[Preparation of porous boron nitride-doped polypyrrole-2,3,3-trimethylindole solid-phase microextraction coating for polycyclic aromatic hydrocarbon detection]. [PDF]
Se Pu, 2023 DU J +5 more
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theoretical studies of dificiency Strontium Titante and the application in electronic devices [PDF]
, 2015 ABO3型钙钛矿复合氧化物是一类多功能材料，因其含有过渡金属离子，这类材料表现出丰富的物理性质，如：高介电常数，低介电损耗，压电性质，铁电极化，高磁阻，超导等等。钛酸锶(SrTiO3)作为典型的钙钛矿氧化物功能材料，具有此类材料的各种优异的电学和磁学性质，通过对SrTiO3材料的掺杂(引入氧缺陷或是替换Sr原子或Ti原子)，进一步丰富了SrTiO3的性质，在许多电子器件，如：场效应晶体管，电阻开关器件，固体氧化物燃料电池，热电器件，燃料敏化太阳能电池中都有广泛应用。因此 ...
廖霞霞
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Multi-responsive deep-ultraviolet emission in praseodymium-doped phosphors for microbial sterilization. [PDF]
Sci China Mater, 2022 Zhou X, Qiao J, Zhao Y, Han K, Xia Z.
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Synthesis and Modification of High-voltage Lithium Nickel Manganese Oxide Cathode Material for Lithium-ion Batteries [PDF]
, 2014 随着锂离子电池的应用从手机、数码相机和笔记本电脑等电子仪器领域扩展至电动汽车、通信技术和移动存储设备等领域，人们对锂离子电池的性能，特别是对功率密度和工作电压，提出了越来越高的要求。锂离子电池工作电压和功率密度等性能，主要由正极材料决定。因此，发展高电压正极材料是发展高能量密度锂离子电池重要的研究方向之一。 LiMn2O4(LMO)具有低成本、低毒性和良好的安全性能等优点，被认为是一种理想的正极材料。然而LMO能量密度低，研究表明当向LMO掺杂一定量的镍形成镍锰酸锂LiNi0.5Mn1.5O4(LNMO)
王静
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[Preparation of Antibiotic-Loaded Copper-Doped Hydroxyapatite Microspheres and Evaluation of Their Antibacterial and Osteogenic Effect]. [PDF]
Sichuan Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban, 2021 Jiang BB, Li SH, Zheng W.
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Exploration of Supersaturated Ni-doped Monocrystalline Silicon Material Prepared by Continuous-wave Laser Irradiation [PDF]
, 2015 由于过饱和掺杂的硅基杂质中间带材料在中间带太阳电池和红外探测器等领域具有良好的应用前景，近年来受到了各国科研工作者的广泛关注和研究。本文首次选用Ni作为掺杂元素，从理论和实验两方面对Ni掺杂过饱和单晶Si材料形成中间带的可行性进行了探索。理论方面，基于密度泛函理论(DFT)对Ni掺杂体Si的形成能、电子结构和光学性质进行了第一性原理计算。实验方面，采用溅射镀膜结合连续线形激光扫描的方法成功制备了Ni掺杂过饱和单晶Si材料；并对Ni掺杂过饱和单晶Si材料的结晶特性与光电特性进行了表征与分析 ...
陈蓉
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Dianci bileiqi, 2016 研究制备了掺杂稀土的高铝质电瓷,考察了不同稀土种类、不同掺杂量对电瓷抗弯强度的影响。结果表明,添加0.5%的氧化钇可使无釉和上釉电瓷抗弯强度均提高20%以上,同时降低烧结温度25℃左右,减少能耗,降低生产成本。还通过XRD、SEM等手段初步分析了掺杂稀土提高电瓷抗弯强度的原理。
吴文花 +4 more
doaj
Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
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[Adsorption characteristics of six bisphenol compounds on magnetic three-dimensional nitrogen-doped carbon nanomaterials and their use in effervescent reaction-assisted dispersive microextraction]. [PDF]
Se Pu, 2022 Liu T +8 more
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过渡金属元素X(X=Mn,Fe,Co,Ni)掺杂对ZnO基阻变存储器性能的影响
, 2018 实验表明掺杂是一种改善阻变存储器性能的有效手段，但其物理机理鲜有研究.本文采用第一性原理方法系统研究了过渡金属元素X（X=Mn，Fe，Co，Ni）掺杂对ZnO基阻变存储器中氧空位迁移势垒和形成能的影响.计算结果表明Ni掺杂可同时有效降低+1和+2价氧空位在掺杂原子附近的迁移势垒，X掺杂均减小了氧空位的形成能，特别是掺杂Ni时氧空位的形成能减小最为显著（比未掺杂时减少了64%）.基于该结果制备了未掺杂和Ni掺杂ZnO阻变存储器，研究表明通过掺杂控制体系中氧空位的迁移势垒和形成能 ...
郭家俊 +4 more
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