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Study of P2-Type Layered Oxides and Mixed-Type Phosphates as Cathode Materials for Sodium Ion Batteries [PDF]

open access: yes, 2015
随着储能需求的不断增长,钠离子电池作为一类有潜力的廉价能源储存体系开始受到越来越大的关注。为了使钠离子电池在能量密度上具有更强的竞争力,就必须发展具有较高电压的正极材料。正极材料主要可以分为两大类,即氧化物型和聚阴离子型。其中,P2型层状Na-Ni-Mn-O体系和混合聚阴离子型Na4Fe3(PO4)2(P2O7)体系分别在两大类材料中具有相对较高的放电电压。然而,若要使这两类材料体系发挥出较好的电化学性能,仍有许多问题亟待解决。P2型Na-Ni-Mn ...
吴学航
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镨掺杂分布对1.3μm光纤放大器特性影响

open access: yesGuangtongxin yanjiu, 1996
对掺氟化镨玻璃光纤放大器的小信号增益,用广义的高斯近似公式可获得精确的分析表达。文中研究了限制光纤芯层中央部分的镨掺杂对光纤放大器特性的影响,结果发现限制镨掺杂分布能改进光纤放大器的工作效率 ...
竺逸年
doaj  

Epitaxial growth of non-polar ZnO films and the related nitrogen-doping studies [PDF]

open access: yes, 2015
近几十年来,宽禁带化合物半导体ZnO材料由于其自身拥有的诸多优点而越来越受到研究者的重视,然而其p型材料制备的困难依然是制约其在光电器件方面大力发展的瓶颈。本论文的主要研究思想在于从ZnO的结构方面寻求p型掺杂研究的突破。主要是利用分子束外延(MBE)的技术分别在ZnO(10-10)和MgO(100)两种衬底上分别同质和异质外延生长了纤锌矿ZnO(10-10)和立方ZnO(001)两种非极性的薄膜。并对ZnO(10-10)薄膜进行了掺氮的初步探索研究。采用原位的反射高能电子衍射(RHEED ...
王小丹
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ZnO-Pr6O11基压敏电阻的研究进展

open access: yesDianci bileiqi, 2013
从组织结构、压敏机理、制备技术和稀土掺杂作用这4个部分详细综述了各种稀土氧化物在ZnO-Pr6O11基压敏电阻中的掺杂影响并解释了它们的作用机理,阐明稀土氧化物掺杂仍然是改善ZnO-Pr6O11基压敏电阻的电学性能的主要研究方向。制备工艺的完善对改善ZnOPr6O11压敏电阻材料性能也有不可忽视的作用。
何恺   +4 more
doaj  

[Mn2+-doped Prussian blue nanoparticles for T1-T2 dual-mode magnetic resonance imaging and photothermal therapy in vitro]. [PDF]

open access: yesNan Fang Yi Ke Da Xue Xue Bao, 2021
He G   +5 more
europepmc   +1 more source

Construction of Controlled Drug Release System based on Photothermal Conversion Property of Polypyrrole [PDF]

open access: yes, 2016
聚吡咯(PPy)是一种有机导电聚合物,利用其优异的导电性、生物相容性以及较强的机械性能,可用作药物载体,并用电控制药物释放。此外,聚吡咯还具有较强的近红外吸收和理想的光热转换能力,聚吡咯纳米粒子(PPyNPs)的光热转化效率可达44.7%。结合这些优异性能,可实现聚吡咯材料在药物输送、生物传感及光热治疗等多个领域的应用。 本论文利用聚吡咯的光热转换性质,构建了两类基于近红外激光触发释药的药物释放体系: (1)月桂酸和聚乳酸复合的药物载体点阵,点阵中每一个点由两部分组成,包括内层药物核心和外部保护层 ...
王诗卉
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Research of Ge Junction Technology and Ge Lateral PIN Photodetector [PDF]

open access: yes, 2015
锗材料因其具有比硅材料更高的载流子迁移率,在通信波段具有高的吸收系数,以及与主流硅工艺相兼容等优点,成为下一代高性能集成电路半导体MOSFET器件沟道的首选替代材料。经过十余年研发,当前Gep-MOSFET的性能已经取得实质性的进展,但相应Gen-MOSFET性能仍未取得突破,除了高k介质与Ge接触产生大量界面态外,还有以下两个原因:首先金属/n-Ge结界面强烈的费米能级钉扎效应和较高的接触势垒引入较大的器件串联电阻;其次Ge中n型杂质扩散严重,激活浓度低,不利于形成n+p浅结。因此,调制金属 ...
魏江镔
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SnO2掺杂对SrTiO3环形压敏电阻性能的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2004
笔者介绍了SnO2掺杂对SrTiO3环形压敏电阻性能的影响。电性能测试结果表明,掺杂SnO2的摩尔分数X(SnO2)在0.5%~1.0%的范围内,随掺杂SnO2摩尔分数的增加,试样的压敏电压从8.0V下降到4.0V,电容量从68nF增大到112nF,非线性系数α和介质损耗tanδ基本保持不变。试样的焊接变化率和高低温及温度循环试验特性均满足技术要求,但温度系数偏大。
李红耘, 熊西周
doaj  

Research on Patterning Fingerprint Texture for Cholesteric Liquid Crystal Gratings [PDF]

open access: yes, 2016
胆甾相液晶指纹织构光栅是基于胆甾相液晶在平面内的周期性排列的相位光栅,由于其在光束调制器件上的应用前景,近几年成为了面向非显示应用的液晶研究领域中的热点之一。聚合物稳定的胆甾相液晶指纹织构光栅实现了零电场下稳定的液晶光栅阵列,发挥了聚合物高分子材料和液晶相结合的优势,可以克服胆甾相液晶指纹织构光栅实用性低的缺点;在此基础上,实现胆甾相液晶指纹织构光栅的聚合稳定图案化的多样性和微型化,将会拓展胆甾相液晶指纹织构光栅在光束调制器、光通讯、显示等领域的应用。基于光控取向的胆甾相液晶指纹织构光栅图案化 ...
罗斌
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Preparation and application of graphene based transparent flexible conductive films [PDF]

open access: yes, 2016
二维材料石墨烯兼具优异的电学、光学、热学和机械性能,在透明导电薄膜领域具有重要的研究价值和应用前景,有望取代传统透明导电薄膜氧化铟锡(ITO)在光电子、微电子、军事和通讯领域的广泛应用。本文着眼于石墨烯透明导电薄膜的产业化应用,围绕大面积高质量石墨烯的生长、转移和掺杂,对石墨烯基透明导电薄膜的制备与应用展开全面的研究。主要贡献及创新包括: 石墨烯生长方面,提出并利用同位素示踪原子技术证实一种碳源铜箔内表面到外表面扩散的新的石墨烯生长机制 ...
单智发
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