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Electrica: This article presents the performance evaluation of an isolated dual active half-bridge (DAHB) converter with discrete SiC MOSFET devices. The impact of a resonant network on the SiC MOSFET DAHB under two different modes is investigated.
Veera Venkata Subrahmanya Kumar Bhajana +3 more
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IEEE Open Journal of Power ElectronicsEfficient thermal management is essential to ensure reliability and performance in high-power electric vehicle (EV) fast-charging converters employing silicon carbide (SiC) MOSFETs.
Muhammad Awais +5 more
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, 2018 The introduction of Silicon Carbide (SiC) MOSFET based inverters into the traction drive makes it possible to increase the inverter switching frequency and reduce energy consumption.
Dahlquist, Erik, +4 more
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, 2017 Nous avons le plaisir de vous annoncer que notre prochain séminaire annuel des doctorant·es en SIC (Sciences de l’Information et de la Communication) se tiendra le vendredi 24 mars 2017 de 8h30 à 17h, à Toulouse.
Bureau de l'Adt-SIC
core
Power Electronic Devices and ComponentsThis paper study impact of gamma-ray irradiation on the characteristics of silicon carbide power metal oxide semiconductor field effect transistor (SiC MOSFET) from CREE, Inc., and its corresponding effects on the operation of 5/12 V DC-DC boost ...
S. M. Abd El-Azeem, W. Abd El-Basit
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Assemblée générale de l'ADT-SIC, le 28 novembre 2018
, 2018 Bonjour, Vous êtes cordialement convié-es à la prochaine Assemblée Générale (AG) de l'ADT-SIC (Association des Doctorant-es Toulousain-es en Sciences de l'Information et de la Communication) qui aura lieu le mercredi 28 novembre à 17h30 en salle D155 ...
Bureau de l'Adt-SIC
core
Développement d'un Driver Communicant pour MOSFET SiC
, 2016 Séminaire des jeudis de la com' de l'équipe SCNNous développons un driver dédié à une technologie émergente de semi-conducteurs de puissance qui sont les MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) au carbure de silicium (SiC).
Bouguet, Christophe
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Research on Switching Characteristics of 3 300 V Full SiC MOSFET Power Module
机车电传动, 2020 Depending on the advantages of SiC MOSFET with faster switching and lower on-state losses, the switching characteristics of a 3 300 V full SiC MOSFET device were studied to make better use of the device. Firstly, the switching processes of the SiC device
Kangkang SUN +5 more
doaj
SIC, 2e édition: programme des séminaires du 18 mars et 12 mai 2016
, 2016 Séminaire4. Santé, inégalité, Citoyenneté (SIC) Santé, inégalité et mondes du travail 12 mai 2016 Université de Lille3 Salle de séminaire de l’IRHiS 13h15-17h45 Présentation du séminaire par les doctorants 13h15-14h Bruno Debaenst, post-doc université
sic
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Thermal Impedance Characterization Using Optical Measurement Assisted by Multi-Physics Simulation for Multi-Chip SiC MOSFET Module. [PDF]
Micromachines (Basel), 2020 Kim MK, Yoon SW.
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