Co1‐vacFeP/NPC) through a simple route comprising a CoFe Prussian blue analog precursor, phosphidation–pyrolysis, tannic‐acid etching, and a ...
Yuan‐Liang Yuan +6 more
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Dianci bileiqi, 2019 使用固相反应法制备了不同浓度K+掺杂的CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K+优先替代了Ca2+形成受主掺杂。根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小。当掺杂浓度超过6 mol%时,晶胞膨胀形成了Cu空位。介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大。
曹壮, 成鹏飞, 宋江
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Mg dopant engineering of high Al-content AlGaN semiconductor [PDF]
, 2015 AlGaN半导体是制备紫外光电器件的理想材料，其深紫外光源器件在照明、杀菌消毒、环境净化、以及高密度光学数据存贮等方面有着重大的应用价值和广阔的市场前景。不过，由于高Al组分AlGaN半导体的p型掺杂困难和发光偏振性因价带反转而引起变化等问题，导致深紫外光源器件的效率低，且随波长减小急剧下降，制约了它的发展应用。本论文采用第一性原理计算模拟和MOVPE外延技术针对以上两方面问题展开了系统研究，具体研究工作如下： 提出采用MOVPE表面工程技术解决AlGaN半导体p型掺杂中的Mg溶解度低问题。首先 ...
郑同场
core
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT The development of efficient and stable bifunctional catalysts remains a key challenge for green hydrogen production via electrochemical water splitting. In this study, a bimetallic Mo/Fe‐doped CoP2 nanoleaf array anchored on carbon cloth (Mo, Fe‐CoP2@CC) was synthesized from zeolitic imidazolate framework‐L (ZIF‐L) via an ion‐exchange and low‐
Xiangqun Zeng +6 more
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Dianci bileiqi, 2010 掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用。发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制。因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响。
成鹏飞, 王玉平
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(Cu,N)共掺杂TiO 2 /MoS 2 异质结的电子和光学性能:杂化泛函HSE06
, 2018 在密度泛函理论的基础上，系统地研究了Cu/N（共）掺杂的TiO2/MoS2异质结体系的几何结构、电子结构和光学性质.计算发现，TiO2/MoS2异质结的带隙相比于纯的TiO2（101）表面明显变小，Cu/N（共）掺杂TiO2/MoS2异质结体系的禁带宽度也明显地减小，这导致光子激发能量的降低和光吸收能力的提高.通过计算Cu/N（共）掺杂TiO2/MoS2的差分电荷密度，发现光生电子与空穴积累在掺杂后的TiO2（101）表面和单层MoS2之间，这表明掺杂杂质体系可以有效地抑制光生电子-空穴对的复合.此外 ...
王冠仕 +4 more
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