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Dianci bileiqi, 2004 笔者介绍了SnO2掺杂对SrTiO3环形压敏电阻性能的影响。电性能测试结果表明,掺杂SnO2的摩尔分数X（SnO2）在0.5%～1.0%的范围内,随掺杂SnO2摩尔分数的增加,试样的压敏电压从8.0V下降到4.0V,电容量从68nF增大到112nF,非线性系数α和介质损耗tanδ基本保持不变。试样的焊接变化率和高低温及温度循环试验特性均满足技术要求,但温度系数偏大。
李红耘, 熊西周
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Dianci bileiqi, 2010 在不同温度下测量了稀土氧化物Gd2O3、Ce2O3掺杂ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电频谱,发现稀土氧化物的掺杂引起介电损耗显著增大。通过理论计算发现稀土氧化物掺杂后锌填隙和氧空位浓度显著增大,而耗尽层宽度明显减小。因此认为稀土氧化物引起施主性本征缺陷浓度的增大,导致Schottky势垒变薄,从而引起泄露电流的增大及非线性指数的下降。
成鹏飞, 李盛涛
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Dianci bileiqi, 2007 研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%～0.8%（摩尔分数）的氧化钇（Y2O3）,其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%（摩尔分数）时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相（Zn-Sb-Y-O）和含铋相（Bi-Sb-O ...
黄彩清, 肖汉宁, 洪秀成, 成茵
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Dianci bileiqi, 2020 为了提高ZnO压敏电阻综合电气性能,采用单一变量法研究了Bi2O3、Co2O3和Ni2O3不同比例掺杂对ZnO压敏电阻微观结构、电气性能及冲击老化特性的影响。研究结果表明:随着Bi2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸增大,直流1 mA参考电压减小,非线性系数先增大后减小,泄漏电流先减小后增大;随着Co2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸几乎没有变化,但晶粒间尖晶石数量增加,使得直流1 mA参考电压增大,非线性系数增大,泄漏电流先减小后增大;随着Ni2O3掺杂含量的增加 ...
曹伟 +5 more
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Dianci bileiqi综述了近年来国内外稀土氧化物掺杂改性ZnO-Bi2O3（Zn-Bi）基压敏陶瓷的研究进展（2012年至2024年）。适量掺杂稀土氧化物可明显地减小Zn-Bi基压敏陶瓷的晶粒尺寸，并且使陶瓷晶粒尺寸大小分布均匀，提高陶瓷的致密度，可以有效地调控Zn-Bi基压敏陶瓷的综合性能和微观结构，可以显著地提高Zn-Bi基压敏陶瓷的电位梯度、降低漏电流密度、增大非线性系数等。掺杂1.2 mol% Y2O3的Zn-Bi基压敏陶瓷具有最好的综合电性能，电压梯度为2113 V/mm，非线性系数为184.6，漏电流密度为0 ...
陈映义 +4 more
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Fushe yanjiu yu fushe gongyi xuebao本研究采用γ辐射诱导合成方法制备了氧化锌（ZnO）及金属掺杂ZnO（M-ZnO，M=Mg/Li/Al/Ga/Ni/Fe）纳米材料，用于提升光电器件电子传输层（ETL）性能。通过60Co辐照装置（剂量率6.25 kGy/h）对前驱体溶液进行40~200 kGy辐照，实现了低温高效结晶。X射线衍射与扫描电子显微镜表征表明，150 kGy吸收剂量下ZnO晶粒尺寸与结晶度最优，形成长棒状结构，紫外吸收光谱显示带隙为3.03 eV。掺杂元素调控实验发现，Ni/Al/Ga可增强荧光强度（400~450 nm ...
靳 笑天 +5 more
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稀土氧化物对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒分布及电气性能的影响
Dianci bileiqi, 2008 研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒尺寸和电气性能的影响,结果表明,稀土氧化物可有效地抑制ZnO晶粒的生长,掺杂Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3后,晶粒的主要分布分别为0～18μm、0～14μm、0～11μm、0～16μm;平均晶粒尺寸下降,其中掺杂Gd2O3后晶粒尺寸最小,为6.2μm。ZnO晶粒分布的标准方差明显下降,改善了晶粒尺寸分布的均匀性。掺杂稀土氧化物后,电位梯度显著提高,E1mA达到了427.5V/mm ...
李盛涛, 成鹏飞, 王玉平, 朱斌
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Dianci bileiqi采用传统的SnO2+CoO+Nb2O5+Cr2O3压敏电阻体系，深入研究了MgO掺杂对SnO2基压敏电阻综合电性能和微观形貌的影响。结果表明，当MgO掺杂量为0.5%(摩尔分数)可获得最佳的电性能，非线性系数为32，电压梯度为284.3 V/mm，漏电流为7.1 μA。这是因为Mg2+作为受主掺杂剂，提高了表面态密度，当MgO的掺杂量超过SnO2样品的溶解度极限时，在晶界处形成尖晶石，由于钉扎效应阻止了ZnO晶粒的生长，因此晶粒尺寸减小并形成更多晶界，有效提高了SnO2压敏电阻的综合电性能 ...
孙岩 +6 more
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Dianci bileiqi采用两步烧结法制备稀土掺杂的氧化锌基非线性电阻，通过对其显微组织、相结构和电性能的分析，探讨不同含量的Sc2O3对氧化锌非线性电阻的影响。结果表明，两部烧结制备出的样品的致密度均高于97%。当Sc2O3掺杂量掺杂浓度为0.1%时ZnO非线性电阻的综合电性能最好，电位梯度为958 V/mm，非线性系数为61.2。因此，通过两步法烧结掺杂Sc2O3的ZnO非线性电阻可以获得均匀的显微结构和优异的电学性能。
石梦阳, 姜明, 徐东
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Dianci bileiqi, 2007 掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%（摩尔分数）Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%（摩尔分数）Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。
王玉平, 马军
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